• Journal of Information Display
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• 제2권2호
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• pp.27-31
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• 2001

Transistor slicing refers to the use of multiple smaller transistors in implementing a large MOS transistor. What is special about transistor slicing is that it can reduce the effects of device non-uniformity introduced during the fabrication process. The paper presents the idea of transistor slicing and analyzes the benefits of using transistor slicing in the context of Poly-Si TFT-LCD driving.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.93-94
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• 2007

다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로 $SiN_x$, $SiO_2$의 이중 구조를 갖는다. 다양한 LDD에 따른 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압($V_{TH}$), ON/OFF 전류비 ($I_{ON}/I_{OFF}$), 포화전류($I_{DSAT}$)는 TFT의 보다 좋은 성능을 위해 연구된다. 짧은 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압은 작고, 포화전류의 값은 크다. 또한 긴 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT는 작은 kink effect를 가진다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.507-510
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• 1998

Performance of AMLCD pixels depends on the electrical characteristics of thin film transistor switches. The high quality of LCD can be obtained by minimizing the process and device variations of TFT. The effect of process and device factors on poly-Si TFT characteristics are calculated by ATHENA and ATLAS, and the optimized design windows based on statistical design of experiment are suggested for high performance 20 inch LCD are suggested for high performance 20 inch LCD monitors.

• Journal of Information Display
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• 제2권2호
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• pp.22-26
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• 2001

This paper presents the idea of staggered voting for the efficient TMR implementation of shift register chains for improving the yield of Poly-Si TFT-LCD driving circuits. The paper discusses the characteristic features of staggered voting and performs a quantitative evaluation of its effectiveness. Staggered voting allows us to improve the reliability of a single-voter TMR chain significantly when the probability of a voter failure is not negligible.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.3084-3087
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• 2000

본 논문은 대면적 Poly-Si TFT-LCD 구동회로의 면적을 줄이기 위한 효율적인 구동방식을 제안한다. 구체적으로 화소의 충전 시간을 줄이기 위한 화면 수평 분할 구동방식과 데이터 라인 프리차징 방식을 제안한다. 또한 수평분할 구동을 위한 Bit-Reduced R-DAC를 제안한다. 마지막으로 본 논문에서는 제안하는 구동 방식을 14 1" XGA 6-bit 일체형 디지털 Poly-Si TFT-LCD 구동회로에 적용하여 효용성을 검증한다 시뮬레이션 결과 계조별 평균 구동오차는 14mv로서 1/2 LSB(${\risingdotseq}$23mV) 정확도 요구 조건을 만족한다. 데이터 드라이버의 폭은 상 하단 각각 약 6mm이며 이는 기존 설계에 비해 66% 감소한 값이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.26-32
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• 2003

Then-channel poly-Si thin-film transistors (poly-Si TFT's) formed by solid phase crystallization (SPC) method on glass were measured to obtain the electrical parameters such as of I-V characteristics, mobility, leakage current, threshold voltage, and subthreshold slope. Then, devices were analyzed to obtain the reliability and appliability on TFT-LCD with large-size and high density. In n-channel poly-Si TFT with 5$\mu\textrm{m}$/2$\mu\textrm{m}$, 8$\mu\textrm{m}$, 30$\mu\textrm{m}$ devices of channel width/length, the field effect mobilities are 111, 116, 125 $\textrm{cm}^2$/V-s and leakage currents are 0.6, 0.1, and 0.02 pA/$\mu\textrm{m}$, respectively. Low threshold voltage and subthreshold slope, and good ON-OFF ratio are shown, as well. Thus. the poly-Si TFT's used by SPC are expected to be applied on TFT-LCD with large-size and high density, which can integrate the display panel and peripheral circuit on a targe glass substrate.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.857-859
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• 1999

본 연구에서는 Poly-Si TFT-LCD 패널에 내장할 수 있는 새로운 방식의 디지털 데이터 구동회로를 설계하였는데, 제안된 데이터 구동회로의 특징 및 장점을 요약하면 다음과 같다. 첫째, 단순한 구조의 샘플드램프 D/A Conversion 회로로 구성되어 회로가 복잡하지 않고, 소요되는 TFT의 수가 적으며, 패널의 스캔방식(Inversion Method : Row/Column/Dot)을 쉽게 선택할 수 있다. 둘째, 기존의 디지털 데이터 구동회로와는 달리, D/A Conversion을 위해 필요한 기준 전압원의 수가적어 입력 핀 수를 적게 가져갈 수 있다. 셋째, Ramp 신호의 조정에 의해 감마 보정 등을 포함한 데이터의 에러에 대한 보정이 수월하다. 넷째, 라인 스친 방식으로 구동하므로 기존의 샘플 앤 홀드방식의 아날로그 구동회로에 비해 화소 데이터의 시간적 안정성을 충분히 확보할 수 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권7호
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• pp.745-754
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• 1996

이글에서는 다음의 내용을 다루었다. 1. LCD의 기능 성능 향상, (1) CRT와 TFT-LCD의 기능, 성능 비교, (2) TFT-LCD의 기능, 성능향상을 위한 과제 2. TFT-LCD의 가격 및 수급현황 3. Poly-Si TFT-LCD전망 4. 투사형 TFT-LCD 5. 반사형 LCD 6. 필림형 LCD 7. 고분자 분산형 액정(PDLC)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.70-70
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• 1999

현재 TFT-LCD에서 주류를 이루고 있는 a-Si 으로는 SXGA급 이상의 LCD를 구현하는 데 그 자체 이동도(0.4~1.0cm2/Vs)의 한계 때문에 poly-Si(100~300cm2/Vs)을 사용하지 않을 수 없다. Poly-Si을 성장시키는 방법으로는 PECVD 방법, SPC 방법, Laser Annealing 방법등이 있으나 아직 이 모든 방법으로는 성장박막의 질, 즉 이동도, 균일성 등이 만족스럽지 못하다. 그 중에서 Laser Annealing 방법으로 저온에서 가장 좋은 막질을 얻고 있으나 균일성 및 생산성 향상면에서 여려움이 제기되고 있다. 따라서 차세대 TFT-LCD의 핵심소재인 poly-Si을 저온에서 유리기판위에 양질의 박막으로 성장시킬 수 있는 박막성장법이 절실하다. 본 연구에서 사용된 실리콘 이온 증착법은 Sidl 이온 상태로 직접 증착되므로 이온 에너지가 직접 결합에 기여하게 되고 동시에 이온 에너지는 전기적으로 제어되므로 박막 형성에 필요한 정정 에너지를 공급할 수 있다. 따라서 종래의 열에너지만을 이용한 방법보다 훨씬 낮은 온도에서 박막을 성장시킬 수 있었다. 3kV의 Cs+에 의해 sputter 된 Si beam- 에너지를 20~100eV, Si- flux를 약 4$\mu$A.cm2로 조절하며, 기판온도 300~45$0^{\circ}C$에서 각각 제조하였다. 30$0^{\circ}C$, 20~50eV에서 poly-Si임을 XRD 분석으로 확인 할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.71-73
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• 2002

본 연구에서는 TFT-LCD 의 동작특성을 정확하게 계산하기 위해 준 실험적인 TFT 모델을 사용하여 a-Si TFT poly-Si TFT, Organic TFT에 대하여 파라미터를 추출하였다. 이렇게 추출된 TFT의 파라미터를 TFT-LCD 등가회로에 적용하여 화소의 동작 특성에 관하여 연구하였다. 또한 보다 정확한 시뮬레이션을 위하여 VLSI분야에서 사용되는 준 실험적인 정정용량 모델과 액정의 특성과 인가된 전압에 의존하는 액정 용량모델들을 사용하여 화소의 충 방전 특성을 시뮬레이션 하였는데 대면적 고화질의 패널일수록 특성이 우수한 TFT가 적용되어야 하며, 유기 TFT를 TFT-LCD에 적용시키기 위하여 유기 TFT의 성능향상 및 고전압의 구동방식이 필요하게 된다.