• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제7권7호
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• pp.1721-1736
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• 2013

Black and gray hole attack is one kind of routing disturbing attacks and can bring great damage to the network. As a result, an efficient algorithm to detect black and gray attack is important. This paper demonstrate an adaptive approach to detecting black and gray hole attacks in ad hoc network based on a cross layer design. In network layer, we proposed a path-based method to overhear the next hop's action. This scheme does not send out extra control packets and saves the system resources of the detecting node. In MAC layer, a collision rate reporting system is established to estimate dynamic detecting threshold so as to lower the false positive rate under high network overload. We choose DSR protocol to test our algorithm and ns-2 as our simulation tool. Our experiment result verifies our theory: the average detection rate is above 90% and the false positive rate is below 10%. Moreover, the adaptive threshold strategy contributes to decrease the false positive rate.

• 한국분무공학회지
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• 제17권3호
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• pp.140-145
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• 2012

Recent common-rail injector of a diesel engine needs more smaller nozzle hole to meet the stringent emission regulation. But, small nozzle hole diameter can cause nozzle coking which is occurred due to the deposits of post-combustion products. Nozzle coking has a negative effect on the performance of fuel injector because it obstructs the fuel flow inside a nozzle hole. In this study DFSS (Design for six sigma) method was applied to find the effect of nozzle design parameter on nozzle coking. Total 9 injector samples were chosen and tested at diesel engine. The results show that nozzle hole diameter and K-factor have more effect on nozzle coking than A-mass and hole length. Large hole diameter and A-mass, small hole length and K-factor give more positive performance on nozzle coking in these experimental conditions. But, a performance about nozzle coking and exhaust gas emission shows the opposite tendency. Further study is needed to find the relation between nozzle coking and emission characteristic for the optimization of injector nozzle design.

• 한국의류학회지
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• 제24권2호
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• pp.164-172
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• 2000

The purpose of this study was to investigate the most appropriate arm-hole depth in 9 positions of arm movements. This subjects were four females, college students aged 18 to 23 years old. The clothing size 55 was used for this study. In the experiments for the investigation of the arm-hole depth, the evaluations were performed for aesthetic view, clothing adaptability to arm movements, and quantity of materials pulled up by 9 movements of arm. The results of this study were as follows: 1) In the aesthetic evaluation, there were no significant differences in arm-hole depths. 2) In the evaluation of clothing adaptability to arm movements, the experiment clothes, in which-arm-hole depths were raised, had more positive evaluations especially with the increasing the angle of arm movements. 3) In the evaluation of clothing adaptability to each body areas, there were no significant differences in all body areas except upper arm circumference blade. 4) In the evaluation of quantity of materials pulled up by arm movements, the clothes of B/4-2 arm-hole depth had the least amount pulled up by arm movements, which showed the highest adaptability to arm movement.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.300.2-300.2
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• 2013

Periodically shaped pillar-arrays and hole-arrays were fabricated on a Si wafer. Geometric features are similar in a periodic length of 4 ${\mu}m$ and a depth of 2 ${\mu}m$. For the hole-array patterns, positive PR processes were performed. UV exposed PR patterns were removed during a developing process to leave shapes of inversely replicated from a glass photomask. Meanwhile, negative PR processes were taken for the pillar-array patterns. UV exposed PR patterns were remained on a Si substrate having a same feature of patterns of a glass photomask. For an electrical aspect, a pillar structure has a short carrier-collection length resulting in the improved open-circuit voltage of 609 mV from 587 mV of a planar device. An improved performance may be achieved to reduce recombination loss along the patterning surface.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.89-90
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• 2010

최근 우리는 InGaAs 위에 성장한 InAs 양자점에 GaAs를 얇게 덮음으로써 양자고리를 성장하고, 그 광학적 특성을 분석하였다. [1] 이번 연구에서는 이 양자고리 구조의 전자 구조 및 광학적 특성을 전산모사를 통해 계산하였고, GaAs가 구조의 응력, 압전 포텐셜 및 light-hole 분율에 미치는 영향을 분석하였다. 이론적인 분석을 위해, valence force field 방법을 이용하여 이종 물질간의 격자상수 차이에 의한 격자 변형 및 압전 포텐셜의 변화를 계산하였고, 양자고리 내 전자의 양자화 에너지 및 파동함수를 k p 방법을 통해 얻을 수 있었다. 또한 광학적인 특성 등의 다체 효과를 예측하기 위해 configuration interaction 방법을 사용하였다. 이 연구에서 우리는, GaAs가 InAs에 강한 압축 응력을 가할 것이라는 일반적인 예측과 달리, InGaAs 매트릭스 안에서는 격자상수가 작은 GaAs가 InAs 양자고리에 효과적인 압축 응력을 가할 수 없음을 보였다. 특히 GaAs 층의 두께가 얇을 경우, InGaAs 매트릭스에 의해 인장 응력을 받는 GaAs가 InAs의 응력을 해소하기 충분한 공간을 제공하여, 오히려 InAs의 압축 응력을 약화시키는 것을 알 수 있었다. 이 연구 결과는 응력 분포가 단순한 양자우물 등의 2차원 구조와 달리, 응력 분포가 복잡한 3차원 나노 구조에서는 단순히 격자상수만으로 파장 변화 경향을 예측할 수 없음을 나타낸다. 또한 우리는, GaAs의 큰 negative 이방 응력과 InAs의 작은 positive 이방 응력에 의해 전자와 heavy-hole은 InAs에, light-hole은 GaAs에 구속됨을 보였다. 즉, InAs보다 밴드갭이 큰 GaAs가 전자와 heavy-hole에 대해서는 강한 포텐셜 배리어로 작용하지만 light-hole에 대해서는 포텐셜 우물로 작용하는, 반 우물-반 배리어 특성을 가짐을 알 수 있었다. 이로 인해 GaAs가 있는 양자고리의 light-hole 분율이 GaAs가 없을 경우에 비해 2배에서 8배가량 증가함을 보일 수 있었다. 비슷한 특성이 hole에 대해서는 InP나 InGaAsP 위에 성장한 GaAs 층에서 보고된 바가 있으나, 전자는 InAs로, hole은 GaAs로 분리할 수 있는 3차원 나노 구조에 대한 연구는 이 연구가 처음이다. [2]

• 한국생산제조학회지
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• 제21권4호
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• pp.563-569
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• 2012

In the semiconductor and display device production processes, the handling of sensitive objects needs new carrying technology. Floating carrying motion is a practical alternative solution for non-contact handling of parts and substrates. This paper presents a study of through paths inside the air pressure pick-up head to generate the floating motion. The air motion by conceptual designed paths inside the head gradually develops positive pressure and vacuum between narrow objects. Positive pressure occurs through the head tip before discharging outside of the head. Negative pressure is developed by evacuating the inside head bottom as result of the radial flow connecting the vertical through-holes. The numerical analysis was done to figure out the stable levitation caused by the two acting forces between surfaces. In comparing with the standard case that the levitation gap gets 0.7-0.9 mm, it confirms the suggested head characteristics to show floating capacity in accordance with the head size, number of through-hole, and locations of through-hole in succession of conceptual design for a prototype.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권8호
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• pp.1-8
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• 2004

두께가 3nm인 게이트 산화막을 사용한 n-MOSFET에 정전압 스트레스를 가하였을 때 관찰되는 SILC 및 soft breakdown 열화 및 이러한 열화가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 실험하였다. 열화 현상은 인가되는 게이트 전압의 극성에 따라 그 특성이 다르게 나타났다. 게이트 전압이 (-)일 때 열화는 계면 및 산화막내 전하 결함에 의해 발생되었지만, 게이트 전압이 (＋)일 때는 열화는 주로 계면 결함에 의해 발생되었다. 또한 이러한 결함의 생성은 Si-H 결합의 파괴에 의해 발생할 수 있다는 것을 중수소 열처리 및 추가 수소 열처리 실험으로부터 발견하였다. OFF 전류 및 여러 가지 MOSFET의 전기적 특성의 변화는 관찰된 결함 전하(charge-trapping)의 생성과 직접적인 관련이 있다. 그러므로 실험 결과들로부터 게이트 산화막으로 터널링되는 전자나 정공에 의한 Si 및 O의 결합 파괴가 게이트 산화막 열화의 원인이 된다고 판단된다. 이러한 물리적 해석은 기존의 Anode-Hole Injection 모델과 Hydrogen-Released 모델의 내용을 모두 포함하게 된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.526-532
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• 2015

We quantitatively investigated instability mechanisms under simultaneous positive gate and drain bias stress (SPGDBS) in self-aligned top-gate amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors. After SPGDBS ($V_{GS}=13V$and $V_{DS}=13V$), the parallel shift of the transfer curve into a negative $V_{GS}$ direction and the increase of on current were observed. In order to quantitatively analyze mechanisms of the SPGDBS-induced negative shift of threshold voltage (${\Delta}V_T$), we experimentally extracted the density-of-state, and then analyzed by comparing and combining measurement data and TCAD simulation. As results, 19% and 81% of ${\Delta}V_T$ were taken to the donor-state creation and the hole trapping, respectively. This donor-state seems to be doubly ionized oxygen vacancy ($V{_O}^{2+}$). In addition, it was also confirmed that the wider channel width corresponds with more negative ${\Delta}V_T$. It means that both the donor-state creation and hole trapping can be enhanced due to the increase in self-heating as the width becomes wider. Lastly, all analyzed results were verified by reproducing transfer curves through TCAD simulation.

• 유체기계공업학회:학술대회논문집
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• 유체기계공업학회 2000년도 유체기계 연구개발 발표회 논문집
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• pp.193-199
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• 2000

The effects of Reynolds number on the non-nulling calibration of a cone-type five-hole probe in low-speed flows have been investigated at the Reynolds numbers of $2.04{\times}10^3,\;4.09{\times}10^3$, and $6.13{\times}10^3$. The calibration is conducted at the pitch and yaw angles in ranges between -35 degrees and 35 degrees with an angle interval of 5 degrees. The result shows that each calibration coefficient, in general, is a function of the pitch and yaw angles, so that the pre-existing calibration data in a nulling mode are not enough in accounting for the full non-nulling calibration characteristics. Due to the interference of the probe stem, the calibration coefficients have more Reynolds number sensitivity at positive pitch angles than at negative ones.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.4277-4283
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• 2012

고장력볼트 마찰이음에서 접촉면의 표면상태에 따라 다양한 값을 갖는 미끄러짐계수는 볼트의 축력과 미끄러짐하중에 의해 결정되어진다. 또한 접촉면적은 미끄러짐하중에 영향을 미치게 되므로 볼트구멍에 따라 변하는 접촉면적은 미끄러짐계수와 상관관계를 갖게 된다. 본 연구에서는 부재의 종류, 볼트의 직경 및 볼트구멍의 크기에 따른 미끄러짐계수와 미끄러짐하중의 변화를 파악하기 위하여 32개의 시험편을 제작하여 휨시험 및 인장시험을 실시하였다. 과대볼트구멍으로 제작된 시험편의 미끄러짐하중은 표준볼트구멍으로 제작된 미끄러짐하중의 80%이상의 강도를 발휘하였으며 설계 미끄러짐강도를 상회하였다. 또한 과대볼트구멍으로 제작된 시험편과 표준볼트구멍으로 제작된 시험편의 순단면적비와 미끄러짐비간에는 상당한 상관성을 가지는 것으로 나타났다. 그러나 시험결과가 각 시험체에 따라 다소의 차이를 보이는 것은 미끄러짐계수의 중요한 파라메타인 고장력볼트의 도입축력이 감소하기 때문인 것으로 판단된다. 볼트구멍 크기의 증가는 미끄러짐 계수 뿐 아니라 볼트 축력의 감소를 야기시키므로 설계강도의 감소를 초래하는 것은 자명한 사실이지만 외국의 경우와 같이 구조적 안정을 위협하지 않는 범위 내에서 볼트구멍에 대한 규정에 유연성을 갖는 것도 시공성과 효율성에 긍정적인 요소가 될 것으로 기대된다.