• 전기전자학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.206-211
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• 2021

본 논문에서는 열전에너지 하베스팅을 위한 자가 리셋(self-reset) 기능을 갖는 영점 전류 스위칭(Zero-Current Switching) 회로를 제안한다. 본 논문에서 제안하는 영점 전류 스위칭 회로는 전압비교기 회로에 자가 리셋 기능을 추가하여 전압비교기의 동작전류를 최소화함으로써 에너지 하베스팅 회로의 전력 소비를 줄이고 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있게 한다. 회로 시뮬레이션으로 본 논문에서 제안하는 영전 전류 스위칭 회로의 동작을 검증하고 성능을 평가한 결과, 열전에너지 하베스팅 회로의 출력전압-입력전압 비가 5.5 일 때, 기존의 영점 전류 스위칭 회로를 이용한 하베스팅 회로와의 비교를 통해서 본 논문의 하베스팅 회로의 전력효율이 3.4% 개선되는 것으로 평가된다. 본 논문에서 제안하는 영점 전류 스위칭 회로는 열전에너지 하베스팅의 응용 중에서 특히 저전력과 고에너지 효율 특성이 중요한 웨어러블, 바이오 헬스 관련된 하베스팅 회로의 성능 개선에 기여할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.159-161
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• 2000

After the square type reset pulse, the condition of remaining wall charge has been experimentally investigated in AC-PDP with VDS (Versatile Driving Simulator) system, in which arbitrary driving waveform and sequence can be used. After the self-discharge process, almost wall charges are eliminated. But some wall charges are not and its quantity is dependent on the voltage of the reset pulse. When the voltage of the reset pulse is growing, its quantity is decreased. But if the voltage of the reset pulse is above 300V, the wall voltage due to remaining wall charge is constant and its value is found out 6V. Also it is found that its polarity is always same with the one made by the reset pulse. It means that the polarity is not changed by the self-discharge.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2002년도 학술대회논문집
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• pp.29-33
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• 2002

Period which does an electric condition of panel in reset in the driving method of PDP is reset period. This research experimentally analyzed the priming discharge characteristic of reset period. The amount of wall charge and the accumulation time accumulated by priming discharge are unrelated to width of priming pulse. And, self-erase discharge has the relation in the amount of wall charge by priming discharge. Then, it relates also to space charge generated by priming discharge. Moreover, space charge which helps self-erase discharge exists to about 22$mutextrm{s}$ after generating priming discharge. And, it is suitable within 12$mutextrm{s}$ of priming pulse width for efficient reset.

• ETRI Journal
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• 제30권5호
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• pp.644-652
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• 2008

In this paper, a low-power CMOS interface circuit is designed and demonstrated for capacitive sensor applications, which is implemented using a standard 0.35-${\mu}m$ CMOS logic technology. To achieve low-power performance, the low-voltage capacitance-to-pulse-width converter based on a self-reset operation at a supply voltage of 1.5 V is designed and incorporated into a new interface circuit. Moreover, the external pulse signal for the reset operation is made unnecessary by the employment of the self-reset operation. At a low supply voltage of 1.5 V, the new circuit requires a total power consumption of 0.47 mW with ultra-low power dissipation of 157 ${\mu}W$ of the interface-circuit core. These results demonstrate that the new interface circuit with self-reset operation successfully reduces power consumption. In addition, a prototype wireless sensor-module with the proposed circuit is successfully implemented for practical applications. Consequently, the new CMOS interface circuit can be used for the sensor applications in ubiquitous sensor networks, where low-power performance is essential.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.17-22
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• 2003

본 연구에서는 mP의 ADS 구동방식에서 초기화기간의 프라이밍 방전 특성에 대하여 실험적인 해석을 하였다. 방전에 의해 축적되는 벽전하의 총량과 벽전하가 축적되는 시간은 프라이밍 펄스의 폭과 무관하다. 또한 과잉 벽전하에 의한 자기소거 방전은 프라이밍 방전에 의한 벽전하량과 관계가 있으며 또한 프라이밍 방전에 의해 생성되는 공간전하와도 관계가 있다. 실험결과 프라이밍 펄스 폭은 8[$\mu\textrm{s}$], 전압은 163[V] 정도가 최적이다. 그리고 자기소거방전을 돕는 공간전하는 파라이밍 방전이 발생한 직후로부터 약 16[$\mu\textrm{s}$] 동안 존재한다. 그러므로 효과적인 초기화 과정을 위한 프라이밍 펄스의 폭은 16[$\mu\textrm{s}$] 이내가 적당하다.

• 전기전자학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.440-446
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• 2015

본 연구는 안테나에 커플링되는 협대역 고출력 전자기파에 대한 저 잡음 증폭기(LNA)의 민감성 특성을 알아보았다. LNA 소자의 오동작/파괴는 MFR/DFR((Malfunction Failure Rate/Destruction Failure Rate)을 이용하여 소자의 민감성을 확인하였다. 그리고 LNA 소자의 내부 칩 상태는 Decapsulation 분석을 이용하여 손상부위를 관찰하였다. 협대역 고출력 전자기파 장치는 2.45 GHz 마그네트론을 사용하였고, LNA의 민간성 레벨은 협대역 고출력 전자기파의 전계강도에 따라 오동작/파괴율을 평가하였다. 그 결과, LNA 소자의 오동작은 셀프리셋(Self Reset)과 파워리셋(Power Reset)의 형태로 나타내었고, 이때 오동작 임계 전계강도는 각각 524 V/m, 1150 V/m로 측정되었다. 그리고 LNA의 소자의 파괴 임계 전계강도는 1530 V/m이다. 협대역 고출력 전자기파에 의한 LNA 소자의 내부 칩 파괴는 본드와이어, 온칩와이어 그리고 컴포넌트 세가지 형태로 관찰되었다. 이 결과로, 협대역 고출력 전자기파에 의한 반도체 전자회로의 내성평가 자료로 활용할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.89-96
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• 2020

본 논문은 시스템 내부에서 소프트웨어 오류가 발생하였을 경우 컨트롤러 내의 Watchdog Timer를 이용하여 시스템의 상태를 오류 발생시점 이전 상태로 복구하는 시스템을 설계 구현하고, 하드웨어 오류 발생 시 별도의 리셋 회로를 통해 시스템을 재실행할 수 있는 기술을 제안한다. 제안 시스템은 외부 지원 없이 시스템 자체적으로 반영구적으로 작동 할 수 있도록 함으로써, 시스템의 안정적인 작동, 유지비용 절감 및 신뢰성을 제공하며, 고 신뢰성 응용분야에서 요구되는 자가 동작, 진단 및 복구 기능을 통한 시스템의 항상성 유지를 위한 적용이 가능하다.

• 대한가정학회지
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• 제38권6호
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• pp.43-57
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• 2000

The purposes of this study were 1) to identify the effects of psychological characteristics and peer acceptance on female adolescents'clothing behaviors(clothing attitudes and preference for up-to-date style), and 2) to determine the differences in psychological characteristics and clothing behaviors among subject groups classified by sociometric status. The questionnaires dealing with public/private self-consciousness, adolescent egocentrism, self-efficacy and clothing behaviors were adapted from precious studies. Peer acceptance was measured using Coie and Dodge(1983) method. The data were collected from 485 middle and high school girls living in Seoul, Korea. From the results of multiple regression of psychological characteristics and peer acceptance on clothing behaviors, clothing sexual attractiveness, clothing exhibition, and clothing importance were found to be influenced by public self-consciousness, adolescent egocentrism and peer acceptance. Fashion leadership and psychological dependence were influenced by egocentrism and self-efficacy. Preference for up-to-date style was influenced by egocentrism, public self-consciousness and self-efficacy. One-way ANOVA was used for analyzing the differences in research variables among subject groups classified by sociometric status. From the reset of middle school girls it was revealed that ignored group showed the highest score in clothing importance, whereas both popular group and rejected group showed the lowest score in social self-efficacy. In high school girls, controversial group showed the highest scores in adolescent egocentrism, fashion leadership, and preference for up-to-date style.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 2003년도 학술대회 논문집
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• pp.143-145
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• 2003

External shunt resistor is used in Nb/AlOx/Nb Josephson junction which is basic component of RSFQ circuit. This is to increase damping and to make the so called 'self-reset' optimized for high speed operation. In this study, we fabricated and investigated sheet resistance of Pd and PdAu thin film, and simulated the inductance effect of the shunt resistor to the Josepshon junction dynamics.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권6호
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• pp.297-301
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• 2006

In the present work, we investigate the characteristics of new composition material, chalcogenide $Ge_1Se_1Te_2$ material in order to overcome the problems of conventional PRAM devices. The Tc of $Ge_1Se_1Te_2$ bulk was measured $231.503^{\circ}C$ with DSC analysis. For static DC test mode, at low voltage, two different resistances are observed. depending on the crystalline state of the phase-change resistor. In the first sweep, the as-deposited amorphous $Ge_1Se_1Te_2$ showed very high resistance. However when it reached the threshold voltage(about 11.8 V), the electrical resistance of device was drastically reduced through the formation of an electrically conducting path. The phase transition between the low conductive amorphous state and the high conductive crystal]me state was caused by the set and reset pulses respectively which fed through electrical signal. Set pulse has 4.3 V. 200 ns. then sample resistance is $80\sim100{\Omega}$. Reset pulse has 8.6 V 80 ns, then the sample resistance is $50{\sim}100K{\Omega}$. For such high resistance ratio of $R_{reset}/R_{set}$, we can expect high sensing margin reading the recorded data. We have confirmed that phase change properties of $Ge_1Se_1Te_2$ materials are closely related with the structure through the experiment of self-heating layers.