JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제7권2호
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pp.76-81
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2007
Threshold voltage ($V_{th}$) modeling of doublegate (DG) MOSFETs was performed, for the first time, by considering barrier lowering in the short channel devices. As the gate length of DG MOSFETs scales down, the overlapped charge-sharing length ($x_h$) in the channel which is related to the barrier lowering becomes very important. A fitting parameter ${\delta}_w$ was introduced semi-empirically with the fin body width and body doping concentration for higher accuracy. The $V_{th}$ model predicted well the $V_{th}$ behavior with fin body thickness, body doping concentration, and gate length. Our compact model makes an accurate $V_{th}$ prediction of DG devices with the gate length up to 20-nm.
이온 주입된 소형 MOSFET소자에 대한 해석적 문턱 전압 모델이 유도되었다. 일정한 도우핑 농도를 갖는 MOSFET에 적용되는 Yau 모델을 implanted channel구조와 bird's beat구조의 MOSFET에 대하여 적합한 형태로 수정하여 short channel 현상과 narrow width 현상을 정량적으로 설명하였다. Channel영역의 불순물 분포를 SUPREM 결과에서 2-step profile로 근사시켜 문턱 전압의 short channel model을 제안하였다. Weighting factor를 사용하여 bird's beat 영역의 불순물 분포를 고려함으로써 narrow width 현상을 성공적으로 설명하였다.
The evoked potentials for concentrations of solutions of the four qualities of tastes(i.e., sweet, salty, sour, and bitter tastes) were measured. The solution was applied to the chorda tympani nerve located on the left side of the tongue at 20mm from the tip and 15mm left from the center line. The evoked potentials were detected from Cz referred to A1(left lobe) with the ground at the Fpz position. The Maximum potential level and its latency were evaluated. The individual threshold level of concentration of the solutions of four tastes were measured. Artificial saliva was used as a control solution. The evoked positive potentials for four qualities of tastes (i.e., gustatory evokde potentials) were found to be around 150ms by averaging eight responses. The arbitrary concentration of the solutions were presented by the relative concentration, which was the ratio of the arbitrary concentration to the individual threshold level. The characteristic relations between the latency and the relative concentration ;and those between the potential level and the relative concentration were evaluated. These evalutions showed that (1) the latencies for salty and bitter tastes denoted the minimum values due to for the change of relative concentration, and that (2) the latency for sour taste decreased as the relative concentrations increased, while the latency for sweet taste denoted the inverse tendency, Sinificant differences between any two maximum potential levels were not recognized. A response latencies to sucrose were abolished after treatment of tongue by a sweet-suppressing agent.
This research was conducted to evaluate the effect of improvement in work environment and of segregation in a fluorescent lamp manufacturing factory. Among the total of 80 workers, 8 workers whose mercury concentration in urine reached a hazardous level ($200-299{\mu}g/l$) were moved to mercury free workplace. The follow-up examination for their mercury concentration in urine was done three times ; on May 3, 1988, September 1, 1988 and April 3, 1989. The results were as follows : 1. Mercury concentration in the air was reduced from 0.140 to 0.107 $mg/m^3$ in 4 months, and to $0.087mg/m^3$ in one year after environmental improvement in workplace. However the level still exceeded the Threshold Limit Value. 2. The geometric mean of urinary mercury concentration among 80 workers was $173.0{\mu}g/l\;(5.1{\sim}458.6{\mu}g/l$). The distribution of workers according to urinary mercury concentration showed that 9 workers (11.2%) were above the mercury poisoning level ($300{\mu}g/l$), 24 workers (30.0%) were $200-299{\mu}g/l$, 35 workers (43.8%) were $50-199{\mu}g/l$, and 12 workers (15.0%) were below 50 ${\mu}g/l$. 3. Among the 24 workers whose urinary mercury concentration was 200-299 $50-199{\mu}g/l$, 8 were able to be followed up. Their mean urinary mercury concentration before segregation was $244.9{\mu}g/l$, but decreased to $151.4{\mu}g/l$ in four months, $128.8{\mu}g/l$ in six months, and $46.8{\mu}g/l$ in one year after segregation.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.240-250
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2010
Double Gate MOSFETs (DG MOSFETs) with doping in one or two thin layers of an otherwise intrinsic channel are simulated to obtain the transport characteristics, threshold voltage and leakage current. Two different device structures- one with doping on two layers near the top and bottom oxide layers and another with doping on a single layer at the centre- are simulated and the variation of device parameters with a change in doping concentration and doping layer thickness is studied. It is observed that an n-doped layer in the channel reduces the threshold voltage and increases the drive current, when compared with a device of undoped channel. The reduction in the threshold voltage and increase in the drain current are found to increase with the thickness and the level of doping of the layer. The leakage current is larger than that of an undoped channel, but less than that of a uniformly doped channel. For a channel with p-doped layer, the threshold voltage increases with the level of doping and the thickness of the layer, accompanied with a reduction in drain current. The devices with doped middle layers and doped gate layers show almost identical behavior, apart from the slight difference in the drive current. The doping level and the thickness of the layers can be used as a tool to adjust the threshold voltage of the device indicating the possibility of easy fabrication of ICs having FETs of different threshold voltages, and the rest of the channel, being intrinsic having high mobility, serves to maintain high drive current in comparison with a fully doped channel.
본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 반도체소자를 도핑시킬 때는 주로 이온주입법을 사용하며 이때 분포함수는 가우스분포를 나타내고 있다. 가우스분포함수는 이온주입범위 및 분포편차에 따라 형태를 달리하며 이에 따라 전송특성도 변화하게 된다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화는 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 문턱전압은 트랜지스터가 동작하는 최소한의 게이트전압이므로 단위폭 당 드레인 전류가 $0.1{\mu}A$ 흐를 때 상단 게이트전압으로 정의하였다. 문턱전압을 구하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식으로부터 급수형태로 유도하였다. 결과적으로 도핑농도가 증가하면 도핑분포함수에 따라 문턱전압은 크게 변하였으며 특히, 고 도핑 영역에서 하단 게이트전압에 따라 이온주입범위 및 분포편차에 의한 문턱전압의 변화가 크게 나타나는 것을 알 수 있었다.
본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자 파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.426-429
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2006
We investigated the electrooptical properties of a carbon nanotube (CNT)-doped nematic liquid crystal (LC) cell. Experimental results reveal that the doped CNTs influence the elastic constant of LC-CNT dispersion. Using a small amount of CNT dopant, the rise time of the LC cell is nearly invariant; the threshold voltage of the cell increases due to the increase in the elastic constant of LC-CNT dispersion. At a higher CNT concentration, the marked increase in the dielectric anisotropy of LC-CNT dispersion markedly decreases the rise time and threshold voltage of the LC cell. The fall time of this cell decreases with increasing CNT concentration due to the increase in elastic constant and the slight increase in viscosity of LC-CNT dispersion. The rise time and the fall time of the LC cell are decreased simultaneously when the LC host is doped with a moderate amount of CNT dopant.
This study was performed to investigate the change in taste perception during aging and its effects on dietary intake in Korean elderly. The subjects were female aged 65 through 90 in the Anyang area, and college women were included as a comparison group . Dietary intake of the elderly(n=155) and young subjects (n=38) was measured by a 3 day diet record. The taste threshold and 'just right' concentrations(JRC) for sweet and salty tastes were assessed by sensory evaluation . Sucrose solution (0.0.,0.4,0.6,0.8,1.0, 1.2%) and salt solution(0, 0.02, 0.03,0.06,0.09,0.12,0.15%) were used to establish thresholds. for JRC assessment, four suprathreshold sucrose concentrations of 5, 8, 11 and 14% in orange-pineapple flavored juice and salt concentrations of 0.20, 0.34, 0.50and 0.75% in beef stock were prepared. Mean intakes of energy, protein , vitamin A, thiamin , riboflavin, niacin ,calcium and iron of the elderly were below the Korean Recommended Dietary allowances. The elderly showed higher taste thresholds than young subjects of both sweet and salty tastes consumed less calories. Needs to bespecified. The older subjects having high threshold or JRCs for sweet and salty tastes consumed fewer calories from protein and fat. Pearson correlation coefficients was between JRC for sweet and salty tastes 0.54(p<0.01). The correlation coefficients between tastes threshold and nutrient intakes were very low for both age groups. Unlike the college women, in the elderly the JRC of sweet taste of the orange-pineapple juice were negatively correlated with intakes of energy, protein, fats, thiamin , riboflavin , niacin ,vitamin C , iron and consumption of meat and egg food groups (p<0.01). In summation age-related alterations in sweet and salty taste perception were observed in the elderly and dietary intakes of the elderly see to be influenced by these taste perception changes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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