프리젠티즘이란, 몸이 아픔에도 불구하고 회사에 출근을 한 상태로 사회적 비용이 질병휴식보다 훨씬 더 경제학적으로 손해라 알려져 있다. COVID-19 이후, 프리젠티즘에 대한 대응책으로 상병수당에 대한 사회적 논의가 이뤄지고 있으며 특히 농림어업인 근로자는 업무 이외 질병이 발생하였을 때 생계지원에 대한 제도적 장치가 부재한 상황이다. 본 연구에서는 제6차 한국근로실태조사를 이용하여 농업, 어업 및 임업종사자와 프리젠티즘과의 연관성을 살펴보고자 하였다. 2020년 10월부터 2021년 1월까지 국내 17개 시·도를 대상으로 수행된 제6차 근로환경조사 데이터를 사용하였으며 총 34,981명을 연구대상으로 하였다. 통제변수로는 성별, 연령, 자가 건강평가, 교육수준, 야간근무, 교대근무, 월소득, 직종, 주당 근로시간, 고용상태를 평가하였다. 분석결과 농림어업인은 자영업자, 고령자의 특성을 보였으며, 회귀분석 결과 농림어업인은 다른 산업 종사자에 비해 프리젠티즘 경향성과의 연관성을 분석하였을 때 모든 변수가 보정된 모델에서 농림어업인은 다른 산업 그룹에 비해 프리젠티즘 경향이 23% 증가하였다. 본 연구는 제6차 근로환경조사를 활용하여 대표성을 지닌다는 점, 상병수당에 있어 간과될 수 있는 농림어업인에 대하여 상병수당의 필요성을 객관적으로 제시하였다는 점에서 의의가 있다 할 것이다.
본 논문은 하드웨어 곱셈 연산을 최적화 한 리프팅 기반의 9/7 웨이블릿 필터의 VLSI 구조를 제안한다. 제안하는 구조는 범용 곱셈기를 사용하는 기존의 리프팅 기법과 달리 웨이블릿 계수에 패턴 탐색 기법의 Lef$\grave{e}$vre 알고리즘을 적용하였으며, MCM(Multiple constant multiplication)과 폴딩 방식을 9/7 DWT 필터에 적용하여 효율적으로 하드웨어 설계가 이루어 질수 있도록 제안하였다. 이러한 구조는 하드웨어 자원을 100% 활용하는 이점을 지니며, 이전의 성능에 비해 화질 열화 없이 단순한 하드웨어 구조, 속도, 면적, 전력소모 측면에서 효율적이다. 비교 실험을 위해 Verilog HDL을 통해 구현하였으며, $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 스탠다드 셀을 이용하여 합성하였다. 제안한 구조를 기존의 구조와 200MHz의 합성 타겟 클럭 주파수에서 비교하였을 때 면적, 전력소모 측면에서 60.1%, 44.1% 감소하였으며, 이를 통해 이전의 리프팅 기법에 비해 하드웨어 구현에 보다 최적화된 구조임을 보여준다.
In this work, we investigated the effects of temperature stress on flatband voltage (VFB) shifts of HfO2-SiO2 double gate dielectrics devices. Fig. 1 shows a high frequency C-V of the device when a positive bias for 10 min and a subsequent negative bias for 10 min were applied at room temperature (300 K). Fig. 2 shows the corresponding plot when the same positive and negative biases were applied at a higher temperature (473.15 K). These measurements are based on the BTS (bias temperature stress) about mobile charge in the gate oxides. These results indicate that the positive bias stress makes no difference, whereas the negative bias stress produces a significant difference; that is, the VFB value increased from ${\Delta}0.51$ V (300 K, Fig. 1) to ${\Delta}14.45$ V (473.15 K, Fig. 2). To explain these differences, we propose a mechanism on the basis of oxygen vacancy in HfO2. It is well-known that the oxygen vacancy in the p-type MOS-Cap is located within 1 eV below the bottom of the HfO2 conduction band (Fig. 3). In addition, this oxygen vacancy can easily trap the electron. When heated at 473.15 K, the electron is excited to a higher energy level from the original level (Fig. 4). As a result, the electron has sufficient energy to readily cross over the oxide barrier. The probability of trap about oxygen vacancy becomes very higher at 473.15 K, and therefore the VFB shift value becomes considerably larger.
Cowlard, Adam;Bittern, Adam;Abecassis-Empis, Cecilia;Torero, Jose L.
국제초고층학회논문집
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제2권1호
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pp.63-77
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2013
In any subject area related to the provision of safety, failure is typically the most effective mechanism for evoking rapid reform and an introspective assessment of the accepted operating methods and standards within a professional body. In the realm of tall buildings the most notable failures in history, those of the WTC towers, widely accepted as fire induced failures, have not to any significant extent affected the way they are designed with respect to fire safety. This is clearly reflected in the surge in numbers of Tall Buildings being constructed since 2001. The combination of the magnitude and time-scale of the WTC investigation coupled with the absence of meaningful guidance resulting from it strongly hints at the outdatedness of current fire engineering practice as a discipline in the context of such advanced infrastructure. This is further reflected in the continual shift from prescriptive to performance based design in many parts of the world demonstrating an ever growing acceptance that these buildings are beyond the realm of applicability of prescriptive guidance. In order for true performance based engineering to occur however, specific performance goals need to be established for these structures. This work seeks to highlight the critical elements of a fire safety strategy for tall buildings and thus attempt to highlight some specific global performance objectives. A survey of tall building fire investigations is conducted in order to assess the effectiveness of current designs in meeting these objectives, and the current state-of-the-art of fire safety design guidance for tall structures is also analysed on these terms. The correct definition of the design fire for open plan compartments is identified as the critical knowledge gap that must be addressed in order to achieve tall building performance objectives and to provide truly innovative, robust fire safety for these unique structures.
이 연구는 종합병원에 근무하는 간호사를 대상으로 간호사의 고객지향성을 파악하고 간호사가 인식한 간호조직문화와 고객지향성이 어떤 관계가 있는지를 분석하고자 한다. 2014년 10월 1일에서 15일까지 442부의 설문지를 선택하였고 SPSS 21.0 프로그램을 통해 분석하였다. 연구결과는 간호사가 인식한 각 간호조직문화 유형과 고객지향성은 양의 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 책임 간호사, 비교대 근무형태에서 유의한 결과가 나왔다. 또한 관계지향적 문화, 혁신적조직 문화, 위계지향적 문화 순으로 유의하게 나타났다. 따라서 병원 관리자들은 간호 조직 문화내의 내부 고객인 간호사에 대한 관심과 관리가 필요할 것이다.
중국 경제의 빠른 발전과 더불어 운송 서비스의 가장 중요한 역할을 하는 항공산업은 상당한 발전을 이루고 있다. 이러한 성장에도 불구하고 중국 항공산업에서 상위 항공사만을 대상으로 발전과정을 연구한 논문은 제한적이다. 이러한 측면에서 본 연구에서는 2009년에서 2018년 기간 동안 중국 상위 20위 항공사의 종단적 발전상황에 대한 실증적 연구를 수행하는 것을 연구의 목적으로 하였다. 연구의 방법은 집중도 분석, 허핀달-허쉬만 분석, 지니계수 분석, 전이할당 분석을 활용하였으며, 분석 자료는 물동량 및 여객수를 활용하였다. 집중도 분석, 허핀달-허쉬만 분석 및 지니계수 분석결과, 중국항공사는 탈 집중화 현상을 보이는 것으로 나타났다. 절대성장치 분석결과 중국 항공산업은 여객측면에서는 상위 4개의 항공사가 선점하고 있는 것을 확인할 수 있다. 향후연구에서는 여객 및 화물운송의 틈새시장을 찾는 성장전략 모색이 필요하다.
In this work, the effects of corner transistors in SOI MOSFETs were investigated. We fabricated SOI MOSFETs with various widths and a fixed length and characterized them. The SOI thickness was $4000{\AA}$ and the buried oxide(BOX) thickness was $4000{\AA}$. The isolation of active region was simply done by silicon etching and TEOS sidewall formation. Several undesirable characteristics have been reported for LOCOS isolation in fabrication on SOI wafers so far. Although we used an STI-like process instead of LOCOS, there were still a couple of abnormal phenomena such as kinks and double humps in drain current. Above all, we investigated the location of the parasitic transistors and found that they were at the corners of the SOI in width direction by high-resolution SEM inspection. It turned out that their characteristics are strongly dependent on the channel width. We made a contact pad through which we can control the body potential and figured out the dependency of operation on the body potential. The double humps became more prominent as the body bias went more negative until the full depletion of the channel where the threshold voltage shift did not occur any more. Through these works, we could get insights on the process that can reduce the effects of corner transistors in SOI MOSFETs, and several possible solutions are suggested at the end.
본 연구는 융복합 시대를 살아가는 간호사의 감정노동, 직무스트레스 및 소진이 신체화 증상에 영향을 미치는 요인을 규명하기 위해 실시되었다. 연구대상자는 D대학병원에 근무하는 간호사 총 387명을 대상으로 실시되었고, 연구기간은 2014년 4월 1일부터 4월 30일까지이었다. 간호사의 감정노동은 3.25점, 직무스트레스 3.60점, 소진 3.10점으로 중등도 이상의 점수를 보여주었고, 신체화 증상은 2.18점으로 나타났다. 신체화 증상에 영향을 미치는 일반적인 특성으로는 연령이 낮고, 배우자가 없는 경우, 교육수준이 낮을수록, 근무부서가 외과계와 응급실에 근무하는 경우, 총 임상경력이 낮을수록, 현 부서경력이 낮을수록, 일반간호사인 경우, 월 급여가 작을수록, 3교대 근무인 경우, 간호직에 대한 만족도가 낮을수록 신체화 증상 정도가 높았다. 또한 신체화 증상은 감정노동, 직무스트레스, 소진과 정적인 상관관계를 보여주었다. 신체화 증상을 설명하는 주요 변수는 소진으로 나타났으며, 신체화 증상을 29.6% 설명하였다. 따라서 간호사의 신체화 증상을 예방하고 감소하기 위해서는 소진을 최소화시킬 수 있는 방안이 마련, 적용되어야 할 것이다.
Transition metal dichalcogenide (TMD) with layered structure, has recently been considered as promising candidate for next-generation flexible electronic and optoelectronic devices because of its superior electrical, optical, and mechanical properties.[1] Scalability of thickness down to a monolayer and van der Waals expitaxial structure without surface dangling bonds (consequently, native oxides) make TMD-based thin film transistors (TFTs) that are immune to the short channel effect (SCE) and provide very high field effect mobility (${\sim}200cm^2/V-sec$ that is comparable to the universal mobility of Si), respectively.[2] In addition, an excellent photo-detector with a wide spectral range from ultraviolet (UV) to close infrared (IR) is achievable with using $WSe_2$, since its energy bandgap varies between 1.2 eV (bulk) and 1.8 eV (monolayer), depending on layer thickness.[3] However, one of the critical issues that hinders the successful integration of $WSe_2$ electronic and optoelectronic devices is the lack of a reliable and controllable doping method. Such a component is essential for inducing a shift in the Fermi level, which subsequently enables wide modulations of its electrical and optical properties. In this work, we demonstrate n-doping method for $WSe_2$ on poly-4-vinylphenol and poly (melamine-co-formaldehyde) (PVP/PMF) insulating layer and adjust the doping level of $WSe_2$ by controlling concentration of PMF in the PVP/PMF layer. We investigated the doping of $WSe_2$ by PVP/PMF layer in terms of electronic and optoelectronic devices using Raman spectroscopy, electrical measurements, and optical measurements.
본 논문은 플랫판넬 디스플레이 장치에 사용할 DC-DC 변환기의 설계에 관한 것이다. 6~14[V]의 단일 DC 전원전압으로부터 플랫 판넬 백바이어스용 -5[V] DC 전압 발생회로(Negative DC Voltage Generator)와 승압된 15[V], 23[V] DC 전압 발생회로, 그리고 강압된 3.3[V] DC를 얻기 위한 회로를 설계하였다. 또한 기준 전압원으로 사용하기 위한 밴드갭 회로와 발진기, 레벨변환기 회로, 고온보호 회로 등을 설계하였다. 제작공정은 부(-)전압으로 동작하는 회로와 기타 회로를 분리하기 위해서 트리플-웰(Triple-Well)구조가 적용된 공정 내압 30[V], 최소선폭 0.35[${\mu}m$], 2P_2M CMOS 공정을 사용하였다. 설계된 모든 회로는 시뮬레이션으로 검증하여 동작을 확인하였으며 원 칩으로 제작하여 플랫판넬 디스플레이 장치에 응용할 수 있도록 기능을 확보하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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