Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology (한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집)

The Korean Society Of Semiconductor & Display Technology (한국반도체디스플레이기술학회)
권호 표지

청색광 검출 Si Photodiode에서 $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 광반사 방지막의 최적두께 설계

  • 서동균 (단국대학교 전자컴퓨터학부) ;
  • 황용운 (단국대학교 전자컴퓨터학부) ;
  • 장지근 (단국대학교 전자컴퓨터학부)
  • Published : 2004.05.01
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Abstract

400~450nm 파장 범위의 청색광을 검출하는 Si 포토다이오드에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$를 광반사 방지막으로 사용하는 경우 광반사 방지막의 두께에 따른 표면 광반사 손실을 이론적으로 계산하였다. 400~450nm 청색 파장에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$ 단일막에 대한 최소 광반사 손실은 각각 $d(SiO_2)=700~750{\AA}$ 와 $d(Si_{3}N_{4})=500${\AA}$에서 나타났으며, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 이중막에 대한 최소 광반사 손실은 $d(SiO_{2}/Si_{3}N_{4})=750{\AA}/(180~200){\AA}$에서 나타났다.

Keywords