Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.12
s.354
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pp.15-22
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2006
In this paper, 1.8V 8-bit 500MSPS Low-power CMOS Digital-to-Analog Converter(DAC) for UWB(Ultra Wide Band) Communication Systeme is proposed. The architecture of the DAC is based on a current steering 6+2 full matrix type which has low glitch and high linearity. In order to achieve a high speed and good performance, a current cell with a high output impedance and wide swing output range is designed. Further a thermometer decoder with same delay time and low-power switching decoder for high efficiency performance are proposed. The proposed DAC was implemented with TSMC 0.18um 1-poly 6-metal N-well CMOS technology. The measured SFDR was 49dB when the output frequency was 50MHz at 500MS/s sampling frequency. The measured INL and DNL were 0.9LSB and 0.3LSB respectively. The DAC power dissipation was 20mW and the effective chip area was $0.63mm^2$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.45
no.10
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pp.65-70
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2008
We design and fabricate the 94 GHz Coplanar waveguide(CPW)-to-rectangular waveguide transition that is transmits signal smoothly between the CPW, which is a popular transmission line of the planar circuits, and rectangular waveguide for the 94 GHz transceiver system. The proposed transition composed of the unilateral fin-line taper and open type CPW-to-slot-line transition is based on the hard and inflexible sapphire for the flip-chip bonding of the planar MMICs using conventional MMIC technology. We optimize a single section transition to achieve low loss by using an EM field solver of Ansoft's HFSS and fabricate the back- to-back transition that is measured by Anritsu ME7808A Vector Network Analyzer in a frequency range of $85{\sim}105$ GHz. From the measurement and do-embedding CPW with 3 mm length, an insertion and return loss of a single-section transition are 1.7 dB and more an 25 than at 94 GHz, respectively.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2001.04a
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pp.37-39
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2001
반도체 설계는 급속한 기능 추가와 기가 헬쯔에 육박하는 고속 동작에 부응하는 제품의 설계와 빠른 출시를 위하여 다방면의 연구를 거듭하고 있다. 하지만, 인터넷과 정보 가전의 모바일 기기에서 요구하는 폭발적인 기능의 추가와 가전기기의 최소화를 위하여서는 그 요구를 감당하지 못하고 있다. 이를 위한 방안으로 설계 재활용과 System-On-Chip의 설계가 수년 전부터 대두되었으나 아직 큰 실효를 거두지 못하고 있다. SoC설계는 다기능을 한 칩에 구성하는 방법을 시도하고 있고, 설계 재활용은 기존의 설계(IP)를 다른 것과 혼합하여 필요한 기능을 제공하는 방법이 시도되고 있다. 이 두가지의 VLSI 설계 방식 흐름을 가능하도록 하기 위한 연구로써, 레이아웃 이식에 관한 연구를 진행하였다. IP 재활용을 위하여서는 다양한 공정변화에 신속히 대응하고, 기존의 설계 설계규칙으로 설계된 면을 현재의 공정인 0.25um, 0.18um 테크놀러지에 맞도록 변환하는 VLSI 소프트웨어 시스템을 필요로 한다. 레이아웃 설계도면을 분석하여 소자 및 배선을 인식하는 알고리즘을 연구와 개발하고, 도면을 첨단 테크놀러지의 설계 규칙에 부응하도록 타이밍, 소비 전력, 수율을 고려한 최적의 소자 및 배선의 크기를 조절하는 방법을 고안하며, 칩 면적을 최적화할 수 있는 컴팩션 알고리즘을 개발하여 레이아웃 설계 도면을 이식할 수 있는 자동화 소프트웨어 시스템을 연구하였다. 더불어, 현재 반도체 소프트웨어 시스템의 최대 문제점에 해당하는 처리 속도와 도면의 처리 능력을 비교, 검토하여 본 연구가 속도면에서 평균 27배 효율면에서 3배 이상의 상대우위를 점하였다.전송과 복원이 이루어질 것이다.하지 않은 경우 단어 인식률이 43.21%인 반면 표제어간 음운변화 현상을 반영한 1-Best 사전의 경우 48.99%, Multi 사전의 경우 50.19%로 인식률이 5~6%정도 향상되었음을 볼 수 있었고, 수작업에 의한 표준발음사전의 단어 인식률 45.90% 보다도 약 3~4% 좋은 성능을 보였다.으로서 hemicellulose구조가 polyuronic acid의 형태인 것으로 사료된다. 추출획분의 구성단당은 여러 곡물연구의 보고와 유사하게 glucose, arabinose, xylose 함량이 대체로 높게 나타났다. 점미가 수가용성분에서 goucose대비 용출함량이 고르게 나타나는 경향을 보였고 흑미는 알칼리가용분에서 glucose가 상당량(0.68%) 포함되고 있음을 보여주었고 arabinose(0.68%), xylose(0.05%)도 다른 종류에 비해서 다량 함유한 것으로 나타났다. 흑미는 총식이섬유 함량이 높고 pectic substances, hemicellulose, uronic acid 함량이 높아서 콜레스테롤 저하 등의 효과가 기대되며 고섬유식품으로서 조리 특성 연구가 필요한 것으로 사료된다.리하였다. 얻어진 소견(所見)은 다음과 같았다. 1. 모년령(母年齡), 임신회수(姙娠回數), 임신기간(姙娠其間), 출산시체중등(出産時體重等)의 제요인(諸要因)은 주산기사망(周産基死亡)에 대(對)하여 통계적(統計的)으로 유의(有意)한 영향을 미치고 있어 $25{\sim}29$세(歲)의 연령군에서, 2번째 임신과 2번째의 출산에서 그리고 만삭의 임신 기간에, 출산시체중(出産時體重) $
In this study we report a wet-etching-based fabrication method for adiabatic optical-fiber tapers (OFTs), and describe their adiabaticity and HE11 mode evolution at a wavelength of 1550 nm. The profile of the fabricated system satisfies the adiabaticity properties well, and the far-field pattern from the etched OFT shows that the fundamental HE11 mode is maintained without a higher-order mode coupling throughout the tapers. In addition, the measured far-field pattern agrees well with the simulated result. The proposed adiabatic OFTs can be applied to a number of photonic applications, especially fiber-chip packages. Based on the fabricated adiabatic OFT structures, the optical transmission to the inversely tapered silicon waveguide shows large spatial-dimensional tolerances for 1 dB excess loss of ~60 ㎛ (silicon waveguide angle of 1°) and insertion loss of less than 0.4 dB (silicon waveguide angle of 4°), from the numerical simulation. The proposed adiabatic coupler shows the ultrabroadband coupling efficiency over the O- and C-bands.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.2
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pp.93-100
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2009
This paper presents a step up four channel DC-DC converter using charge pump voltage doubler structure. Our goal is to design and implement DC-DC converter for capacitive SP4T RF MEMS switch in front end module in wireless transceiver system. Charge pump structure is small and consume low power 3.3V input voltage is boosted by DC-DC Converter to $11.3{\pm}0.1V$, $12.4{\pm}0.1V$, $14.1{\pm}0.2V$ output voltage With 10MHz switching frequency. By using voltage level shifter structure, output of DC-DC converter is selected by 3.3V four channel selection signals and transferred to capacitive MEMS devices. External passive devices are not used for driving DC-DC converter. The total chip area is $2.8{\times}2.1mm^2$ including pads and the power consumption is 7.52mW, 7.82mW, 8.61mW.
This paper describes a l0b CMOS A/D converter (ADC) for HDTV applications. The proposed ADC adopts a typical multi-step pipelined architecture. The proposed circuit design techniques are as fo1lows: A selective channel-length adjustment technique for a bias circuit minimizes the mismatch of the bias current due to the short channel effect by supply voltage variations. A power reduction technique for a high-speed two-stage operational amplifier decreases the power consumption of amplifiers with wide bandwidths by turning on and off bias currents in the suggested sequence. A typical capacitor scaling technique optimizes the chip area and power dissipation of the ADC. The proposed ADC is designed and fabricated in s 0.8 um double-poly double-metal n-well CMOS technology. The measured differential and integral nonlinearities of the prototype ADC show less than ${\pm}0.6LSB\;and\;{\pm}2.0LSB$, respectively. The typical ADC power consumption is 119 mW at 3 V with a 40 MHz sampling rate, and 320 mW at 5 V with a 50 MHz sampling rate.
Kim, Jae-Myeong;Park, Jeong-Gyu;Kim, Gyeong-Nam;Lee, Seung-Jae;Kim, Chang-Hae;Jang, Ho-Gyeom
Journal of the Korean Chemical Society
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v.50
no.3
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pp.237-242
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2006
Nowadays, LEDs has been applied to the luminescent devices of various fields because of the invention of high efficient blue chip. Recently, especially, the white LEDs composed of InGaN blue chips and a yellow phosphor (YAG:Ce3+) have been investigated extensively. With the exception of YAG:Ce3+ phosphor, however, there are no reports on yellow phosphor that has significant emission in the 450~470 nm excitation range and this LED system is the rather low color rendering index due to their using two wavelength. Hence, we have attempted to synthesize thiogallate phosphors that efficiently under the long wavelength excitation range in the present case. Among those phosphors, we have synthesized Sr2Ga2S5:Eu2+ phosphor by change the host material of SrGa2S4:Eu2+ which is well known phosphor and we investigated the luminescent properties. In order to obtain the harmlessness and simplification of the synthesis process, sulfide materials and mixture gas of 5 % H2/95 % N2 were used instead of the CS2 or H2S gas. The prepared phosphor shows the yellow color peaking at the 550 nm wavelength and it possible to emit efficiently under the broad excitation band in the range of 300~500 nm. And this phosphor shows high luminescent intensity more than 110 % in comparison with commercial YAG:Ce3+ phosphor and it can be applied for UV LED due to excitation property in UV region.
Emotion science is one of the rapidly expanding engineering/scientific disciplines which has a major impact on human society. Such growing interests in emotion science and engineering owe the recent trend that various academic fields are being merged. In this paper we review the recent techniques in the measuring the emotion related elements and applications which include animal model system to investigate the neural network and behaviour, artificial nose/neuronal chip for in-depth understanding of sensing the outer stimuli, metabolic controlling using emotional stimulant such as sounds. In particular, microfabrication techniques made it possible to construct nano/micron scale sensing parts/chips to accommodate the olfactory cells and neuron cells and gave us a new opportunities to investigate the emotion precisely. Recent developments in the measurement techniques will be able to help combine the social sciences and natural sciences, and consequently expand the scope of studies.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.50-50
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1999
마이크로 공정을 이용한 초소형 정밀 기계는 공정 기술과 재료 기술의 발전에 의하여 더욱 소형화되고 있으며 특히 기능을 갖는 부분과 이 부분을 제어하는 주변회로의 on-chip화의 요구가 증가되기 시작하였다. 이와 같은 추세에 있어서의 문제점은 초소형 정밀기계 부품 소자의 구동을 위한 에너지원의 개발이다. 즉, 소자의 크기가 작아진 것에 부합되는 초소형의 전지가 필요하게 된 것이다. 따라서 보다 완전한 초소형 정밀 기계 및 마이크로 소자의 구현을 위하여 마이크로 소자와 혼성 (Hybrid) 되어 이용될 수 있는 고성능 및 초소형의 전지의 개발이 필수적이다. 초소형 전지의 구현을 위하여 Li계의 2차 전지를 선택하여 이를 박막화하고 반도체 공정을 도입할 수 있다. 이러한 전지를 박막형 2차 전지 또는 박막형 마이크로 전지(thin film Secondary Battery : TFSB or Thin Film Micro-Battery : TFMB)라 하며 이러한 2차 전지는 일반적인 벌크 전지와 동일하게 cathode/Electolyte/Anode의 구조를 갖는다. 박막의 특성상 전해질은 고상의 물질을 사용하는 것이 벌크형 2차 전지와 다른 점이다. TFSB의 성능은 주로 cathode에 의하여 결정되며 지금까지 많은 cathode 물질에 대한 연구 보고가 발표되고 있다. 반도체 공정을 이용한 TFMB의 제작시 무엇보다 중요한 점은 우수한 고상 전해질 및 anode 물질의 선택에 있다. 최근에 2차 전지를 위한 carbon계 anode를 대체할 수 있는 SnO에 대한 보고가 있는데 이는 한 개의 Sn 원자당 2개 이사의 Li가 반응하여 높은 용량을 갖는 전지의 제작이 가능하기 때문이다. Sno2의 anode는 매우 높은 충전용량을 갖는데 첫 번째 방전시에 Li2O를 생성하여 비가역적 반응을 나타내고 계속되는 충방전 동안 Li-Sn 합금이 생성되어 2차전지의 가역적 반응을 가능하게 한다. SnO2 는 대기중에서 Li 금속보다 안정하기 때문에 전지의 제작 공정 및 사용 면에서 매우 우수한 물질이지만 아직까지 SnO2 구조적 특성과 전지의 충, 방전 특성에 대한 관계의 규명을 위한 정확한 정설은 제시되고 있지 못하다. 본 연구에서는 TFSB anode 물질로써 SnOx박막을 상온에서 여러 전도성 콜렉터 위에 증착하여 그 충, 방전 특성을 보고하였다. 증착된 SnOx박막의 표면은 SEM, AFM으로 분석하였으며 구조의 분석은 XR와 Auger electron spectroscope로 하였다. 충, 방전 특성을 분석하기 위하여 리늄 foil을 대극과 참조 전극으로 하여 EC:DMC=1:1, 1M LiPF6 액체 전해질을 사용한 Half-Cell를 구성하여 100회 이상의 정전류 충, 방전 시험을 행하였다. Half-Cell test 결과 박막의 구조, 콜렉터의 종류 및 Sn/O비에 따라 서로 다른 충, 방전 거동을 나타내었다.
Bus splitting technique reduces bus energy by placing modules with frequent communications closely and using necessary bus segments in communications. But, previous bus splitting techniques can not be used in MPSoC platform, because it uses cache coherency protocol and all processors should be able to see the bus transactions. In this paper, we propose a bus splitting technique for MPSoC platform to reduce bus energy. The proposed technique divides a bus into several bus segments, some for private memory and others for shared memory. So, it minimizes the bus energy consumed in private memory accesses without producing cache coherency problem. We also propose a task allocation technique considering cache coherency protocol. It allocates tasks into processors according to the numbers of bus transactions and cache coherence protocol, and reduces the bus energy consumption during shared memory references. The experimental results from simulations say the bus splitting technique reduces maximal 83% of the bus energy consumption by private memory accesses. Also they show the task allocation technique reduces maximal 30% of bus energy consumed in shared memory references. We can expect the bus splitting technique and the task allocation technique can be used in multiprocessor platforms to reduce bus energy without interference with cache coherency protocol.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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