• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권2호
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• pp.137-144
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• 2008

본 논문에서는 위상 잡음 특성을 개선하기 위하여 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로를 이용한 전압 제어 발진기를 제안하였다. 위상 잡음은 2차, 3차 고조파 모두에서 단락 임피던스를 갖는 고조파 조절 회로를 통하여 억제되었으며, 출력 정합 회로에 연결되었다. 또한 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 더욱 더 개선하기 위하여 마이크로스트립 사각 개방 루프 다중 SRR를 이용하였다. 위상 잡음 특성 개선을 위하여 높은 Q값을 갖는 공진기 대신에 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로를 이용하였기 때문에 낮은 Q값을 갖는 공진기를 통하여 넓은 주파수 조절 범위를 얻을 수 있다. 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로와 마이크로스트립 사각 개방 루프 다중 SRR를 이용한 제안된 전압 제업 발진기의 위상 잡음 특성은 주파수 조절 범위, $5.744{\sim}5.839$ GHz에서 $-127.5{\sim}-126.33$ dBc/Hz @ 100 kHz이다. 고조파 조절 회로가 없는 출력 정합 회로와 마이크로스트립 선로 공진기를 이용한 전압 제어 발진기와 비교했을 경우, 제안된 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성은 26.66 dB 개선되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.130-134
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• 2008

본 논문에서는 1/4-레이트 기법을 사용한 클록 데이터 복원회로를 제안하였다. 제안한 클록 데이터 복원회로를 사용함에 따라 VCO의 발진 주파수를 낮추므로 고속 동작에 유리하다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 기존 클록 데이터 복원회로 보다 낮은 지터 특성과 넓은 풀인(pull-in) 범위를 갖는다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 1/4-레이트 뱅-뱅 형태의 오버샘플링 위상 검출기, 1/4-레이트 주파수 검출기, 2개의 전하펌프 회로와 저역 통과 필터 그리고 링 VCO회로로 구성되어 있다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 $0.18{\mu}m$ 1P6M CMOS 공정으로 설계되었고, 칩 면적과 전력 소모는 $1{\times}1mm^2$, 98 mW 이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.485-487
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• 2006

This paper describes a frequency synthesizer designed in a $0.25{\mu}m$ CMOS technology for using local oscillators for the IF stages. The design is focused mainly on low-power characteristics. A simple ring-oscillator based VCO is used, where a single control signal can be used for variable resistors. The designed PLL includes all building blocks for elimination of external components, other than the crystal, and its operating frequency can be programmed by external data. It operates in the frequency range of 250MHz to 800MHz and consumes l.08mA at 500MHz from a 2.5V supply. The measured phase noise is -85dBc/Hz in-band and -105dBc/Hz at 1MHz offset. The die area is $1.09mm^2$

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.273-279
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• 2013

평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 본 논문에서는 분리형 링 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8GHz 대역의 발진기를 설계, 구현하였다. 발진기의 특성은 5.8GHz 기본 주파수에서 7.22dBm의 출력과 -83.5 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 이것은 ${\lambda}$/4 마이크로스트립 공진기를 이용한 것보다 위상잡음 특성이 9.7dB 정도 개선되었다. 제안된 공진기의 구조적 장점은 공진기의 갭 사이에 버랙터 다이오드 실장이 용이하여 전압으로 공진기의 발진주파수를 가변할 수 있기 때문에 VCO의 설계가 가능하다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 발진기 설계에 응용될 수 있을 것이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.1581-1586
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• 2012

평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 본 논문에서는 링형 DGS 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8GHz 대역의 발진기를 설계하였다. 링형 DGS 공진기는 $50{\Omega}$ 전송선로 밑면에 링 모양으로 식각된 접지면을 갖는 구조이다. 발진기의 특성은 5.8GHz 기본 주파수에서 6.1dBm의 출력과 -82.7 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 이것은 ${\lambda}/4$ 마이크로스트립 공진기를 이용한 것보다 위상잡음 특성이 9.5dB 정도 개선되었다. 제안된 공진기의 구조적 장점은 에칭된 갭 사이에 버랙터 다이오드 실장이 용이하여 전압으로 공진기의 발진주파수를 가변할 수 있기 때문에 VCO의 설계가 가능하다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 발진기 설계에 응용될 수 있을 것이다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제45권4호
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• pp.1-6
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• 2008

본 연구에서는 MB-OFDM UWB 응용을 위하여 복잡도를 낮추고 전력소모를 줄인 고속 스위칭 주파수 합성기를 다룬다. 제안된 구조는 밴드 그룹 1 주파수를 생성하기 위하여 3960 MHZ LC VCO, 528 MHz 링 오실레이터, 수동 믹서 및 LC-조정 Q-향상 BPF를 사용한다. 인접 채널 제거비는 3432 MHz 신호에서 -40 dBc 이하, 그리고 4488 MHz 신호에서 -44 dBc 이하의 특성을 확인하였다. 요구되는 출력 신호를 얻기 위하여 SCL 구조의 고속 스위칭 MUX를 사용하여 2.2 ns 이하의 밴드 스위칭 시간을 얻었다. 전체 전력 소모는 1.8 V 전원을 사용하여 47.9 mW이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.2589-2594
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• 2012

평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 본 논문에서는 링형 DGS 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8 GHz 대역의 발진기를 설계, 구현하였다. 링형 DGS 공진기는 $50{\Omega}$ 전송선로 밑면에 링 모양으로 식각된 접지면을 갖는 구조이다. 발진기의 특성은 5.8 GHz 기본 주파수에서 6.1 dBm의 출력과 -82.7 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 제안된 DGS 공진기의 에칭된 갭 사이에 버랙터 다이오드 실장하여 전압제어 발진기를 설계하였다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 발진기 설계에 응용될 수 있을 것이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권1호
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• pp.99-106
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• 2012

For CMOS technology of 65 nm and beyond, the gate leakage current can not be negligible anymore. In this paper, the impact of the gate leakage current in ring voltage-controlled oscillator (VCO) on phase-locked loop (PLL) is analyzed and modeled. A voltage -to-voltage (V-to-V) circuit is proposed to reduce the voltage ripple on $V_{ctrl}$ induced by the gate leakage current. The side effects induced by the V-to-V circuit are described and optimized either. The PLL design is based on a standard 65 nm CMOS technology with a 1.8 V power supply. Simulation results show that 97 % ripple voltage is smoothed at 216 MHz output frequency. The RMS and peak-to-peak jitter are 3 ps and 14.8 ps, respectively.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권7호
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• pp.18-27
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• 1997

A CMOS 950 MHz frequency synthesizer is designed and fabricated in a 0.8.mu.m standard CMOS process for IS-95-A CDMA mobile communication transceivers To utilize a CMOS ring VCO in a CDMA wireless communication receisver, we employed a QDC (quasi-direct conversion) receiver architecture for CDMA applications. Realized RF frequency synthesizer used as the RF local oscillator for a QDC receiver exhibits a phase noise of -92 dBc/Hz at 885kHz offset from the 950.4 MHz carrier, which complies with IS-95-A CDMA specification. It has a rms jitter of 23.7 ps, and draws 30mA from a 5V supply. Measured I/Q phase error of the 950.4 output signals is 0.7 degree.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권3호
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• pp.153-159
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• 2009

A CMOS frequency synthesizer for $5{\sim}6$ GHz UNII-band sub-harmonic direct-conversion receiver has been developed. For quadrature down-conversion with sub-harmonic mixing, octa-phase local oscillator (LO) signals are generated by an integer-N type phase-locked loop (PLL) frequency synthesizer. The complex timing issue of feedback divider of the PLL with large division ratio is solved by using multimodulus prescaler. Phase noise of the local oscillator signal is improved by employing the ring-type LC-tank oscillator and switching its tail current source. Implemented in a $0.18{\mu}m$ CMOS technology, the phase noise of the LO signal is lower than -80 dBc/Hz and -113 dBc/Hz at 100 kHz and 1MHz offset, respect-tively. The measured reference spur is lower than -70 dBc and the power consumption is 40 m W from a 1.8 V supply voltage.