• 한국세라믹학회지
• /
• 제48권2호
• /
• pp.195-199
• /
• 2011

The effect of copper oxide on migration and interaction of protons in barium zirconate was investigated using density functional theory. One copper atom was substituted for a zirconium atom site, and a proton was added to a $3{\times}3{\times}3$ barium zirconate superstructure. An energy barrier of 0.89 eV for proton migration was the highest among several energy barriers. To investigate the interaction between multiple protons and a copper atom, two protons were added to the superstructure. Various proton positions were determined by the interaction between the two protons and the copper atom.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
• /
• pp.243-244
• /
• 2015

Power system has been improved during for a long time by customers demand. Power suppliers has researched the power system component for more electricity transmission. One of the research is apply the thermal conductors in new cable. The operational temperature of thermal conductors is higher than normal aluminum that thermal conductor is composed of aluminum, Zr(zirconium) and etc. Increase of operational temperature is growth of the transmission capability. Power suppliers was concerned about the increase of operation temperature by thermal conductors. Therefore, the thermal conductor has the possibility that expanded application in power system. In this paper analysed effect of thermal conductor in power distribution system.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
• /
• pp.155-158
• /
• 2002

Eu-doped lead zirconium titanate $Pb_{1.1}(Zr_{0.3}Ti_{0.7})O_{3}$ thin films on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates prepared by a metalorganic decomposition (MOD) method. The effect on the structural and electrical properties of the films measured according to Eu content. Eu-doping altered significantly the dielectric and ferroelectric properties. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the concentration of Eu content. The dielectric constant and dielectric loss of the film decreased with increasing Eu contents. The 3 mol% of Eu-doped PZT thin film showed large remanent polarization and the fatigue characteristic of the film did not change up to $10^9$ switching cycles.

• 한국표면공학회지
• /
• 제30권3호
• /
• pp.183-190
• /
• 1997

Fabrication and crystallization characteristics of yttria($T_2O_3$) stabilized zirconia(YSZ) thin film by sol-gel process were studied. YSZ sol was synthesized with zirconium n-propoxide($Zr(OC_3H_7)_4)$) and yttrium nitrate pentahydrate ($Y(NO_3)_3.5H_2O$). YSZ film was prepared by depositing the polymeric sol on porous $Al_2O_3$ substrate by spin-coating, and the film characteristics were investigated by FRIR, TG-DTA, XRD, DSC, optical microscopy and SEM. The film topology was uniform and cracks were not found. It was found that the annealing temperature and the concentration of stabilizer affect the crystallization of YSZ film. The YSZ film began to crystallize from amorphous to tetragonal phase at 40$0^{\circ}C$, and it was not converted to cubic structure until $1100^{\circ}C$. It seemed that the grains were formed over $700^{\circ}C$and the average grain size was obtained about 0.2$\mu\textrm{m}$.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
• /
• pp.543-544
• /
• 2006

Pentacene thin film transistors fabricated without photolithographic patterning were fabricated on the plastic substrates. Both the organic/inorganic thin films and metallic electrode were patterned by shifting the position of the shadow mask which accompanies the substrate throughout the deposition process. By using an optically transparent zirconium oxide ($ZrO_2$) as a gate insulator and octadecyltrimethoxysilane (OTMS) as an organic molecule for self-assembled monolayer (SAM) to increase the adhesion between the plastic substrate and gate insulator and the mobility with surface treatment, high-performance transistor with field effect mobility $.66\;cm^2$/V s and $I_{on}/I_{off}$>$10^5$ was formed on the plastic substrate. This technique will be applicable to all structure deposited at low temperature and suitable for an easy process for flexible display.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제22권6호
• /
• pp.199-206
• /
• 2005

In this work, a theoretical investigation on the energy harvesting is undertaken using one of potential smart materials; piezoelectric material. The energy equations fur both square and circular types of the piezoelectric material are derived, and the energy generated from two commercially available Products: $PZT (Lead/Zirconium/Titanium: Pb(Zr,\;Ti)O_3)$ and PVDF (polyvinylidene fluoride) are investigated in terms of the thickness and area. In addition, a finite element analysis (FEA) is undertaken to obtain the generated energy due to the uniform pressure applied on the surface of the piezoelectric materials. A comparative work between the theory and the FEA is made followed by the brief discussion on the usage of the harvested energy for Bio MEMS.

• 방사성폐기물학회지
• /
• 제21권1호
• /
• pp.115-147
• /
• 2023

The Fukushima accident in 2011 revealed some major flaws in traditional nuclear fuel materials under accidental conditions. Thus, the focus of research has shifted toward "accident tolerant fuel" (ATF). The aim of this approach is to develop fuel material solutions that lead to improved reactor safety. The application of protective coatings on the surface of nuclear fuel cladding has been proposed as a near-term solution within the ATF framework. Many coating materials are being developed and evaluated. In this article, an overview of different zirconium-based alloys currently in use in the nuclear industry is provided, and their performances in normal and accidental conditions are discussed. Coating materials proposed by different institutions and organizations, their performances under different conditions simulating nuclear reactor environments are reviewed. The strengths and weaknesses of these coatings are highlighted, and the challenges addressed by different studies are summarized, providing a basis for future research. Finally, technologies and methods used to synthesize thin-film coatings are outlined.

• 한국지구과학회지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.553-558
• /
• 1997

등축정계의 결정구조를 지니는 무색 투명한 저코니아($Zr_{0.73}Y_{0.27}O_{1.87}$) 결정을 $Y_2O_3$를 안정제로 사용하여 Bridgman-Stockbager법(또는 Skull 용융법)으로 합성하였다. 육성된 결정은 유리광택을 나타내며 동시에 약간의 지방 광택도 띤다. 저코니아 결정은 편광현미경하에서 등방성을 나타내며 이방성의 징후는 발견되지 않는다. 모스 경도는 $8{\sim}8\frac{1}{2}$이고 비중은 5.85이다. 자외선하에서는 약한 백색 형광을 낸다. 단결정법으로 결정한 저코니아의 결정구조는 등축정계이며, 공간군은 $Fm3m({O^5}_h)$이다. 단위포 상수(a)는 $5.1552(5){\AA}$이며, $V=136.99(5){\AA}$, Z=4, R=0.0488이다. 저코니움 원자는 각 모서리에 산소 원자가 자리잡고 있는 육면체의 중심에 위치하고 있으며, 각 산소 원자는 저코니움 원자로 되어 있는 사면체의 중심에 위치하고 있다. 결국 8:4의 배위수가 성립하는 구조를 하고 있다.

• 암석학회지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.337-349
• /
• 2014

ICP-MS를 이용한 화강암질 암석내 희토류원소의 함량 분석시 저어콘이 미치는 영향과 저어콘의 산 분해 정도를 미국지질조사소(USGS)의 화강섬록암 표준시료 GSP-2와 일본지질조사소(GSJ) 화강암 표준시료 JG-1a를 이용하여 조사하였다. 아울러 화강암에서 분리된 저어콘 광물에 대해 일반적인 산분해법과 압력용기(bomb)을 이용한 산분해법을 적용하여 지르코늄(Zr)과 희토류원소의 함량을 측정하였다. 실험결과에 의하면, 저어콘은 일반 산분해의 경우 50% 정도가 산분해된 것으로 나타났고, 압력용기를 이용한 경우에는 약 90% 전후가 분해된 것으로 확인되었다. 그리고 GSP-2와 JG-1a의 경우 추천값에 비해 지르코늄의 함량이 50% 정도인 것으로 나타났다. 이는 일반적인 화강암의 산분해의 경우 저어콘의 용해도가 실제로는 50% 정도 밖에 되지 않음을 지시한다. 하지만, 화강암내 희토류원소의 함량의 경우, 저어콘의 분해도와 상관없이, 추천값과 거의 일치하였다. 이는 저어콘의 불완전분해가 암석시료에서의 희토류원소 분포도를 이용한 암석학적 혹은 지구화학적 해석에 큰 영향을 주지는 않는다는 것을 지시해준다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.262-262
• /
• 2016

최근 고해상도 디스플레이가 주목받으면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 수 있는 재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. a-Si의 경우 간단한 공정 과정, 적은 생산비용, 대면적화가 가능하다는 장점이 있지만 전자 이동도가 매우 낮은 단점이 있다. 반면, 산화물 반도체는 비정질 상태에서 전자 이동도가 높으며 큰 밴드갭을 가지고 있어 투명한 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 저온공정이 가능하여 기판의 제한이 없는 장점을 가지고 있다. 대표적으로 가장 널리 연구되고 있는 산화물 반도체는 a-IGZO(amorphous indium-gallium-zinc oxide)이다. 그러나 InZnO(IZO) 기반의 산화물 반도체에서 carrier suppressor 역할을 하는 Ga(gallium)은 수요에 대한 공급이 원활하지 못하여 비싸다는 단점이 있다. 그러므로 경제적이면서 a-IGZO와 유사한 전기적 특성을 나타낼 수 있는 suppressor 물질이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 IZO 기반의 산화물 반도체에서 Ga을 Hf(hafnium), Zr(zirconium), Si(silicon)으로 대체하여 용액증착(solution-deposition) 공정으로 각각의 채널층을 형성한 back-gate type의 박막 트랜지스터(thin-film transistor, TFT) 소자를 제작하였다. 용액증착 공정은 물질의 비율을 자유롭게 조절할 수 있고, 대기압의 조건에서도 공정이 가능하기 때문에 짧은 공정시간과 저비용의 장점이 있다. 제작된 소자는 p-type Si 위에 게이트 절연막으로 100 nm의 열산화막이 성장된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝 후에 각 solution 물질을 spin coating 방식으로 증착하였다. 이후, photolithography, develop, wet etching의 과정을 거쳐 채널층 패턴을 형성하였다. 또한, 산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 후속 열처리 과정(post deposition annealing, PDA)은 필수적이다. CTA 방식은 높은 열처리 온도와 긴 열처리 시간의 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도와 짧은 열처리 시간의 장점을 가지는 MWI (microwave irradiation)를 후속 열처리로 진행하였다. 그 결과, 각 물질로 구현된 소자들은 기존 a-IGZO와 비교하여 적은 양의 carrier suppressor로도 우수한 전기적 특성 및 안정성을 얻을 수 있었다. 따라서, Si, Hf, Zr 기반의 산화물 반도체는 기존의 Ga을 대체하여 저비용으로 디스플레이를 구현할 수 있는 IZO 기반 재료로 기대된다.