• 대한전자공학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1286-1293
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• 1988

자기정렬 DMOS 트랜지스터의 채널 길이에 관한 수식을 2차원적인 Caussian 농도분포식으로부터 유도하였다. 본 논문에서는 제시된 채널 길이에 관한 수식은 기판의 농도, 이중확산된 각 영역의 표면 농도와 수직 접합 깊이의 함수로 이루어져 있으며, 계산된 실험치와 잘 일치하고 있다. 또한 고전압용 DMOS 트랜지스터에서 채널 punchthrough를 억제할 수 있는 최소 채널 길이를 채널영역의 평균농도를 이용하여 계산하였으며 소자 simulation을 통하여 최적의 채널 조건(채널농도분포 및 채널 길이)를 예측할 수 있음을 확인하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.283-284
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• 2012

In this work, a special technique called dielectric filling was carried out in order to reduce sub-threshold leakage current inside double-gated n-channel MOSFET. This calibration was done by using SILVACO Atlas(TCAD), and the result showed quite a good performance compared to the conventional double-gate MOSFET.

• 한국음향학회지
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• 제42권6호
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• pp.491-499
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• 2023

해수면 거칠기에 의해 해수면 산란이 발생하면 통신신호의 주파수 확산과 통신채널 시변동성을 야기하여 통신성능을 악화시킨다. 수면 거칠기에 따른 통신채널의 시변동성 차이를 비교하기 위하여 한양대학교 해양음향공학연구실 수조에서 실험을 수행하였다. 수조에서 인위적인 수면 거칠기를 생성하고 대역폭에 따른 차이를 비교하기 위하여 3가지 대역폭을 갖는 통신신호를 사용하였다. 측정된 수면 거칠기는 레일리 파라미터로 변환하여 거칠기에 대한 파라미터로써 사용하였으며, 수면 경로의 시변 채널 특성은 도플러 확산과 상관시간을 이용하여 통계적 분석을 수행하였다. 수면 경로의 도플러 확산은 통신신호의 반송 주파수와 대역폭의 영향을 보정한 가중 유효 도플러 확산(Weighted Root Mean Square Doppler spread, w_fσ_ν)을 사용하였다. 수면 경로의 상관시간과 직접 경로와 수면 경로의 에너지 비율을 이용하여 전체 채널의 상관관계를 모의하고 측정된 전체 채널의 상관시간과 비교하였다. 본 연구에서는 해수면 거칠기에 따른 해수면 경로의 시변 채널특성을 이용하여 임의의 해양환경에서 효율적인 통신신호 설계를 위한 방법을 제안한다.

• 벤처창업연구
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• 제6권4호
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• pp.75-94
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• 2011

이 연구는 기존연구를 토대로 인지욕구, 독특성욕구개념이 중소기업제품의 구매의도에 어떻게 작동하는지를 알아보고 또한 자기조절이 어떤 역할을 하는지를 조사하였다. 기존연구에 의하면 일반적으로 중소기업제품을 구매하지 않으려하는 가장 큰 이유는 품질측면에서의 문제점과 유통측면에서의 문제점으로 요약할 수 있다. 만약 이러한 문제점들이 어느 정도 해결되었을 때 중소기업제품에 대한 구매의도에서 개인적 특성변수들의 영향이 어떻게 변화하는지를 알아보았다. 또한, 개인적 특성변수들 특히 심리적인 변수들을 이용하여 어떤 중소기업제품군을 구매할 것인가, 가격대비 품질과 어떤 관련성이 존재할 것인가 하는 문제에 대해 분석하여 보았다. 기존의 연구에서는 인지욕구와 독특성욕구를 사용하여 분석하였으나 대부분은 단일차원을 가정하였다. 이 연구에서는 인지욕구와 독특성욕구의 단일차원측면이 아닌 다차원으로 가정하고 이들 차원들이 서로 상이하게 작동하는 것을 보여주었다. 특히 품질과 유통측면에서의 개선 후에 소비자들의 선택에는 인지욕구와 독특성욕구의 하위차원뿐만 아니라 자기조절 초점의 차원인 촉진초점과 방어초점 모두 긍정적인 역할을 하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 품질과 유통측면에서의 개선이 중소기업제품을 구매하는데 있어서의 일정수준 이상의 기대치를 만족시켜주는 것으로 해석할 수 있다. 개인적 특성변수들의 군집분석 결과는 기존의 연구들에서 보여주지 못하였던, 인지욕구, 독특성욕구, 자기조절의 하위차원들이 중소기업제품군의 구매의도에 관련되어 있는지를 보여주었고, 가격대비 품질을 강조하면 할수록 중소기업제품군에 대한 구매의도는 줄어드는 것을 보여주었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제37권5호
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• pp.1-9
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• 2000

본 논문에서는 이동 무선채널이 레일레이(Rayleigh) 분포된 다중경로 페이딩 채널(multipath fading channel)일 경우에 불완전 전력제어된 DS/CDMA 셀룰라 시스템의 역방향 링크에 대하여, 음영효과와 다중 경로 페이딩을 모두 고려한 확장된 DS/CDMA 블럭킹 확률식(blocking probability formula)을 유도한다. 음영효과(shadowing)만을 고려한 경우와 음영효과와 다중경로 페이딩을 모두 고려한 경우에 대하여 각각 얼랑용량과 등가 채널수를 비교 분석한다. DS/CDMA 블럭킹 확률은 각 사용자에 해당하는 E/sub b(i)//Ⅰ/sub 0/의 중간 값(median value)을 이용하여 얼랑용량과 간섭보정계수를 구하는 분석방법으로 계산한다. 2%의 블럭킹 확률을 가정하면 데이터를 R/sub b/=9.6 kbps에서는 19.97 얼랑, R/sub b/=14.4 kbps에서는 11.67 얼랑으로 음영효과만을 고려한 경우보다 각각 16%와 19%의 용랑이 감소함을 알 수 있다. 또한 다중경로 페이딩의 영향을 무시해서는 안된다는 것을 보이고 DS/CDMA 셀룰라 시스템이 지원할 수 있는 정확한 얼랑용량과 등가채널수를 제공한다.

• 센서학회지
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• 제31권4호
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• pp.271-277
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• 2022

We analyzed the effects of the interface trap on the output characteristics of an inversion mode n-channel GaN Schottky barrier (SB)-MOSFET based on the N_it distribution using TCAD simulation. As interface trap number density (N_it) increased, the threshold voltage increased while the drain current density decreased. Under N_it=5.0×10¹⁰ cm^-2 condition, the threshold voltage was 3.2 V for V_DS=1 V, and the drain current density reduced to 2.4 mA/mm relative to the non-trap condition. Regardless of the N_it distribution type, there was an increase in the subthreshold swing (SS) following an increase in N_it. Under U-shaped N_it distribution, it was confirmed that the SS varied depending on the gate voltage. The interface fixed charge (Q_f) caused an shift in the threshold voltage and increased the off-state current collectively with the surface trap. In summary, GaN SB-MOSFET can be a building block for high power UV optoelectronic circuit provided the surface state is significantly reduced.

• 복식문화연구
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• 제27권6호
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• pp.553-568
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• 2019

This study examined motivation to use omni-channel services on mobile devices in fashion stores and the effects of such usage motivation on brand purchase intention through continuous and affective commitment. Data were collected on consumers in their 20s and 30s who experienced omni-channel services during shopping for or purchasing fashion products. An online survey asked 413 consumers to rate their brand purchase intention. Sub-levels of each variable were examined using SPSS 25.0, followed by confirmatory factor analysis using AMOS 19.0. In addition, path analysis using structural equation modeling was applied to analyze associations between variables. The statistical results were mixed. First, only two dimensions of usage motivation for omni-channel services, hedonic and relational motivation, had positive effects on continuous and affective commitment. Second, continuous commitment had a greater effect on purchase intention of brands that provided omni-channel services than it did on affective commitment. Third, of the dimensions of usage motivation, utilitarian motivation had a direct influence on purchase intention in the modified model, while social motivation did not affect service commitment and purchase intention. Finally, our findings suggest that brand loyalty can be built by encouraging service commitments through hedonic and relational motivation, based on the usability of omni-channel services.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권1호
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• pp.15-19
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• 2010

In this paper, we discuss design considerations for an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a $0.35\;{\mu}m$ standard complementary MOSFET process for fabrication of the devices. The gates to the LAC doping overlap lengths were 0.5, 1.0, and $1.5\;{\mu}m$. The drain current ($I_{ON}$), transconductance ($g_m$), substrate current ($i_{SUB}$), drain to source leakage current ($i_{OFF}$), and channel-hot-electron (CHE) reliability characteristics were taken into account for optimum device design. The LAC devices with shorter overlap lengths demonstrated improved $I_{ON}$ and $g_m$ characteristics. On the other hand, the LAC devices with longer overlap lengths demonstrated improved CHE degradation and $I_{OFF}$ characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.133-133
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• 2008

Recently, as the down-scailing of field-effect transistor devices continues, Schottky-barrier field-effect transistors (SB-FETs) have attracted much attention as an alternative to conventional MOSFETs. SB-FETs have advantages over conventional devices, such as low parasitic source/drain resistance due to their metallic characteristics, low temperature processing for source/drain formation and physical scalability to the sub-10nm regime. The good scalability of SB-FETs is due to their metallic characteristics of source/drain, which leads to the low resistance and the atomically abrupt junctions at metal (silicide)-silicon interface. Nevertheless, some reports show that SB-FETs suffer from short channel effect (SCE) that would cause severe problems in the sub 20nm regime.[Ouyang et al. IEEE Trans. Electron Devices 53, 8, 1732 (2007)] Because source/drain barriers induce a depletion region, it is possible that the barriers are overlapped in short channel SB-FETs. In order to analyze the SCE of SB-FETs, we carried out systematic studies on the Schottky barrier overlapping in short channel SB-FETs using a SILVACO ATLAS numerical simulator. We have investigated the variation of surface channel band profiles depending on the doping, barrier height and the effective channel length using 2D simulation. Because the source/drain depletion regions start to be overlapped each other in the condition of the $L_{ch}$~80nm with $N_D{\sim}1\times10^{18}cm^{-3}$ and $\phi_{Bn}$ $\approx$ 0.6eV, the band profile varies as the decrease of effective channel length $L_{ch}$. With the $L_{ch}$~80nm as a starting point, the built-in potential of source/drain schottky contacts gradually decreases as the decrease of $L_{ch}$, then the conduction and valence band edges are consequently flattened at $L_{ch}$~5nm. These results may allow us to understand the performance related interdependent parameters in nanoscale SB-FETs such as channel length, the barrier height and channel doping.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.1069-1074
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• 2017

항복전압의 감소는 채널길이 감소에 의하여 발생하는 심각한 단채널 효과이다. 본 논문에서는 10 nm 이하 채널길이를 갖는 이중게이트 MOSFET에서 채널크기의 변화를 파라미터로 하여 채널도핑에 따른 항복전압의 변화를 고찰하였다. 이를 위하여 해석학적 전위분포에 의한 열방사 전류와 터널링 전류를 구하고 두 성분의 합으로 구성된 드레인 전류가 $10{\mu}A$가 될 때, 드레인 전압을 항복전압으로 정의하였다. 결과적으로 채널 도핑농도가 증가할수록 항복전압은 크게 증가하였다. 채널길이가 감소하면서 항복전압이 크게 감소하였으며 이를 해결하기 위하여 실리콘 두께 및 산화막 두께를 매우 작게 유지하여야만 한다는 것을 알 수 있었다. 특히 터널링 전류의 구성비가 증가할수록 항복전압이 증가하는 것을 관찰하였다.