• 전기학회논문지
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• 제58권5호
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• pp.999-1003
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• 2009

We have designed and fabricated a linear drive amplifier with a novel intermodulation distortion(IMD) canceller using $0.18{\mu}m$ CMOS process. The drive amplifier with IMD canceller is composed of a cascode main amplifier and an additional common-source IMD canceller. Since the IMD canceller generates IM3($3^{rd}$-order imtermodulation) signal with $180^{\circ}$ phase difference against the IM3 of the cascode main amplifier, the IM3 power is drastically eliminated. As of the measurement results, $OP_{1dB}$, $OIP_3$, and power-add efficiency are 5.5 dBm, 15.5 dBm, and 21%, respectively. Those are 5 dB, 6 dB, and 13.5% enhanced values compared to a conventional cascode drive amplifier. The IMD3 of the drive amplifier with IMD canceller is enhanced more than 10 dB compared to that of the conventional cascode drive amplifier for input power ranges from -22 to -14 dBm.

• ETRI Journal
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• 제35권3호
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• pp.546-549
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• 2013

A Ka-band 6-W high power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a very small aperture terminal system requiring high linearity is designed and fabricated using commercial 0.15-${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. This three-stage amplifier, with a chip size of 22.1 $mm^2$ can achieve a saturated output power of 6 W with a 21% power-added efficiency and 15-dB small signal gain over a frequency range of 28.5 GHz to 30.5 GHz. To obtain high linearity, the amplifier employs a class-A bias and demonstrates an output third-order intercept point of greater than 43.5 dBm over the above-mentioned frequency range.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권9호
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• pp.685-697
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• 2017

본 논문에서는 탐색 레이다에서 사용되는 C-대역의 고출력전력증폭장치 및 구성품의 설계, 제작과 측정에 대하여 기술하였다. 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)을 적용하여 반도체전력증폭조립체를 설계 및 제작하였고, 설계 제작된 도파관 형태의 송신신호결합조립체를 통해 병렬로 구성된 반도체전력증폭조립체의 송신신호 출력을 결합하여 고출력 송신신호 출력을 발생한다. 제작된 고출력전력증폭장치는 C-대역 500 MHz 대역폭, 최대 10.5 % 듀티, 송신펄스폭 $0.0{\sim}000{\mu}s$에서 송신출력 44.98 kW(76.53 dBm) 이상이다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회
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• pp.454-455
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• 2018

The impedance of an underwater acoustic transducers constituting a multi-channel array structure could be changed in real time by various transmission modes. A power amplifier for driving the transducers usually use a voltage control method, so the transducer and power amplifier may be damaged by over-power due to changeable load conditions. Therefore, the drive controller of the power amplifier should have the function of limiting the power. This paper propose the new voltage control method for limiting the driving power of transducers with variable impedance characteristics.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.135-140
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• 2019

본 논문에서는 L, S 및 C 대역에서 동작하는 주파수 분배 방식의 광대역 구동증폭기를 설계 및 제작하였다. 구동증폭기의 비대역폭이 100% 이상인 경우에는 트랜지스터를 효율적으로 이용하기 어려우며, 특히 주파수 대역에 따라 출력 전력 및 효율의 특성이 민감하게 변하는 전력증폭기를 동작시키기 위해서는 구동증폭기의 특성이 중요하게 작용한다. 본 논문에서는 구동증폭기의 대역폭을 최대화하고, 구동증폭기의 뒤쪽에 위치 할 전력증폭기의 트랜지스터를 효율적으로 이용 할 수 있도록 구동증폭기의 출력을 저대역과 고대역으로 나누어주는 주파수 분배 방식을 적용하였다. 설계된 회로는 GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) 공정 및 9-layer의 SiP (System in Package)를 이용하여 제작하였고, 측정을 통해 성능을 검증하였다. 제작된 회로는 동작 주파수 범위에서 8 dB이상의 이득과 15 dBm이상의 출력전력을 보여주었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.593-596
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• 2015

본 논문은 무선전력전송 시스템에 활용할 수 있도록 낮은 드레인 전압에서 높은 효율을 가지는 class E 전력증폭기를 설계하였다. 붕괴전압이 40 V인 Si MOSFET을 이용하여 드레인 바이어스 전압이 12.5 V인 13.56 MHz 전력증폭기를 설계하였다. 출력 전력 및 효율을 개선하기 위하여 품질계수가 우수한 솔레노이드 인덕터를 제작하여 출력 정합회로에 사용하였다. 발진 방지와 간단한 회로 구성을 위하여 인덕터와 저항으로 입력 정합회로를 구성하였다. 측정 결과, 제작된 전력증폭기는 13.56 MHz에서 38.6 dBm의 출력전력과 16.6 dB의 전력이득, 그리고 89.3 %의 높은 전력부가효율을 보였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.309-312
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• 2002

In this paper, we discuss the design of high gain low noise amplifier by using the 0.2sum CMOS technology. A cascode inverter is adopted to implement the low noise amplifier. The proposed cascode inverter LNA is one stage amplifier with a voltage reference and without choke inductors. The designed 2.4GHz LNA achieves a power gain of 25dB, a noise figure of 2.2dB, and power consumption of 255㎽ at 2.5V power supply.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.1163-1166
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• 1999

In this paper, A CMOS power amplifier for PCS is designed with 0.65-$\mu\textrm{m}$ CMOS technology. Differential cascode structure is used which has good reverse isolation and wide voltage swing. This amplifier circuits consist of three stages which are power amplification stage, driver stage and power control stage. We obtain output power of 30 ㏈m, IMD3 of -31㏈c and efficiency of 30 % at input power of 4 ㏈m.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제39권6호
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• pp.27-27
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• 2002

본 논문에서는 새로운 방식의 아날로그Feedforward 선형화기 시스템을 이용하여 IMT-2000주파수 대역(2110∼2170 MHz)에서 동작하는 평균 출력전력 30W급의 선형증폭기를 설계 및 제작하였다. 새로운 방식의 아날로그 Feedforward 방식의 회로는 크기가 작고, 회로 동작이 단순하여 안정된 동작을 수행하였다. 제작된 선형증폭기는 2110∼2170MHz 대역 중에서 2-tone 신호를 입력할 경우에 주파수 대역에 따른 별도의 회로 수정없이 60dBc 이상의 혼변조 신호 감쇄를 가졌다. 이는 주전력증폭기의 동일한 출력대비 23dB 이상의 혼변조 신호 감쇠 효과를 갖는 것이다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제39권6호
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• pp.285-291
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• 2002

본 논문에서는 새로운 방식의 아날로그Feedforward 선형화기 시스템을 이용하여 IMT-2000주파수 대역(2110∼2170 MHz)에서 동작하는 평균 출력전력 30W급의 선형증폭기를 설계 및 제작하였다. 새로운 방식의 아날로그 Feedforward 방식의 회로는 크기가 작고, 회로 동작이 단순하여 안정된 동작을 수행하였다. 제작된 선형증폭기는 2110∼2170MHz 대역 중에서 2-tone 신호를 입력할 경우에 주파수 대역에 따른 별도의 회로 수정없이 60dBc 이상의 혼변조 신호 감쇄를 가졌다. 이는 주전력증폭기의 동일한 출력대비 23dB 이상의 혼변조 신호 감쇠 효과를 갖는 것이다.