Hwang Tae-Wook;Baldoni Gary;Tanikella Anand;Puthanangady Thomas
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.7
no.2
/
pp.62-66
/
2006
Advanced CMP conditioner design requires investigations of key conditioner manufacturing parameters and their effects on pad surface and then wafer performance. In the present investigation, diamond shape, concentration, distribution, and other key manufacturing parameters are considered to improve CMP process stability and conditioner life. Self avoiding random distribution ($SARD^{TM}$) of diamond abrasives has been developed and both numerical simulation and experimental results show very stable and reliable polishing performance.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
/
2006.09b
/
pp.1128-1129
/
2006
Currently Chemical Mechanical Planarization (CMP) has become an essential step in the overall semiconductor wafer fabrication technology. Especially the CMP pad conditioner, one of the diamond tools, is required to have strong diamond cohesion. Strong cohesion between diamond and metal matrix prevents macro scratch on the wafer during CMP Process. Typically the diamond tool has been manufactured by sintered, brazed and electro-plated methods. In this paper, some results will be reported of cohesion between diamond and metal matrix of the diamond tools prepared by three different manufacturing methods. The cohesion force of brazed diamond tool is found stronger than the others. This cohesion force is increased in reverse proportion to the contact area of diamond and metal matrix. The brazed diamond tool has a strong chemical combination of the interlayer composed of Cr in metal matrix and C in diamond, which enhance the interfacial cohesion strength between diamonds and metal matrix.
Park, Byeonghun;Park, Boumyoung;Jeon, Unchan;Lee, Hyunseop
Tribology and Lubricants
/
v.38
no.1
/
pp.1-7
/
2022
Chemical-mechanical polishing (CMP) process is a semiconductor process that planarizes a wafer surface using mechanical friction between a polishing pad and a substrate surface during a specific chemical reaction. During the CMP process, polishing pad conditioning is applied to prevent the rapid degradation of the polishing quality caused by polishing pad glazing through repeated material removal processes. However, during the conditioning process, uneven wear on the polishing pad is inevitable because the disk on which diamond particles are electrodeposited is used. Therefore, the abrasion of the polishing pad should be considered not only for the variables during the conditioning process but also when designing the CMP conditioning system. In this study, three design variables of the conditioning system were analyzed, and the effect on the pad wear profile during conditioning was investigated. The three design variables considered in this study were the length of the conditioner arm, diameter of the conditioner disk, and distance between centers. The Taguchi method was used for the experimental design. The effect of the three design variables on pad wear and uniformity was assessed, and new variables used in conditioning system design were proposed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2006.11a
/
pp.55-56
/
2006
This research was carried out to observe the structure and characteristics of SUBA pad for silicon wafer polishing. As the diamond size is smaller and shape is rounder, the pad cut rate becomes smaller. From the experimental results, we suggests that the diamond grade should be over 680 when the diamond mesh is between #100 and #170 for SUBA pad.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2006.11a
/
pp.359-361
/
2006
As circuits become increasingly complex and devices sizes shrinks, the demands placed on global planarization of higher level. Chemical Mechanical Polishing (CMP) is an indispensable manufacturing process used to achieve global planarity. In the CMP process, Diamond Disk (DD) plays an important role in the maintenance of removal rate. According to studies, the cause of removal rate decrease in the early or end stage of diamond disk lifetime comes from pad surface change. We also presented pad cutting rate (PCR) as a useful cutting ability index of DD and studied PCR trend about variable parameters that including size, hardness, shape of DD and RPM, pressure of conditioner It has been shown that PCR control ability of pressure and shape is superior to RPM and size. High pressure leads to a decrease of cell open ratio of pad surface because polyurethane of pad is destroyed by pressure. So low pressure high RPM condition is a proper removal rate sustain. By examining correlations between RPM and pressure of conditioner, it has been shown that PCR safe zoneto satisfy proper removal rate has the range 0.06mm/hr to 0.12mm/hr.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
/
2000.05a
/
pp.854-857
/
2000
Chemical Mechanical Polishing(CMP) has been accepted as one of the essential processes for VLSI fabrication. However, as the polishing process continues, pad pores get to be glazed by polishing residues, which hinder the supply of new slurry. This defect makes removal rate decrease with a number of polished wafer and the desired within-chip planarity, within wafer and wafer-to-wafer nonuniformity are unable to be achieved. So, pad conditioning is essential to overcome this defect. The eletroplated diamond grit disk is used as the conventional conditioner, And alumina long fiber, the .jet power of high pressure deionized water and vacuum compression are under investigation. But, these methods have the defects like scratches on wafer surface by out of diamond grits, subsidences of pad pores by over-conditioning, and the limits of conditioning effect. To improve these conditioning methods. this paper presents the Characteristics of Ultrasonic conditioning aided by cavitation.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.16
no.5
s.98
/
pp.40-47
/
1999
In CMP for semiconductor wafer films, the acceptable within-chip planarity, within-wafer and wafer-to-wafer nonuniformity could be achieved by conditioning. The role of conditioning is to remove continuously polishing residues from pad and to maintain the initial pad surface pores. To reach these requirements, the diamond grits disk has been considered as a conventional conditioner. However, we have investigated many defects as scratch on wafers out of diamond grits shedding, contaminations from bonding materials, and pad pore subsidences by over-conditioning. So, this paper studies the effect of ultrasonic vibration in CMP conditioning as a representative. The effect of ultrasonic vibration was certified through ILD, Metal CMP.
Chemical mechanical planarization (CMP) is a technology that planarizes the surfaces of semiconductor devices using chemical reaction and mechanical material removal, and it is an essential process in manufacturing highly integrated semiconductors. In the CMP process, a conditioning process using a diamond conditioner is applied to remove by-products generated during processing and ensure the surface roughness of the CMP pad. In previous studies, prediction of pad wear by CMP conditioning has depended on numerical analysis studies based on mathematical simulation. In this study, using an artificial neural network, the ratio of conditioner coverage to the distance between centers in the conditioning system is input, and the average conditioning density, standard deviation, nonuniformity (NU), and conditioning density distribution are trained as targets. The result of training seems to predict the target data well, although the average conditioning density, standard deviation, and NU in the contact area of wafer and pad and all areas of the pad have some errors. In addition, in the case of NU, the prediction calculated from the training results of the average conditioning density and standard deviation can reduce the error of training compared with the results predicted through training. The results of training on the conditioning density profile generally follow the target data well, confirming that the shape of the conditioning density profile can be predicted.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.16
no.5
/
pp.385-389
/
2003
There are four main components of the CMP process: polishing pad, slurry, elastic supporter, and pad conditioner. The polishing pad is an essential component to the reproducibility of polishing uniformity in CMP process. However, the polishing pad in recently using metal CMP raised the several points of high cost caused by the increase of cycle time and the many usage of slurry. It is necessary to develop the novel polishing pad which would lead the cost reduction by the higher pad life-cycle, minimized cycle time and lower slurry usage. The characteristics of polishing pad were studied on the effects of different sets of the Polishing pad, which can be applied to metal chemical mechanical polishing process for global planarization of multilevel interconnection structure. The main purpose of this experiment is cost reduction by the increase of pad life-time, the decrease of cycle time and the lower usage of slurry through the specific hard porous structured pad design. It is confirmed that the novel polishing pad made the slurry usage decrease to 60% as well as the pad life-time increase twice with the 25% improvement of removal rate. The polishing time could be decreased and it also helped the cycle time to diminish. It can be expected that this results will help both the process throughput and the device yield to be improved.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.