McT는 MOS-게이트형 사이리스터로써 MOS-게이트형 턴-온 및 턴-오프 특성과 낮은 도통 전압을 나타내는 소자이다. 그러나 SOA(Safe Operation Area)가 상대적으로 작기 때문에 스너버 회로를 필요로 한다. 본 논문에서는 간단한 MCT PSPICE 모델을 사용하여 스위칭 특성과 RCD 스너버의 특성을 분석하였고 스너버 회로 설계방식을 제안하였다.
Kim, Hyung-Min;Park, So-Youn;Lee, Daniel-Juhun;Kim, Seong-Kweon
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.15
no.3
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pp.487-494
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2020
In this paper, we propose a current memory circuit design that reduces static power consumption and maximizes the advantages of current mode signal processing. The proposed current memory circuit minimizes the problem in which the current transfer error increases as the data transfer time increases due to clock-feedthrough and charge-injection of the existing current memory circuit. The proposed circuit is designed to insert a support MOS capacitor that maximizes the Miller effect in the current transfer structure capable of low-power operation. As a result, it shows the improved current transfer error according to the memory time. From the experimental results of the chip, manufactured with MagnaChip / SK Hynix 0.35 process, it was verified that the current transfer error, according to the memory time, reduced to 5% or less.
전력거래소(KPX)는 전국에 산재된 발 변전소로부터 2초 혹은 4초 주기로 계통운영에 필요한 아날로그, 디지털 데이터를 실시간으로 취득하고 있다. 이렇게 취득한 데이터는 EMS 전력계통 감시 및 제어를 위한 각종 화면, 자동발전제어/경제급전(AGC/ED), 상태추정(SE), 상정고장해석(CA)등 실시간 계통운영과 조류계산(PF), 고장계산(SCT), STNET(PF, CA), 상정고장해석 등 검토모드로 급전소 휴전업무 검토에 활용되고 있다. 또한 EMS에서 취득한 실시간 데이터를 MOS(시장 운영시스템)로 보내어 상태추정을 추행하고 이 값을 기반으로 발전기별 경제적인 출력 값인 FMD(5분 급전지시)를 EMS로 보내어 EMS의 주요기능인 AGC(자동발전제어)로 경제적이고 안정된 출력 조정을 하고 있다. 이러한 이유로 EMS 및 MOS의 상태추정 견과의 정확도와 실행 안정성은 매우 중요하다고 하겠다. 본고에서는 EMS 계통해석기능 검증 결과와 향후 데이터 정확도 개선은 위한 과정의 일환으로 EMS의 상태추정과 MOS의 상태추정의 상호비교 결과를 소개하고자 한다.
Kim, Cheol-Sik;Sa, Gwan-Joo;An, Jae-Seung;Park, Bong-Yong
Proceedings of the KIEE Conference
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2007.11b
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pp.9-11
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2007
우리나라는 정부의 전력시장 구조개편 계획에 의거 2001년부터 전력시장을 도입하도록 하는 결정에 따라 초기단계 전력시장을 운영하기 위한 "발전경쟁 (CBP Cost Based Pool)시스템"을 국내기술로 개발하여 현재까지 운영중에 있다. 또한 단계적인 시장도입 정책에 따라 2004년 4일부터 운영할 예정이었던 전력시장운영시스템(MOS : Market Operating System)은 정부의 도매전력시장 개설중단이란 정책변경으로 우수한 성능과 기능을 보유하고 있음에도 불구하고 활용이 불투명하기 도 하였으나, 2007년 세계최초로 발전경쟁시장시스템에 접목하여 MOS 상업운전을 개시하여 경제급전 효과를 극대화 할 수 있게 되었다. 경제급전 및 계통안정운영을 위한 MOS 시스템의 기능중 하나인 급전지시시스템(MX : Massage Exchange)은 미국 ABB사에서 개발하였던 초기의 기능은 매우 초보적인 단계로 단순히 5분 에너지 급전지시값만 전달하는 것으로서 국내 급전운영체계의 반영이 미흡하였다. 이에 따라, 2005년 국내기술로 초기 시스템을 개발한 이후 2007년에는 에너지 급전지시값 외에 보조서비스 데이터 제공 등의 성능 개선을 통해 중앙급전소 급전원, 현장 발전운전원 등에게 정확하고 신속한 계통운영관련 DATA를 실시간으로 제공하여, 계통운전에 활용함으로서 전력계통의 안정운영과 효율적인 시장운영에 많은 도움을 주고 있다. 본 논문에서는 이와 같이 완벽한 계통운전의 실현과 효율적 시장운영에 중요한 요소로서 역할을 수행하고 있는 급전지시 시스템의 개요와 주요 내용에 대해 살펴보도록 하겠다.
Kim, Nam-Soo;Cui, Zhi-Yuan;Lee, Kie-Yong;Ju, Byeong-Kwon;Jeong, Tae-Woong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.1
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pp.17-23
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2005
The switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) is studied with variation of the channel length and impurity concentration in ON and OFF FET channel. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator and PSPICE simulator are used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of channel length and impurity concentration in P and N channel. The channel length and N impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the transient characteristics of current and power. The N channel length affects only on the OFF characteristics of power and anode current, while the N doping concentration in P channel affects on the ON and OFF characteristics.
This paper provides the analysis of the differential amplifier using the insulated gate, metala-oxide-semiconductor type field-effect-transistor(MOS FET), for its active element and the power drift of the amplifer. From these analytical considerations some design standardsn were found for the MOS FET differential amplifier available for the measurement of the very small current (pico-ampare range). A differential amplifier was designed and built in the view of above considerations. Its equivalent input gate voltages of the thermal drift and the power drift were 0.57mV/.deg. C in the range 25.deg. C-60.deg. C and 8.8mV/V in the range of 20% drift of its orginal value, respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.10
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pp.1034-1040
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2004
The latch-up current and switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) are studied with variation of the channel length and impurity concentration. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator is used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of impurity concentration. The channel length and impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the anode current and turn-off time. The increase of impurity concentration in P and N channels is found to give the increase of latch-up current and forward voltage-drop.
This paper describes the design techniques of the data converters for Multiple-Valued Logic(MVL). A 3.3V low power 4 digit CMOS analog to quaternary converter (AQC) and quaternary to analog converter (QAC) mainly designed with the neuron MOS down literal circuit block has been introduced. The neuron MOS down literal architecture allows the designed AQC and QAC to accept analog and 4 level voltage inputs, and enables the proposed circuits to have the multi-threshold properity. Low power consumption of the AQC and QAC are achieved by utilizing the proposed architecture.
Jo, Yoo Jin;Moon, Jeong Hyun;Seok, Ogyun;Bahng, Wook;Park, Tae Joo;Ha, Min-Woo
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.17
no.2
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pp.265-270
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2017
4H-SiC has attracted attention for high-power and high-temperature metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for industrial and automotive applications. The gate oxide in the 4H-SiC MOS system is important for switching operations. Above $1000^{\circ}C$, thermal oxidation initiates $SiO_2$ layer formation on SiC; this is one advantage of 4H-SiC compared with other wide band-gap materials. However, if post-deposition annealing is not applied, thermally grown $SiO_2$ on 4H-SiC is limited by high oxide charges due to carbon clusters at the $SiC/SiO_2$ interface and near-interface states in $SiO_2$; this can be resolved via low-temperature deposition. In this study, low-temperature $SiO_2$ deposition on a Si substrate was optimized for $SiO_2/4H-SiC$ MOS capacitor fabrication; oxide formation proceeded without the need for post-deposition annealing. The $SiO_2/4H-SiC$ MOS capacitor samples demonstrated stable capacitance-voltage (C-V) characteristics, low voltage hysteresis, and a high breakdown field. Optimization of the treatment process is expected to further decrease the effective oxide charge density.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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