• 제목/요약/키워드: voltage profile

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분산전원이 연계된 배전계통의 손실 최소화 및 전압 profile 향상 방안 (Method of Loss Minimization and Voltage Profile improvement in Distribution System with Distributed Generator)

  • 서재진;김윤성;원동준
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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    • pp.524-525
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    • 2008
  • 에너지 효율이 강조되는 요즘, 전력계통의 손실을 최소화시킬 수 있는 분산전원 최적 출력 운전은 에너지 효율 향상에 도움을 줄 것이다. 본 논문에서는 다수의 집중부하를 갖고 있는 방사형 배전계통에 분산전원이 연계됐을 때를 가정하였고 계통 해석을 위해 Dist Flow 방법을 이용하여 계통의 조류계산을 하였다. 분산전원의 최적 출력식을 증명을 통해 도출하였고 시뮬레이션 프로그램 PSCAD /EMTDC으로 검증하여 보았다. 또한 최적 출력을 통해서 전압 profile이 향상되는 것을 볼 수 있었다.

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아르곤 가스를 효율적으로 사용하기 위한 GMA 용접 토치 구조 Part 2 : AMAG와 DMAG 공정의 비교 (GMA Torch Configuration for Efficient Use of Argon Gas Part 2 : Comparison between AMAG DMAG Process)

  • 문명철;고성훈;유중돈
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제17권6호
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    • pp.46-52
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    • 1999
  • The auxiliary gas-shielded MAG (AMAG) process, which was devised to provide an argon-rich shielding environment using small amount of argon gas, was investigated experimentally to figure out its effects on metal transfer and weld quality. Proper conditions for the AMAG process including the argon gas ratio, position and direction of the auxiliary nozzle were determined experimentally. Performance of the AMAG process was compared with that of the double gas-shielded MAG(DMAG) and MAG processes by monitoring the bead profile, current and voltage waveforms. The AMAG process was found to provide better bead profile, more stable arc and wider operating range of spray transfer mode compared with the DMAG process. In general, performance of the AMAG process using the argon ratio of 30% was comparable to that of the MAG process using 80% argon and 20% CO₂ gas.

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HBr 가스를 이용한 MgO 박막의 고밀도 반응성 이온 식각

  • 김은호;소우빈;공선미;정지원
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.212-212
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    • 2010
  • 최근 차세대 반도체 메모리 소자로 대두된 magnetic random access memory(MRAM)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) stack을 구성하는 자성 재료의 건식 식각에 대한 연구에서는 좋은 profile을 얻고, 재층착의 문제를 해결하기 위한 노력이 계속해서 진행되고 있다. 본 연구에서는 photoresist(PR)과 Ti 하드 마스크로 패턴 된 배리어(barrier) 층인 MgO 박막의 식각 특성을 유도결합 플라즈마를 이용한 고밀도 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching-ICPRIE)을 통해서 연구하였다. PR 및 Ti 마스크를 이용한 자성 박막들은 HBr/Ar, HBr/$O_2$/Ar 식각 가스의 농도를 변화시키면서 식각되었다. HBr/Ar 가스를 이용 식각함에 있어서 좋은 식각 조건을 얻기 위한 parameter로서 pressure, bias voltage, rf power를 변화시켰다. 각 조건에서 Ti 하드마스크에 대한 터널 배리어층인 MgO 박막에 selectivity를 조사하였고 식각 profile을 관찰하였다. 식각 속도를 구하기 위해 alpha step(Tencor P-1)이 사용되었고 또한 field emission scanning electron microscopy(FESEM)를 이용하여 식각 profile을 관찰함으로써 최적의 식각 가스와 식각 조건을 찾고자 하였다.

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Optimal Voltage and Reactive Power Scheduling for Saving Electric Charges using Dynamic Programming with a Heuristic Search Approach

  • Jeong, Ki-Seok;Chung, Jong-Duk
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제11권2호
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    • pp.329-337
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    • 2016
  • With the increasing deployment of distributed generators in the distribution system, a very large search space is required when dynamic programming (DP) is applied for the optimized dispatch schedules of voltage and reactive power controllers such as on-load tap changers, distributed generators, and shunt capacitors. This study proposes a new optimal voltage and reactive power scheduling method based on dynamic programming with a heuristic searching space reduction approach to reduce the computational burden. This algorithm is designed to determine optimum dispatch schedules based on power system day-ahead scheduling, with new control objectives that consider the reduction of active power losses and maintain the receiving power factor. In this work, to reduce the computational burden, an advanced voltage sensitivity index (AVSI) is adopted to reduce the number of load-flow calculations by estimating bus voltages. Moreover, the accumulated switching operation number up to the current stage is applied prior to the load-flow calculation module. The computational burden can be greatly reduced by using dynamic programming. Case studies were conducted using the IEEE 30-bus test systems and the simulation results indicate that the proposed method is more effective in terms of saving electric charges and improving the voltage profile than loss minimization.

전압조정 측면에서 본 소형 열병합발전 배전계통 도입량 평가 (Evaluation of Interconnection Capacity of SCOGNs to the power Distribution Systems from the Viewpoint of Voltage Regulation)

  • 최준호;김재철
    • 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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    • 제48권9호
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    • pp.1096-1102
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    • 1999
  • This paper discusses the evaluation of interconnection capacity of small cogeneration(SCOGN) systems to the power distribution systems from the viewpoint of voltage regulation. Power utilities are required to keep the customers' voltage profile over a feeder close to the rated value under all load conditions. However, it is expected that the interconnection of SCOGNs to the power distribution systems impacts on the existing voltage regulation method and customers' voltage variations. Therefore, SCOGNs should be integrated to the automated power distribution systems to prevent interconnection problems and supply high quality electricity to the customers. For these reasons, we should proceed with the evaluation of interconnection capacity of SCOGNs to the power distribution systems. However, it is generally impossible to perform actual testing on the power distribution systems, and standardized methodologies and guidelines are not developed to evaluate it. The criterion indexes for voltage regulation and variations are presented in order to evaluate the interconnection capacity of SCOGNs to the power distribution systems. In addition, the evaluation methodology of interconnection capacity of SCOGNs for power distribution systems is presented. It is expected that the resulted of this paper are useful for power system planners to determine the interconnection capacity of SCOGNs and dispersed storage and generation (DSG) systems to the power distribution systems.

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전력반도체 고내압 특성 향상을 위한 필드링 최적화 연구 (A Study on the Field Ring of High Voltage Characteristics Improve for the Power Semiconductor)

  • 남태진;정은식;김성종;정헌석;강이구
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제25권3호
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    • pp.165-169
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    • 2012
  • Power semiconductor devices are widely used as high voltage applications to inverters and motor drivers, etc. The blocking voltage is one of the most important parameters for power semiconductor devices. And cause of junction curvature effects, the breakdown voltage of the device edge and device unit cells was found to be lower than the 'ideal' breakdown voltage limited by the semi-infinite junction profile. In this paper, Propose the methods for field ring design by DOE (Design of Experimentation). So The field ring can be improve for breakdown voltage and optimization.

낮은 변압기 턴비를 갖는 고승압.대전력용 3상 ZVS DC-DC컨버터 (Three-Phase ZVS DC-DC Converter with Low Transformer Turn Ratio for High Step-up and High Power Applications)

  • 김준근;박찬수;최세완;박가우
    • 전력전자학회논문지
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    • 제16권3호
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    • pp.242-249
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    • 2011
  • 제안하는 컨버터는 부스트 하프브리지-전압 더블러를 각각 병렬-직렬로 연결하여 출력전력 및 출력전압을 증대시키므로 고승압 대전력 응용에서 소자의 선정이 용이하다. 특히 고주파변압기 턴 비를 작게 할 수 있고 DC 오프셋이 제거되어 최적의 변압기 설계가 가능하며, 3개의 코아로 전력이 분배되어 Low Profile 및 열 분산에 유리하다. 제안하는 컨버터는 전 영역(0 ∼ 1)의 듀티 사용으로 스타트업 및 추가의 클램프회로가 필요 없으며 입력전압 변동이 큰 응용에 적합하다. 또한 넓은 듀티영역에서 스위치의 ZVS 턴온과 다이오드의 ZCS 턴온 턴오프가 성취되므로 고효율을 달성할 수 있다. 제안하는 컨버터를 5 kW급 시작품으로 검증하였다.

실행 시간 프로파일을 이용한 저전력 경성 실시간 프로그램용 동적 전압 조절 알고리즘 (A Dynamic Voltage Scaling Algorithm for Low-Energy Hard Real-Time Applications using Execution Time Profile)

  • 신동군;김지홍
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제29권11호
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    • pp.601-610
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    • 2002
  • 태스크내부에서 공급 전압을 조절하는 태스크내 전압 스케쥴링(IntraVS)은 저전력 프로그램을 구현하는 데 효과적인 방법이다. 본 논문에서는 경성 실시간 응용프로그램에서 평균 실행 시간에 대한 정보를 이용하여 전력 소모를 효과적으로 줄이는 새로운 태스크내 전압 스케쥴링 알고리즘을 제시한다. 최악 실행 시간을 사용하여 전압 조절의 결정을 내렸던 기존의 태스크내 전압 스케줄링과는 달리, 제안된 알고리즘은 평균 실행 시간에 바탕을 두고 실행 속도를 조절함으로써 주어진 시간 제약 조건을 만족시키면서도 기존 방법보다 에너지 효율성을 높일 수 있다. MPEG-4 디코더를 이용한 실험 결과, 제안된 알고리즘은 기존의 태스크내 전압 스케줄링에 비해서 전력 소모를 최대 34% 감소시켰다.

이중게이트 MOSFET의 채널도핑분포의 형태에 따른 문턱전압특성분석 (Analysis of Channel Doping Profile Dependent Threshold Voltage Characteristics for Double Gate MOSFET)

  • 정학기;한지형;이재형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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    • pp.664-667
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    • 2011
  • 본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다.

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