• Journal of the Korean Academy of Child and Adolescent Psychiatry
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• 제7권1호
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• pp.14-22
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• 1996

본 연구에서는 소아 청소년 진료를 전문으로 하는 서울소재 한 개인 신경정신과에 내원한 환자들의 내원시의 주문제, 진단 및 기타 관련 변인들의 분포와 관계를 알아보았다. 약 4년여 기간동안 내원한 18세이하의 환자 2785명의 병록지를 조사해본 결과 남아가 여아보다 2.7배 많았으며, 연령은 만 6세까지가 전체의 약 64%를 차지하였고 특히 만 3세까지가 가장 많았고 취학연령이후의 환자 수는 일정하게 감소하였다 형제 수는 평균 1.95명이었으며, 출생순위는 맏이의 비율이 가장높았다. 특히 형제수가 한명일 때의 남아, 형제수가 세명 혹은 그 이상일 때의 여아의 내원율이 높았다. 내원시의 주문제는 언어결함, 행동과잉, 자폐적 행동, 틱증상, 적대행동, 학습문제 등이 높은 빈도를 기록하였다 진단분포는 부모-자녀 문제, 정신지체, 발달성 언어장애, 반응성 애착장애, 기타 정서장애, 전반적 발달장애 등의 순서로 높은 빈도를 보였다. 실시된 치료의 종류로는 정신치료. 놀이치료, 부모면담, 작업치료. 언어치료의 순으로 빈도가 높았다. 이상의 결과를 최근의 선행 연구에서 보고된 연구결과들과 비교하고 논의하였다.

• 전기화학회지
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• 제3권2호
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• pp.115-120
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• 2000

양극 물질로 산화바나듐 박막, 고체전해질로는 LiPON 박막 그리고 음극 물질로는 리튬 금속 박막을 선택하여 $Li/LiPON/V_2O_5/Pt$ 구조의 전고상 박막 전지를 제작하였고 전지 특성을 평가하였다. 산화바나듐 박막은 여러 산소 분압에서 직류 반응성 스퍼터링으로 증착하여 전기화학적 특성을 분석한 결과 $20\%\;O_2/Ar$비에서 가장 우수한 가역 특성을 나타내었다. 직류 반응성 스퍼터링에 의해 산화바나듐 박막을 제작한 후 진공을 그대로 유지한 상태에서 r.f. 반응성 스퍼터링에 의해 LiPON 고체전해질 박막을 증착하였다. 그 후 dry room내에서 진공 열증착법에 의해 리튬 금속 박막을 증착하여 전고상의 박막 전지를 제작하였다. $Li/LiPON/V_2O_5$ 박막 전지를 전압 범위와 전류 밀도를 변화시켜 충방전 시험을 행한 결과 $7{\mu}A/cm^2$의 전류 밀도와 3.6-2.7 V의 전압범위에서 가장 우수한 가역 특성을 나타내었다. $Li/LiPON/V_2O_5$박막 전지로 초시계를 구동 시켰으며 이는 in-situ공정에 의해 제작된 박막 전지가 소자 에너지원으로의 응용 가능성을 보여 주었다.

• 미생물학회지
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• 제32권3호
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• pp.222-231
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• 1994

Saccharomyces cerevisiae에서 얻은 purine nucleoside phosphorylase (PNP)의 반응 기작을 밝히기 위해 반응속도론적 분석이 수행되어졌다. 반응기작에 PNP${\cdot}$phosphate와 PNP${\cdot}$ribose 1-phosphate의 binary complex가 형성되는 것으로 추정되어진다. Initial velocity와 product inhibition study의 결과는 반응이 ordered bi, bi reaction으로 일어난다는 것과 일치하고 있다. 두 개의 기질중 무기인산이 효소에 먼저 붙고, 그 다음에 nucleoside, 그리고 base가 효소를 떠나는 첫 번째 생성물이고 마지막으로 ribose 1-phosphate가 생성되고 효소는 원래의 상태로 돌아간다. 반응속도론적 분석에 이해 제안된 작용기작은 sulfhydryl reagents인 p-chloromercuribenzoate(PCMB) and 5,5'-dithiobisnitrobenzoate (DTNB)에 의한 효소의 불활성화에 대한 기질으 보호작용의 결과와 일치하고 있다. PNP는 ribose 1-phosphate와 phosphate에 의해 보호되지만 nucleoside나 base에 의해서는 아무런 효과과 없다는 사실은 반응 순서가 효소에 무기인산이 먼저 붙는 ordered bi, bi 기작이라는 것을 지지하고 있다. PCMB 나 DTNB에 의해 불활성화된 PNP는 dithiothreitol(DTT)에 의해서는 활성이 완전히 회복되고 2-mercaptoethanol에 의해서는 77%의 활성이 회복된다는 사실은 효소의 불활성화가 가역적이라는 것을 시사하고 있다. PCMB에 의해 불활성화된 효소는 inosine이 변화하는 기질일때 정상효소보다 높은 $K_m$과 낮은 $V_m$ 값을 보여주고 이런 현상은 DTT 처리시 원래의 상태로 돌아온다. DTNB에 의해 불활성화된 효소는 PCMB 처리시와 비슷하게 정상효소보다 높은 $V_m$ 값을 보이지만 $V_m$ 값은 큰 변화가 없다. S. cerevisiae PNP에서 발견되는 높은 무기인산의 농도에서의 하위단위체간의 음성적 협동성이 PCMB나 DTNB를 처리한 PNP에서는 보이지 않았다.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제35권4호
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• pp.251-267
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• 2008

본 논문에서 비구조적 피어투피어 망을 위한 적은 검색 시간을 가지는 최적화된 위상을 구성하는 분산된 위상 제어 알고리즘을 제안한다. 각 노드는 높은 검색 적중률을 가지는 최적의 노드들을 노드 자신의 적중률에 지수적으로 비례하는 수만큼 선택하고, 그들과 연계한다. 총체적 거동은 자연계에서는 볼 수 있는, 각 입자의 에너지 준위에 따라 입자들이 결합되는 재결정 현상과 결과적으로 거의 유사하다. 구성된 위상의 노드들의 적중율들 사이에는 부분 순서(Partial-order) 관계가 있다. 그러므로, 질의 메시지가 노드를 방문하는 경우에, 그 노드는 항상 직전에 방문하였던 노드들 보다 더 높은 적중률을 가지고 있다. 또한, 무위도식(Freeloader) 노드로부터 보내진 질의 메시지는 한 홉 전달에 의해, 무위도식하지 않은 노드들로 전달될 수 있고, 그것은 다시는 무위도식하는 노드들을 방문하지 않는다. 이처럼 검색은 제한된 지연시간 안에 이루어진다. 또한, 본 논문에서는 이 위상을 활용하여 효과적인 연쇄반응적 검색 방법을 제안한다. 그러한 제어된 다중 전송 방식은, 방송을 사용하는 방식 보다 질의 메시지들의 수를 43 퍼센트만큼 줄이며, 검색시간을 94 퍼센트 절감한다. 제안된 방안의 검색 성공률은 99 퍼센트이다.

• 생명과학회지
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• 제30권6호
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• pp.513-521
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• 2020

Bmi1은 PcG 단백의 일종으로 PRC를 구성하는 성분이다. Bmi1에 관한 초기의 연구는 주로 암세포에서의 역할에 집중되었고, 그 결과 Bmi1은 암세포의 증식과 생존에 중요한 역할을 하는 것으로 받아들여지고 있다. 그러나, 최근의 연구 결과 Bmi1은 퇴행성 신경계 질환이 있는 뇌에서 발현이 감소되어 있고 미토콘드리아의 기능과 활성 산소 수준을 조절하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Bmi1 발현 저하 동물을 이용하여 간질에서 Bmi1의 약물 치료 표적 가능성을 밝히고자 하였다. Bmi1의 발현은 pilocarpine에 의한 경련중첩증 이후 해마의 CA1, CA3 그리고 치상회에서 뚜렷하게 증가하였다. 경련 양상을 볼 때 경련중첩증이 유도되는 비율은 Bmi1^+/+와 Bmi1^+/- 생쥐에서 각각 43.14%와 53.57%로 나타났다. 그러나, 치사율과 해마의 신경세포 손상에는 두 군 간에 통계적으로 유의한 차이를 보이지 않았다. 경련중첩증 유도 2개월 후에 나타난 간질 경련의 빈도수는 통계적 유의성은 없었으나 Bmi1^+/- 생쥐에서 약 50% 낮게 나타났다. 반면, 이끼섬유발아는 Bmi1^+/- 생쥐에서 통계적으로 유의하게 증가하였다. 이러한 결과를 종합하면, Bmi1의 발현이 감소할 때 pilocarpine에 의한 경련 유도와 이끼섬유발아가 증가함을 보여준다.

• 청정기술
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• 제20권3호
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• pp.218-225
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• 2014

석탄의 가스화는 촉매 도입 시 온순 조건에서 가능하나, 석탄 내 회분에 의한 비활성화에 의해 반복적인 촉매 활용이 힘들다. 이에 본 연구에서는 삼화 원탄에서 회분을 제거하여 삼화 무회분탄(ash-free coal, AFC)을 제조한 후 가스화 반응성을 원탄과 비교하여 알아보았다. 우선 원탄을 대상으로 고정층 반응기에서 수증기 공급량, 공간 속도(space velocity), 온도 및 촉매를 변수로서 가스화 조건을 결정하였다. 고체상 혼합법으로 다양한 촉매 도입 시, 유동성을 갖는 $K_2CO_3$가 가장 높은 활성을 보였다. 무회분탄은 원탄보다 낮은 반응성을 보였으며, 이는 용매(1-methylnaphthalene, 1-MN)를 이용한 고온 추출 및 건조 공정 중에 소모된 산소 기능기 함량과 증가된 탄화도(carbonization)에 기인한다. $K_2CO_3$ 가 혼합된 무회분탄의 반응성은 급격히 증가하여 낮은 온도 ($700^{\circ}C$)에서도 높은 전환율을 보였다. 이때 $H_2/CO$와 $CO_2/CO$ 비율도 증가하는데, 이는 촉매에 의해 수성가스전환(water-gas shift) 반응이 활성화됨에 기인한다. 본 연구에서는 무회분탄의 저온 촉매 가스화 반응을 통해 석탄 가스화 공정의 경제성이 개선될 수 있음을 확인하였다.

• 동의신경정신과학회지
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• 제15권2호
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• pp.119-139
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• 2004

This research investigates the effect of the Hibiscus syriacus(HSS) on Alzheimer's disease. Specifically, the effects of the HSS extract on (1) $IL-1{\beta}$, IL-6, and $TNF-{\alpha}$ mRNA of PC-12 cells treated with LPS; (2) amyloid precursor proteins(APP), acetylcholinesterase(AChE), and glial fibrillary acidic protein(GFAP) mRNA of PC-12 cells treated with CT-105; (3) the AChE activity and the APP production of PC-12 cell treated with CT-105; (4) the behavior; (4) expression of $IL-1{\beta}$, $TNF-{\alpha}$, $IL-1{\beta}$ mRNA, $TNF-{\alpha}$ mRNA, and reactive oxygen species(ROS); (5) the infarction area of the hippocampus, and brain tissue injury in Alzheimer's diseased mice induced with ${\beta}A$ were investigated. The results were summarized below ; 1. The HSS extract suppressed the expression of $IL-1{\beta}$, IL-6 and $TNF-{\alpha}$ mRNA in THP-l cells treated with LPS. 2. The HSS extract suppressed the expression of APP, AChE, and GFAP mRNA in PC-12 cells treated with CT-105. 3. The HSS extract suppressed the AChE activity, and the production of APP significantly in PC-12 cells treated with CT-105. 4. For the HSS extract group a significant inhibitory effect on the memory deficit was shown for the mice with Alzheimer's disease induced by ${\beta}A$ in the Morris water maze experiment, which measured stop-through latency, and distance movement-through latency. 5. The HSS extract suppressed the over-expression of $IL-1{\beta}$, $TNF-{\alpha}$, $IL-1{\beta}$ and $TNF-{\alpha}$ mRNA, CD68/GFAP, ROS in the mice with Alzheimer's disease induced by ${\beta}A$. 6. The HSS extract reduced the infarction area of hippocampus, and controlled the injury of brain tissue in the mice with Alzheimer's disease induced by ${\beta}A$. These results suggest that the HSS extract may be effective for the prevention and treatment of Alzheimer's disease. Investigation into the clinical use of the HSS extract for Alzheimer's disease is suggested for future research.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.134-134
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• 2011

High-k dielectric materials such as $HfO_2$, $ZrO_2$ and $Al_2O_3$ increase gate capacitance and reduce gate leakage current in MOSFET structures. This behavior suggests that high-k materials will be promise candidates to substitute as a tunnel barrier. Furthermore, stack structure of low-k and high-k tunnel barrier named variable oxide thickness (VARIOT) is more efficient.[1] In this study, we fabricated the $WSi_2$ nanocrystals nonvolatile memory device with $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ tunnel layer. The $WSi_2$ nano-floating gate capacitors were fabricated on p-type Si (100) wafers. After wafer cleaning, the phosphorus in-situ doped poly-Si layer with a thickness of 100 nm was deposited on isolated active region to confine source and drain. Then, on the gate region defined by using reactive ion etching, the barrier engineered multi-stack tunnel layers of $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ (2 nm/1 nm/3 nm) were deposited the gate region on Si substrate by using atomic layer deposition. To fabricate $WSi_2$ nanocrystals, the ultrathin $WSi_2$ film with a thickness of 3-4 nm was deposited on the multi-stack tunnel layer by using direct current magnetron sputtering system [2]. Subsequently, the first post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 1 min by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The 15-nm-thick $SiO_2$ control layer was deposited by using ultra-high vacuum magnetron sputtering. For $SiO_2$ layer density, the second post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 30 seconds by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The aluminum gate electrodes of 200-nm thickness were formed by thermal evaporation. The electrical properties of devices were measured by using a HP 4156A precision semiconductor parameter analyzer with HP 41501A pulse generator, an Agillent 81104A 80MHz pulse/pattern generator and an Agillent E5250A low leakage switch mainframe. We will discuss the electrical properties for application next generation non-volatile memory device.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제14권1호
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• pp.109-126
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• 1998

본 논문에서는 플라이애쉬를 폐기물 매립장 차수재의 건설재료로 활용하기 위한 방안으로 실행한 일련의 실내실험연구결과를 보고한다. 폐기물 매립장 차수재의 투수계수 기준을 만족하기 위한 플라이애쉬와 벤토나이트의 적정 혼합비를 구하였다. 혼합차수재의 투수 메카니즘과 CaO가 차수층의 투수계수에 미치는 영향을 다양한 조건에 대한 투수시험과 X선 회절분석, 전자주사현미경분석, 헬릅 간극측정 법, 확대영상분석기법 등의 미세구조적 접근을 통하여 연구하였다. 벤토나이트의 첨가에 따라 플라이애쉬 혼합차수재의 투수계수는 감소하였다. 이는 주로 벤토나이트의 팽창에 의해 간극이 충진되었기 때문이며, 플라이애쉬-벤토나이트 간 포졸란 반응 및 그 에 따른 투수계수 저감효과는 시험에 사용된 국내 플라이애쉬의 CaO성분이 적고 $SiO_2$ 반응성이 낮아 크지 않은 것으로 나타났다. 혼합차수재에서 구성물질간 화학반응의 효과를 높이려 인위적으로 석회를 첨가하고 시행한 실험결과에 의하면 혼합차수재에서 구성성분간 화학반응성 및 그에 따른 투수계수에 미치는 영향은 구성성분의 외형적 총량보다는 구성성분의 형태와 활성도에 따라 크게 좌우되는 것으로 나타났다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권8호
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• pp.340-346
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• 2002

Capacitor material utilized in the downsizing passive devices and integration of passive devices requires the physical and electrical properties at given area such as capacitor thickness reduction, relative dielectric constant increase, low leakage current and thermal stability. common capacitor materials, $Al_2O_3$, $SiO_2$, $Si_3N_4$, $SiO_2$/$Si_3N_4$, TaN and et al., used until recently have reached their physical limits in their application to integration of passive devices. $Ta_2O_{5}$ is known to be a good alternative to the existing materials for the capacitor application because of its high dielectric constant (25~35), low leakage current and high breakdown strength. Despite the numerous investigations of $Ta_2O_{5}$ material, there have little been established the clear understanding of the annealing effect on capacitance characteristic and conduction mechanism. This study presents the dielectric properties $Ta_2O_{5}$ MIM capacitor structure Processed by $O_2$ RTA oxidation. X-ray diffraction patterns showed the existence of amorphous phase in $600^{\circ}C$ annealing under the $O_2$ RTA and the formation of preferentially oriented-$Ta_2O_{5}$ in 650, $700^{\circ}C$ annealing and the AES depth profile showed $O_2$ RTA oxidation effect gives rise to the $O_2$ deficientd into the new layer. The leakage current density respectively, at 3~1l$\times$$10_{-2}$(kV/cm) were $10_{-3}$~$10_{-6}$(A/$\textrm{cm}^2$). In addition, behavior is stable irrespective of applied electric field. the frequency vs capacitance characteristic enhanced stability more then $Ta_2O_{5}$ thin films obtained by $O_2$ reactive sputtering. The capacitance vs voltage measurement that, Vfb(flat-band voltage) was increase dependance on the $O_2$ RTA oxidation temperature.