• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1145-1146
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• 2015

In this study, HAZO thin films were deposited on glass substrates at room temperature via co-sputtering with RF magnetron sputter. The effects of additive oxygen gas in sputtering on the structural and optical characteristics of HAZO thin films were investigated using X-ray diffraction and UV/Vis spectrometer. The experimental results confirmed that the hafnium oxides formed in the HAZO films when they were deposited with oxygen gas, which affected on the structure and transmittance of the films.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.355.1-355.1
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• 2014

Zirconium nitride (ZrN)는 높은 녹는점과 기계적 강도 그리고 내식성을 가져 부품 산업계에서 hard coating에 이용된다. 또한 금속과 같은 전기 전도성을 가지므로 초고집적소자의 확산방지막에 이르기까지 많은 응용이 되고 있다. 본 실험에서는 Si 기판 위에rf magnetron sputter를 사용하여 Zr박막을 증착 하였으며 질소 유량을 변화시키며 Zirconium nitride 박막을 증착하였다. 증착된 박막의 질소 유량변화에 따른 nano-electrotribology 특성변화를 관찰하기 위해 nano-indenter를 사용하였다. 또한 Weibull statistics을 사용하여 박막의 균일성을 검증하였다. 질소 유량이 각각 0, 0.5, 5 sccm으로 증가하는 동안 surface hardness는 12.37, 10.49, 12.14 GPa로 변화하였다. 이때, 박막의 elastic modulus는 175.27, 163.94, 172.18 GPa로 각각 변화하였다. 이러한 결과는 질소 유량에 따라zirconium nitride가 여러 상으로 생성되는 것으로 해석할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.124-125
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• 2005

ZnS:Mn thin films have attracted great interest as electroluminescence devices. In this study, inductively coupled BCl$_3$/Ar plasma was used to etch ZnS:Mn thin films. We obtained the maximum etch rate of ZnS:Mn thin films was 2209 ${\AA}$/min at a BCl$_3$(20%)/Ar(80%) gas mixing ratio, an RF power of 700 W, a DC bias voltage of-250 V, a total gas flow of 20 sccm, and a chamber pressure of 1 Pa. It was proposed that sputter etching is dominant etching mechanism while the contribution of chemical reaction is relatively low due to low volatility of etching products.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.423-423
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• 2012

ZnO, SnO2, In2O3:Sn와 같은 투명하고 전도성이 있는 박막은 panel display, 전자발광소자, 박막트랜지스터, 태양전지 등의 전극물질로서 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 전극 물질을 이용하는 광전자소자의 성능을 개선하기 위해서는 가시광선영역에서 광투과율이 높고, 전기전도도가 좋아야 한다. 최근 ZnO, SnO2, In2O3, MgO, Ga2O3 등으로 이루어진 3원 또는 다원화합물로 제조된 산화물 박막이 새로운 투명한 전도성 박막으로 많은 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 Ga2O3 박막을 radio-frequency magnetron sputtering 방법을 이용하여 증착하였다. 기존에 사용되던 ceramic target을 개선하여 powder target을 사용하였다. 반응가스는 순수하게 Ar 가스만 사용하였고, Sapphire(0001) 기판을 사용하였다. 초기에는 flat한 layered 구조로 증착이 이루어졌으나, 증착시간이 20분이 지나면서부터는 밤송이 모양을 가지는 나노구조체가 생성되기 시작하였고, 이후 나노 밤송이의 밀도가 점차 증가하였다. Ga2O3 나노 밤송이의 특성에 대하여 발표할 예정이다.

• 한국표면공학회지
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• 제46권2호
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• pp.61-67
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• 2013

Thin film solar cells have attracted much attention due to their high cell efficiency, comparatively low process cost, and applicability to flexible substrates. In particular, CIGS solar cells have been widely studied and produced because they demonstrated the highest cell efficiency. However, the deposition process of CIGS films generally includes the selenization process conducted at elevated temperature using toxic $H_2Se$ gas. To avoid this selenization process, CIGS thin films were, in this study, deposited by RF sputtering using single composite CIGS target. In addition, the effects of sputtering bias voltage and heat treatment on the microstructural and morphological changes in deposited CIGS films were investigated and discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.378-380
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• 2005

Diamond like carbon (DLC) films are known that they show homogeneous alignment property when they are irradiated by Ar ion beam. The DLC films in most of studies were deposited by CVD and contain large mount of hydrogen. In order to identity the hydrogen effect on alignment property, DLC films is deposited by RF magnetron sputter using various ratio of Ar and H2 as reactive gas. DLC films are characterized by FT-IR, Raman and contact angle. Alignment property is estimated by measuring pretilt angle.

• 한국결정학회지
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• 제10권2호
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• pp.136-144
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• 1999

고주파 마그네트론 스퍼터법을 이용한 Al:ZnO(AZO) 박막 증착시, 증착 조건에 따른 미세구조 변화를 조사하였으며, 이를 전기적 광학적 성질과 상관하여 고찰하였다. 박막은 기판 온도가 증가함에 따라 c축이 기판표면에 수직으로 놓이는 주상구조로 성장하였으며, 스퍼터 파워가 증가함에 따라 증착 속도와 입자의 크기가 증가한 반면 결정성은 저하되었다. 증착된 박막은 가시광선영역에서 85% 이상의 광 투과도를 나타내었으며 Al 첨가에 의해 광학적 밴드갭이 약 0.15 eV 증가하였다. 주상구조로 성장한 입자들은 저각 입계(low angle grain boundary)와 특수 입계(special grain boundary)를 형성하였으며, 특히 Σ=7 [001] (210)A/(110)B 입계의 규칙적인 원자배열 및 원자이완을 HRTEM을 이용하여 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.196-196
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• 2013

가시광 영역에서의 높은 투과도와 낮은 전기 비저항을 갖는 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 현재 Display, Solar Cell, LED, Smart Phone 등 최첨단 IT산업에서 가장 많이 사용되고 있는 투명전극소재이다. IBD (Ion Beam Deposition)방법은 박막의 증착 방법 중 Plasma에서 독립적으로 이온만을 빔의 형태로 조사하여 박막을 증착하는 방법으로 기존 RF 또는 DC 스퍼터방법에 비해서 상대적으로 높은 진공도(low 10E-04 torr)와 비교적 높은 스퍼터 된 입자의 에너지를 가지는 등의 장점으로 증착 된 박막의 밀도, 거칠기가 향상되고 상대적으로 적은 결함을 가지는 박막의 제작에 사용되고 있는 기술이다. (주)인포비온에서는 IBD 기술과 더불어 표면만을 선택적으로 가열할 수 있는 EBA Technology를 사용하여 박막에 Energy를 전달하고, 이를 바탕으로 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적인 특성의 변화를 관찰 연구했다 [1]. 본 연구에서는 기존의 Sputter 방법과 IBD 방법으로 증착 된 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적인 특성 변화를 비교 관찰하였고, EBA 후처리로 ITO 박막을 상온에서 처리하여, 박막의 투과도, 면 저항, 미세구조의 변화를 관찰하였다. 각 특성의 변화는 UV-VIS, 4Point-Probe, TEM을 사용하여 분석하였고, 처리 전, 후의 박막의 결합에너지는 XPS로, 박막의 조성변화는 SIMS를 이용하여 각각 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.71-75
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• 2014

To observe the optical characteristic of oxide semiconductor depending on the degree of bonding structures, SiOC, ZnO and IGZO were prepared by the RF magnetron sputter system and chemical vapor deposition. Generally, crystal ZnO, amorphous SiOC and IGZO changed the optical characteristics in according to the electro-chemical behavior due to the oxygen vacancy at an interface between different groups. Transmittance of SiOC and IGZO with amorphous structures was higher than that of ZnO with crystal structure, because of lowering the carrier concentration due to the recombination of electron and holes carriers as oxygen vacancies. Besides, the energy gap of amorphous SiOC and IGZO was higher than the energy gap of crystal ZnO. The diffusion mobility of holes is higher than the drift mobility of electrons.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.286-291
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• 2003

(Pb,Sr)TiO$_3$(PST) thin films have attracted great interest as new dielectric materials of capacitors for Gbit dynamic random access memories. In this study, inductively coupled CF$_4$/Ar plasma was used to etch PST thin films. The maximum etch rate of PST thin films was 740 $\AA$/min at a CF$_4$(20 %)/Ar(80 %) 9as mixing ratio, an RF power of 800 W, a DC bias voltage of -200 V, a total gas flow of 20 sccm, and a chamber pressure of 15 mTorr. To clarify the etching mechanism, the residue on the surface of the etched PST thin films was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that Pb was mainly removed by physically assisted chemical etching. Sputter etching was effective in the etching of Sr than the chemical reaction of F with Sr, while Ti can almost removed by chemical reaction.