• Child Health Nursing Research
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• 제23권3호
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• pp.300-311
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• 2017

Purpose: There are many forest and outdoor programs being offered but systematic reviews of effects are lacking. This study was done to identify content, format, and strategies of forest therapy programs for elementary school students. Methods: Literature search using keywords in English and Korean was performed using 6 electronic databases in December 2016. Search participants were elementary school students and interventions conducted in the forest. Seventeen forest therapy studies were selected for evaluation. Risk of Bias Assessment tool for non-randomized study was used for quality assessment. Results: All studies were quasi-experimental designs. Forest therapy programs included various activities in forests such as experience of five senses, meditation in the forest, walking in the forest, ecological play, observation of animals and insects. All studies used psychosocial health variables and forest healing programs had positive effects on sociality, depression, anxiety, self-esteem, stress, aggression, anger, and school adjustment. Limitations of these studies were vague reporting of the study, lack of ethical review and rigorous research designs. Conclusion: Forest therapy for elementary school child can be an effective way to improve psychosocial health. Future studies with rigorous study designs are needed to assess long-term effects of forest therapy on physical and psychosocial health.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1225_1226
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• 2009

유리 기판 상에 이중 게이트 절연막을 가지는 우수한 특성의 P형 엑시머 레이저 어닐링 (ELA) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 그리고 P형 짧은 채널 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 오프 상태 스트레스 하에서의 전기적 특성을 분석하였다. 스트레스하에서 긴 채널에서의 문턱 전압은 양의 방향으로 거의 이동하지 않는 (${\Delta}V_{TH}$ = 0.116V) 반면, 짧은 채널 박막 트랜지스터의 문턱 전압은 양의 방향으로 상당히 이동 (${\Delta}V_{TH}$ = 2.718V)하는 것을 확인할 수 있었다. 이런 짧은 채널 박막 트랜지스터에서 문턱 전압의 양의 이동은 다결정 실리콘 막과 게이트 산화막 사이의 계면에서의 전자 트랩핑 때문이다. 또한, 박막 트랜지스터의 누설 전류는 오프 상태 스트레스 하에서의 채널 영역의 홀 전하로 인하여 온 전류 수준을 감소시키지 않고 억제될 수 있었다. C-V 측정 결과는 계면의 전자 트랩핑이 드레인 접합 영역부근에서 발생한다는 것을 나타낸다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권3호
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• pp.166-173
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• 2009

The reliability of hafnium oxide gate dielectrics incorporating lanthanum (La) is investigated. nMOSFETs with metal/La-doped high-k dielectric stack show lower $V_{th}$ and $I_{gate}$, which is attributed to the dipole formation at the high-k/$SiO_2$ interface. The reliability results well correlate with the dipole model. Due to lower trapping efficiency, the La-doping of the high-k gate stacks can provide better PBTI immunity, as well as lower charge trapping compared to the control HfSiO stacks. While the devices with La show better immunity to positive bias temperature instability (PBTI) under normal operating conditions, the threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) at high field PBTI is significant. The results of a transconductance shift (${\Delta}G_m$) that traps are easily generated during high field stress because the La weakens atomic bonding in the interface layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.242.2-242.2
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• 2013

최근 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 신뢰성(reliability) 평가에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 신뢰성 평가하는 한 방법으로 게이트에 바이어스를 지속적으로 인가하여 소자의 문턱 전압의 변화를 통해 안정성(stability)를 확인한다. 전압을 지속적으로 인가하게 되면 소자를 열화시켜 전기적 특성이 약화된다. 본 연구에선 ITZO 박막 트랜지스터의 신뢰성 평가를 위해 게이트 절연막($SiO_2$, $SiN_x$)에 따른 ITZO 소자를 제작 및 게이트 바이어스 스트레스 후 전기적 특성을 비교, 분석하였다. 제작된 소자의 게이트에 전압을 +15V로 7200초 동안 인가하였다. 스트레스 후 게이트 절연막이 $SiO_2$, $SiN_x$인 ITZO 산화물 박막 트랜지스터 모두 positive 방향으로 이동하였고, 그 결과 문턱 전압, 이동도, 아문턱 기울기의 변화가 발생하였다. $SiO_2$의 경우 아문턱 기울기의 변화가 거의 없이 문턱 전압의 변화만을 보였고, 이는 단순히 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 전자가 포획되거나 혹은 게이트 절연막 내에 전자가 주입이 되었기 때문이다. 반면에 $SiN_x$의 경우 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 추가적인 결함(defect)이 생성되었기 때문에 $SiO_2$보다 더 많은 전자를 포획하여 아문턱 기울기와 문턱 전압의 변화가 컸다.

• 한국재료학회지
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• 제33권12호
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• pp.511-516
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• 2023

Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) with a coplanar structure were fabricated to investigate the feasibility of their potential application in large size organic light emitting diodes (OLEDs). Drain currents, used as functions of the gate voltages for the TFTs, showed the output currents had slight differences in the saturation region, just as the output currents of the etch stopper TFTs did. The maximum difference in the threshold voltages of the In-Ga-Zn-O (a-IGZO) TFTs was as small as approximately 0.57 V. After the application of a positive bias voltage stress for 50,000 s, the values of the threshold voltage of the coplanar structure TFTs were only slightly shifted, by 0.18 V, indicative of their stability. The coplanar structure TFTs were embedded in OLEDs and exhibited a maximum luminance as large as 500 nits, and their color gamut satisfied 99 % of the digital cinema initiatives, confirming their suitability for large size and high resolution OLEDs. Further, the image density of large-size OLEDs embedded with the coplanar structure TFTs was significantly enhanced compared with OLEDs embedded with conventional TFTs.

• The Plant Pathology Journal
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• 제35권5호
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• pp.508-520
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• 2019

Interplay between Cymbidium mosaic virus (CymMV)/Odontoglossum ringspot virus (ORSV) and its host plant Phalaenopsis equestris remain largely unknown, which led to deficiency of effective measures to control disease of P. equestris caused by infecting viruses. In this study, for the first time, we characterized viral small interfering RNAs (vsiRNAs) profiles in P. equestris co-infected with CymMV and ORSV through small RNA sequencing technology. CymMV and ORSV small interfering RNAs (siRNAs) demonstrated several general and specific/new characteristics. vsiRNAs, with A/U bias at the first nucleotide, were predominantly 21-nt long and they were derived predominantly (90%) from viral positive-strand RNA. 21-nt siRNA duplexes with 0-nt overhangs were the most abundant 21-nt duplexes, followed by 2-nt overhangs and then 1-nt overhangs 21-nt duplexes in infected P. equestris. Continuous but heterogeneous distribution and secondary structures prediction implied that vsiRNAs originate predominantly by direct Dicer-like enzymes cleavage of imperfect duplexes in the most folded regions of the positive strand of both viruses RNA molecular. Furthermore, we totally predicted 54 target genes by vsiRNAs with psRNATarget server, including disease/stress response-related genes, RNA interference core components, cytoskeleton-related genes, photosynthesis or energy supply related genes. Gene Ontology classification showed that a majority of the predicted targets were related to cellular components and cellular processes and performed a certain function. All target genes were down-regulated with different degree by vsiRNAs as shown by real-time reverse transcription polymerase chain reaction. Taken together, CymMV and ORSV siRNAs played important roles in interplay with P. equestris by down modulating the expression levels of endogenous genes in host plant.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.55-55
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• 2018

Recently, amorphous oxides such as InGaZnO (IGZO) and InZnO (IZO) as a channel layer of an oxide TFT have been attracted by advantages such as high mobility, good uniformity, and high transparency. In order to apply such an amorphous oxide TFTs to a display, the stability in various environments must be ensured. In the InGaZnO which has been studied in the past, Ga elements act as a suppressor of oxygen vacancy and result in a decreased mobility at the same time. Previous studies have been showed that the InZnO, which does not contain Ga, can achieve high mobility, but has relatively poor stability under various instability environments. In this study, the TFTs using $IZO/Al_2O_3$ double layer structure were studied. The introduction of an $Al_2O_3$ interlayer between source/drain and channel causes superior electrical characteristics and electrical stability as well as reduced contact resistance with optimally perfect ohmic contact. For the IZO and $Al_2O_3$ bilayer structures, the IZO 30nm IZO channels were prepared at $Ar:O_2=30:1$ by sputtering and the $Al_2O_3$ interlayer were depostied with various thickness by ALD at $150^{\circ}C$. The optimal sample exhibits considerably good TFT performance with $V_{th}$ of -3.3V and field effect mobility of $19.25cm^2/Vs$, and reduced $V_{th}$ shift under positive bias stress stability, compared to conventional IZO TFT. The enhanced TFT performances are closely related to the nice ohmic contact properties coming from the defect passivation of the IZO surface inducing charge traps, and we will provide the detail mechanism and model via electrical analysis and transmission line method.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.182-187
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• 2011

In this paper, PBTI characteristics of NMOSFETs with La incorporated HfSiON and HfON are compared in detail. The charge trapping model shows that threshold voltage shift (${\Delta}V_{\mathrm{T}}$) of NMOSFETs with HfLaON is greater than that of HfLaSiON. PBTI lifetime of HfLaSiON is also greater than that of HfLaON by about 2~3 orders of magnitude. Therefore, high charge trapping rate of HfLaON can be explained by higher trap density than HfLaSiON. The different de-trapping behavior under recovery stress can be explained by the stable energy for U-trap model, which is related to trap energy level at zero electric field in high-k dielectric. The trap energy level of two devices at zero electric field, which is extracted using Frenkel-poole emission model, is 1,658 eV for HfLaSiON and 1,730 eV for HfLaON, respectively. Moreover, the optical phonon energy of HfLaON extracted from the thermally activated gate current is greater than that of HfLaSiON.

• 벤처창업연구
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• 제18권5호
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• pp.185-196
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• 2023

이 논문은 혁신성, 진취성, 위험감수성으로 대표되는 기업가정신이 일반인에 비해 투철한 기업가들의 인지편향이 사회적 네트워크에 따라 사업 기회 평가에 미치는 영향을 조사한 것이다. 끊임없이 요구되는 기업활동과 관련한 의사결정 시 기업가들은 자신의 지식과 경험 및 외부 전문가들의 조언을 참고하여 합리적인 판단을 하는 것이 일반적이나, 극심한 스트레스 상황 및 신속한 의사결정이 필요한 상황에서는 자신의 인지편향에 따라 휴리스틱(간편 추론법)에 종종 의존하게 된다. 특히, 기업의 성장과 영속성을 담보하기 위해 계획 중인 신사업 기회를 평가하고 선택하는 과정에서도 휴리스틱에 의한 의사결정을 한 나머지 실패하게 되는 사례를 우리는 많이 접하게 된다. 이 연구는 거듭된 성공 경험으로 형성된 기업가의 인지편향이 때로는 사업의 실패라는 부작용을 초래할 수 있다는 점에 착안하여, 기업가의 인지편향이 신사업 기회 평가에 미치는 영향을 규명하는 연구가 필요하다는 요구에서 진행하게 되었다. 그동안 대학생이나 창업을 희망하는 일반인을 대상으로 그들의 인지편향이 창업 및 기회 평가에 미치는 영향에 관한 논문은 다수 있지만, 기업가만을 대상으로 하여 사회적 네트워크와의 관계를 규명한 연구는 부족하다는 문제점이 있었다. 이 연구는 선행연구와는 달리 기업가들만을 대상으로 실증적인 조사를 시행하였으며, 사회적 네트워크와의 관계에 관한 연구도 함께 진행하였다. 연구를 위하여 중소/중견기업 기업가 150명을 대상으로 온라인 모바일 조사와 응답자의 자기기입식 설문지를 이용한 병행 조사 방법으로 설문조사를 실시하였다. 연구 결과, 독립변수인 기업가의 인지편향 중 과잉자신감과 통제 착각이 사업 기회 평가에 통계적으로 유의한 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 조절 변수인 사회적 네트워크는 과잉자신감이 사업 기회 평가에 미치는 영향을 조절한다는 것이 확인되었다. 이 연구는 기업가들이 인지편향을 긍정적으로 활용할 수 있는 방법과 사회적 네트워크의 영향력을 알려줌으로써, 기업가들이 신사업 기회를 평가하고 선택하는 과정에서 인지편향이 어떠한 역할을 하는지와 기업가의 인지편향이 신사업 기회 평가와 관련한 구조적 관계를 사회적 네트워크가 조절하는 역할을 한다는 것을 보여주었고, 기업가들뿐만 아니라 기업가 교육 및 정책 결정에도 큰 도움이 될 것으로 기대한다.