Platinum anodes are widely used for metal oxides reduction in LiCl-Li2O, however high-cost and low-corrosion resistance hinder their implementation. NiO-Li2O ceramics is an alternative corrosion resistant anode material. Anode processes on platinum and NiO-Li2O ceramics were studied in (80 mol.%) LiCl-(20mol.%)KCl and (80 mol.%)LiCl-(20 mol.%)KCl-Li2O melts by cyclic voltammetry, potentiostatic and galvanostatic electrolysis. Experiments performed in the LiCl-KCl melt without Li2O illustrate that a Pt anode dissolution causes the Pt2+ ions formation at 3.14 V and 550℃ and at 3.04 V and 650℃. A two-stage Pt oxidation was observed in the melts with the Li2O at 2.40 ÷ 2.43 V, which resulted in the Li2PtO3 formation. Oxygen current efficiency of the Pt anode at 2.8 V and 650℃ reached about 96%. The anode process on the NiO-Li2O electrode in the LiCl-KCl melt without Li2O proceeds at the potentials more positive than 3.1 V and results in the electrochemical decomposition of ceramic electrode to NiO and O2. Oxygen current efficiency on NiO-Li2O is close to 100%. The NiO-Li2O ceramic anode demonstrated good electrochemical characteristics during the galvanostatic electrolysis at 0.25 A/cm2 for 35 h and may be successfully used for pyrochemical treating of spent nuclear fuel.
$Li_2PtO_3$ thin film electrodes, which might be possible candidate for the cathode materials for implantable batteries, were synthesized using an electrostatic spray deposition (ESD) technique onto a platinum foil substrate. Single phase $Li_2PtO_3$with a structure similar to layered $LiCoO_2$ structure were synthesized by spraying a precursor solution of $CH_3CO_2Li2H_2O$ in ethanol onto a Pt substrate at temperatures ranging from 200 to $400^{\circ}C$ followed by annealing at above $600^{\circ}C$. Lithium carbonate was the only major phase at temperatures up to $500^{\circ}C$. The X-ray diffraction (XRD) peaks of the Pt foil substrate and lithium carbonate disappeared at temperatures >$600^{\circ}C$. The volumetric capacity of the $Li_2PtO_3$ thin film synthesized using the ESD technique was approximately 817 mAh/$cm^3$, which exceeded that of $LiCoO_2$ (711 mAh/$cm^3$).
1 $\mu$m이하의 전고상 리튬 박막전지의 구현을 위해 펄스 레이저 증착법을 이용하여 Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판위에 LiCoO$_2$정극을 증착온도와 Li/Co 간의 몰 비율을 변화시켜가며 성장시켰다. 특히, Li/Co=1.2의 조성을 갖는 LiCoO$_2$를 50$0^{\circ}C$의 증착온도에서 성장시킬 경우 53 $\mu$Ah/$cm^2$-$\mu$m의 높은 초기 용량값을 가지며 100 싸이클 후에도 67.6%의 용량값을 유지하였다. LiCoO$_2$/Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si위에 고체 전해질인 (Li, La)TiO$_3$를 비정질상으로 하여 PLD방법으로 낮은 온도대역에서 증착온도를 다양하게 하여 증착하였다. 10$0^{\circ}C$의 증착온도에서 LiCoO$_2$Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si위에 성장시킨 (Li, La)TiO를 가지고 LiClO$_4$ in PC 안에서 Li anode와 충$.$방전 측정 결과 약 51$\mu$Ah/$cm^2$-$\mu$m의 초기 용량값을 나타내었으며 100싸이클 후에도 90%의 훌륭한 방전용량의 보존력을 나타내었다. 비정질상의 (Li, La)TiO$_3$ 고체 전해질은 전고상 박막전지로의 구현이 가능하다.
Piezoelectric ceramic specimens with the $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})_{0.65}Ti_{0.35}O_3$ (PMN-PT) composition are prepared by the solid state reaction method known as the "columbite precursor" method. Moreover, the effects of the $Li_2O-Bi_2O_3$ additive on the microstructure, crystal structure, and piezoelectric properties of sintered PMN-PT ceramic samples are investigated. The addition of $Li_2O-Bi_2O_3$ lowers the sintering temperature from $1,200^{\circ}C$ to $950^{\circ}C$. Moreover, with the addition of >5 wt.% additive, the crystal structure changes from tetragonal to rhombohedral. Notably, the sample with 3 wt.% additive exhibits excellent piezoelectric properties ($d_{33}=596pC/N$ and Kp = 57%) and a sintered density of $7.92g/cm^3$ after sintering at $950^{\circ}C$. In addition, the sample exhibits a curie temperature of $138.6^{\circ}C$ at 1 kHz. Finally, the compatibility of the sample with a Cu electrode is examined, because the energy-dispersive X-ray spectroscopy data indicate the absence of interdiffusion between Cu and the ceramic material.
박막은 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 구연산 졸을 이용하여 spin coating에 의해 제작하였다. 기판위에 코팅된 구연산 졸을 380oC에서 15분간 건조시킨 후 750oC에서 10분간 열처리하여 박막을 얻었다. 얻어진 박막은 X-선 회절분석 결과 R3m의 결정구조를 가짐을 알수 있었고, 전기화학적 특성의 측정결과 1차 방전용량은 0.35Ah/cm2-m로 측정되었다.
Metal ferroelectric semiconductor Field Effect- Transistors(MFSFET) with various gate electrodes, that are aluminum, platinum and poly -Si, using LiNbO$_3$/Si(100) structures were fabricated and the properties of the FETs have been discussed. The drain current of the state of FET with Pt electrode was more than 3 orders of magnitude larger than the state current at the same gate voltage of 1.5 V, 7.rich means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as about $\pm$4 V, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The retention properties of the FET using Al electrode were quite good up to about 10$^3$s and using Pt electrode remained almost the same value of its initial value over 2 days at room temperature.
Instead of a solution process producing amorphous $LiV_3O_8$ form, we prepared Lithium vanadate glass by melting $Li_2O-P_2O_5-V_2O_5$ and $Li_2O-P_2O_5-Bi_2O_3-V_2O_5$ composition in pt. crucible and by quenching on the copper plate. From the crystallization of $Li_2O-P_2O_5-V_2O_5$ and $Li_2O-P_2O_5-Bi_2O_3-V_2O_5$, we could abtain glass-ceramics having crystal phase, LiV3O8 from glass matrix. The material heat-treated at lower-temperature, $250^{\circ}C$ had less crystalline and lower capacity, But the material heat-treadted at higher-temperature, $330^{\circ}C$ had higher capacity and $Li_2O-P_2O_5-V_2O_5$ glass-ceramics had higher capacity than $Li_2O-P_2O_5-Bi_2O_3-V_2O_5$ glass-ceramics.
Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(WFIS) capacitors using rapid thermal annealed LiNbO$_3$/AlN/Si(100) structure were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. The capacitors on highly doped Si wafer showed hysteresis behavior like a butterfly shape due to the ferroelectric nature of the LiNbO$_3$ films. The typical dielectric constant value of LiNbO$_3$ film in the MFIS device was about 27, The gate leakage current density of the MFIS capacitor was 10$^{-9}$ A/cm$^2$ order at the electric field of 500 kV/cm. The typical measured remnant polarization(2P$_{r}$) and coercive filed(Ec) values were about 1.2 $\mu$C/cm$^2$ and 120 kV/cm, respectively The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to 10$^{11}$ switching cycles when subjected to symmetric bipolar voltage pulses of 1 MHz. The switching charges degraded only by 10 % of their initial values after 4 days at room temperature.e.
코발트 산화물 박막을 전극으로 하여 Pt/Ti/Si 기판위에 Co$_3$O$_4$/LiPON/Co$_3$O$_4$로 구성된 전고상의 박막형 슈퍼캐패시터를 제작하였다. 각각의 Co$_3$O$_4$박막은 반응성 dc 마그네트론 스퍼터를 이용하여 $O_2$/[Ar+O$_2$] 비를 증가 시키며 성장시켰고, 비정질 LiPON 고체전해질 박막은 순수한 질소분위기 하에서 rf 스퍼터링으로 성장시켰다. 비록 벌크 타입의 슈퍼캐패시터에 비해 낮은 전기용량 (5-25mF/$\textrm{cm}^2$-$\mu\textrm{m}$)을 가졌지만, Co$_3$O$_4$/LiPON/Co$_3$O$_4$ 구조로 제작된 전고상 박막형 슈퍼캐패시터는 벌크 타입과 비슷한 거동을 나타내었다 0-2V의 전압구간, 50$\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$의 전류밀도에서 약 400사이클 까지 안정한 방전용량을 유지함을 관찰할 수 있었다 이러한 전고상 박막형 슈퍼캐패시터의 전기화학적 특성은 $O_2$/[Ar+O$_2$] 비에 의존하는데, 이러한 의존성을 구조적, 전기적 특성 및 표면특성을 분석하여 설명하였다.
$Li_{2}O-P_{2}O_{5}-Bi_{2}O_{3}-V_{2}O_{5}$ glass containing glass former, $P_{2}O_{5}$ and $Bi_{2}O_{3}$ was prepard by melting the glass batch in pt. erucible followed by guenching on the copper plate. We found that $Li_{2}O-P_{2}O_{5}-Bi_{2}O_{3}-V_{2}O_{5}$ glass-ceramics obtained from the crystallization of glass showed signifieantly higher capacity and longer cycle life tham $LiV_{3}O_{8}$ made from powder synthesis. In this paper, we described crystallization process and $LiV_{3}O_{8}$ crystal growth in glass matrix by increasing temperature. The electrochemical properties were strongly affected by $LiV_{3}O_{8}$ crystal growth in matrix
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[게시일 2004년 10월 1일]
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