• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.305-308
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• 2004

We present a novel process for the ultra low temperature (<150$^{\circ}C$) polycrystalline silicon (ULTPS) TFT for the flexible display applications on the plastic substrate. The sequential lateral solidification (SLS) was used for the crystallization of the amorphous silicon film deposited by rf magnetron sputtering, resulting in high mobility polycrystalline silicon (poly-Si) film. The gate dielectric was composed of thin $SiO_2$ formed by plasma oxidation and $Al_2O_3$ deposited by plasma enhanced atomic layer deposition. The breakdown field of gate dielectric on poly-Si film showed above 6.3 MV/cm. Laser activation reduced the source/drain resistance below 200 ${\Omega}$/ㅁ for n layer and 400 ${\Omega}$/ㅁ for p layer. The fabricated ULTPS TFT shows excellent performance with mobilities of 114 $cm^2$/Vs (nMOS) and 42 $cm^2$/Vs (pMOS), on/off current ratios of 4.20${\times}10^6$ (nMOS) and 5.7${\times}10^5$ (PMOS).

• 한국재료학회지
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• 제17권2호
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• pp.115-120
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• 2007

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) might be fabricated on the mica substrate and transferred to a flexible plastic substrate because mica can be easily cleaved into a thin layer. To overcome the adhesion and stress problem between poly-Si film and mica substrate, a buffer layer consisting of $SiO_x/Ta/Ti$ three layers has been developed. The $SiO_x$ layer is for electrical isolation, the Ti layer is for adhesion of $SiO_{x}$ and mica. and Ta is for stress relief between $SiO_x$ and Ti. A TFT was fabricated on the mica substrate by a conventional Si process and was successfully transferred to a plastic substrate.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권5호
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• pp.237-241
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• 2004

Amorphous silicon (a-Si) films are used in a broad range of solar cell, flat panel display, and sensor. Because of the greater ease of deposition and lower processing temperature, thin films are widely used for thin film transistors (TFTs). However, they have lower stability under the exposure of visible light and because of their low field effect mobility ($\mu$$_{FE}$ ) , less than 1 c $m^2$/Vs, they require a driving IC in the external circuits. On the other hand, polycrystalline silicon (poly-Si) thin films have superiority in $\mu$$_{FE}$ and optical stability in comparison to a-Si film. Many researches have been done to obtain high performance poly-Si because conventional methods such as excimer laser annealing, solid phase crystallization and metal induced crystallization have several difficulties to crystallize. In this paper, a new crystallization process using a molybdenum substrate has been proposed. As we use a flexible substrate, high temperature treatment and roll-to-roll process are possible. We have used a high temperature process above 75$0^{\circ}C$ to obtain poly-Si films on molybdenum substrates by a rapid thermal annealing (RTA) of the amorphous silicon (a-Si) layers. The properties of high temperature crystallized poly-Si studied, and poly-Si has been used for the fabrication of TFT. By this method, we are able to achieve high crystal volume fraction as well as high field effect mobility.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권10호
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• pp.17-22
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• 2004

본 논문에서는 진폭 변조와 펄스 폭 변조를 모두 사용하는 새로운 AMOLED 디스플레이 구동 방식을 개발하였다. 펄스 폭 변조를 위해서 다섯 개의 서브 프레임으로 화상 프레임을 나누었고 진폭 변조를 위해 TFT 게이트 전압에 의해 제어되는 3가지의 OLED 휘도(전류) 레벨을 사용하였다. 이 두 종류의 변조를 조합하여 35(=243) 계조를 얻었다. 그리고 DAC를 사용하지 않고 2개의 쉬프트 레지스터를 갖는 새로운 데이터 전극 구동 회로를 설계하였다. 회로 동작은 6㎛ 채널 길이 다결정 TFT의 전류-전압 특성에서 추출된 TFT 파라미터를 이용한 HSpice 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. 시뮬레이션 결과로부터 320×240, 이중 스캔, 243 계조 AMOLED 디스플레이를 구현할 수 있음을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.673-674
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• 2003

The reliability of TFT, crystallized by sequential lateral solidification (SLS) technology, has been studied High current damage is characterized by high gate bias (-20V) and drain bias (-10V). It is found that performance of SLS TFTs is enhanced by high current stress up to 300 sec of stress time for 20/8 (W/L) N-TFT. After that, TFT performance is degraded with the increase of the stress time. It is speculated from the experimental data that SLS TFTs initially contain a number of unstable defect states. Then, the defect states seem to be cured by high current stress.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.16-19
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• 2007

In this paper, we present work that has been carried out using the SLS process to control grain boundary(GB) location in TFT channel region and it is possible to locate the GB at the same location in the channel region of each TFT. We fabricated TFT by applying a new alignment SLS process and compared the TFT characteristics with a normal SLS method and the grain boundary location controlled SLS method. Also, we have analyzed degradation phenomena under hot carrier stress conditions for n-type LDD MOSFETs.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2006년도 추계학술발표논문집
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• pp.257-260
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• 2006

본 논문에서는 TFT-LCD 패널용 석영유리기판을 제작하여 투과율, OH함량, OH농도분포, 점도, 열팽창계수 등에 대한 특성 평가를 하였다. 그 결과 고온 poly-Si TFT-LCD용 기판으로의 사용 가능성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.252-252
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• 2011

최근 주목받고 있는 amorphous gallium-indium-zinc-oxide (a-GIZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT에 비해 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭을 가지므로 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 뿐만 아니라, 일반적인 Poly-Si TFT는 자체적으로 가지는 결정성에 의해 대면적화 시 균일성이 좋지 못하지만 GIZO는 비정질상 이기 때문에 백플레인의 대면적화에 유리하다는 장점이 있다. 이러한 TFT를 제작하기 전, 전기적 특성에 대한 정보를 얻거나 예측하는 것이 중요한데, 이에 따라 고안된 구조가 바로 metal point contact FET (pseudo FET)이다. pseudo FET은 소스/드레인 전극을 따로 증착할 필요 없이 채널을 증착한 후, 프로브 탐침을 채널의 표면에 적당한 압력으로 접촉시켜 전하를 공급하는 소스와 드레인처럼 동작시킬 수 있다. 따라서 소스/드레인을 증착하거나 lithography와 같은 추가적인 공정을 요구하지 않아 소자의 특성을 보다 간단하고 수월하게 분석할 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 p-type 기판위에 100nm의 oxidation SiO2를 게이트 절연막으로 사용하는 a-GIZO pseudo FET를 제작하였다. 소자 제작 후, 열처리 온도에 따른 전기적 특성을 분석하였고, 열처리 조건은 30분간 N2 분위기에서 실시하였다. 열처리 후 전기적 특성 분성 결과, 450oC에서 가장 낮은 subthreshold swing 값과 게이트 전압의 더블 스윕 후 문턱 전압의 변화가 거의 없음을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.119-123
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• 2004

This paper describes low temperature poly-Si (LTPS) TFT system on glass (SOG) technology developed in NEC. High resolution SOG-LCDs such as a 230 ppi reflective type LCD, a 2.5", 333 ppi 2D/3D autostereoscopic LCD, and a 2.1" single voltage driven full integration LCD for mobile applications and a 0.9", XGA light valve for projectors are reviewed from the perspective of the high resolution technologies

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.124-128
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• 2004

A Poly-Si and a ITO films with surface roughness 1.8 nm and 0.5 nm of root mean square ($R_{rms}$ vakue) values were developed, respectively. A 3 inch UXGA LTPS TFT-LCD with 667 ppi resolution and a 10 inch VGA LTPS OLED have been developed and demonstrated using PMOS technology.