• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제14권12호
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• pp.7229-7235
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• 2013

Background: To determine whether the Health Partner Program is effective in training long-term cancer survivors to be health coaches. Materials and Methods: We randomly assigned cancer survivors who were selected through a rigorous screening process to either the Health Partner Program or the waiting-list control group. The program consisted of 8 weeks of training in health management, leadership, and coaching. At baseline, 8, and 16 weeks, we measured primary outcomes using the Seven Habit Profile (SHP), the Korean Leadership Coaching Competency Inventory (KCCI), Ed Diner's Satisfaction with Life Scale (SWLS), and the Posttraumatic Growth inventory (PTGI) and secondary outcomes using the Hospital Anxiety and Depression Scale (HADS), the Impact of Event Scale-Revised (IES-R), and the Medical Outcomes Study (MOS) short form 36-item questionnaire (SF-36). Results: We recruited 70 subjects and randomly assigned 34 to the intervention group. The Sharpen the Saw habit of the SHP increased significantly more in intervention group than in the control group (p=0.049), as did most PTGI factors. The intervention group also showed a significantly greater enhancement of vitality (p=0.015) and mental health (p=0.049) SF-36 scores but no improvement in KCCI, SWLS, HADS, or IES-R scores. The intervention group also showed a greater clinically meaningful improvement in the "Think Win-Win" of SHP (p=0.043) and in the personal strength score (p=0.025) and total score (p=0.015) of the PTGI. Conclusions: Long-term cancer survivors can benefit from the Health Partner Program to become health coaches.

• 한국가금학회지
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• 제33권2호
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• pp.151-158
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• 2006

본 실험은 Beta-glucan과 MOS의 복합제 $Safmannan^(R)$과 복 합생균제 $World-Labs^(R)$가 육계의 생산성과 영양소 이용율, 소장내 미생물 균총 및 면역 체계에 미치는 영향을 측정하기 위해 대조구에 $BMD^(R)$ 처리구, $Safmannan^(R)}$ 처리구 그리고 $World-Labs^(R)$ 처리구 등 4 처리구로 두었다. 실험의 결과를 종합해 보면 생산성에 있어서는 처리에 따른 유의한 차이는 나타나지 않았으나, 그 동안에 밝혀진 선행 실험들의 결과와 유사한 경향을 나타내었다. 즉, 생산지수에서 $BMD^(R)$ 처리구 가장 높고 다음으로 $Safmannan^(R)$ 처리구와 $World-Labs^(R)$ 처리구였으며 대조구가 가장 낮았다. IgG, ND titer 그리고 장내 균총들은 처리간에 유의한 차이를 나타내지 않았다. 그러나 백혈구 및 적혈구 계통의 혈액 분석 결과는 매우 유의한 차이를 나타내었는데, $World-Labs^(R)$ 처리구와 $Safmannan^(R)$ 처리구들은 $BMD^(R)$처리구와 대조구에 비해 leukocytes와 RBC 가 전반적으로 적었으며, 평균 적혈구 혈색소량(MCH)과 혈색소 농도(MCHC)는 높았다. 이렇게 뚜렷한 혈액 성분 분석치의 차이에 대한 임상 및 생리학적 의의는 앞으로 규명해야 할 과제이다. 장내 미생물의 결과는 통계적 유의차는 없었으나 괴사성 장염을 유발하는 Cl. perfringens가 $World-Labs^(R)$ 처리구에서는 검출되지 않았으며 영양소 이용율에서는 일부 아미노산과 조지방의 경우 $BMD^(R)$ 처리구가 가장 높았으며 조섬유의 경우 $World-Labs^(R)$ 처리구가 가장 높았다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2009년도 추계학술발표논문집
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• pp.484-486
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• 2009

본 연구는 본 연구는 입원중인 뇌졸중 환자들이 겪는 경제적 스트레스 및 우울이 삶의 질에 미치는 영향을 알아보기 위해 대전에 소재하고 있는 대학병원, 종합병원, 재활센터 등에서 치료를 받고 있는 뇌졸중환자 209명으로 하였다. 자료수집방법은 각각 구조화된 설문지를 통해 1:1 면접조사를 실시하였다. 연구도구는 경제적-불편감척도(Gore, 1978)와 Arruda J.E가 개발한 시각상사척도와 GHO-60(Goldberg, 1972), MOS SF-36(Ware 등, 1992)을 김건엽(2002)이 표준화한 23문항 중 삶의 질을 측정하는 12문항을 수정, 변경하여 사용하였다. 수집된 자료는 SPSS(Statistical for the Social Science)12.0을 이용하여 분석하였고, 뇌졸중 환자의 일반적 특성, 물리치료 관련 특성, 질병 관련 특성, 경제적 스트레스, 독립변수로 빈도와 백분율, 평균과 표준편차를 구하고, 전체 연구 대상자의 기술 역학적 특성을 파악하기 위하여 기술통계와 일반적 특성, 물리치료, 질병관련 특성에 따른 환자의 경제적 스트레스, 우울, 삶의 질과의 차이를 알아보기위해 t-검정과 일원분산분석(analysis of variance, ANOVA)을 사용하였다. 발병 후 가계수입(p<0.05), 재정적 압박 수준(p<0.01), 삶의 질(p>0.05), 생활수준(p<0.05)이 통계적으로 유의한 것으로 나타났다. 감정상태가 낮고 생활수준과 재정적 압박 정도가 매우 심할 경우 더 유의하게 경제적 스트레스 점수가 높게 나왔다. 이는 뇌졸중환자가 겪는 경제적 스트레스 요인이 우울과 함께 중요한 영향을 미치며,인구분석학적 결과를 보더라도 가구의 소득수준이 큰 영향을 미치는 것으로 건강에 대한 재정적 부담, 가족으로부터 소외 일과에의 영향, 올가미를 쓴 느낌 이상의 결과로 볼 때 본 연구에서는 시각적 감정 상태, 재정적 압박상태, 우울, 생활수준, 질병 관련 특성, 삶의 질을 위주로 하여 경제적 스트레스 관련 요인을 살펴본 결과 후속연구에서는 보다 정확한 경제적 부담 수준을 측정하고 더불어 보다 객관적인 경제적 스트레스를 측정할 수 있는 도구를 이용하여 조사를 한다면 임상적으로 중요한 자료가 될 것이다. 또한 뇌졸중 환자의 경제적 스트레스를 감소하고 삶의 질 수준을 증진시킬 수 있는 치료적 중재의 개발이 절실히 요구된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권4호
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• pp.62-68
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• 2010

본 논문에서는 주로 소면적 구현을 위하여 세그먼트 부분 정합 기법을 적용한 10비트 100MS/s DAC를 제안한다. 제안하는 DAC는 비교적 적은 수의 소자로도 요구되는 선형성을 유지하면서 고속으로 부하저항의 구동이 가능한 세그먼트 전류 구동방식 구조를 사용하였으며, 제안하는 세그먼트 부분 정합 기법을 적용하여 정합이 필요한 전류 셀들의 숫자와 크기를 줄였다. 또한, 전류 셀에는 작은 크기의 소자를 사용하면서도 높은 출력 임피던스를 얻을 수 있도록 이중-캐스코드 구조를 채용하였다. 시제품 DAC는 0.13um CMOS 공정으로 제작되었으며, 유효 면적의 크기는 $0.13mm^2$이다. 시제품 측정 결과, 3.3V의 전원전압과 $1V_{p-p}$의 단일 출력 범위 조건에서 $50{\Omega}$의 부하저항을 구동할 때 DNL 및 INL은 각각 -0.73LSB, -0.76LSB 수준이며, SFDR은 100MS/s의 동작 속도에서 최대 58.6dB이다.

• 미생물학회지
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• 제54권2호
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• pp.126-135
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• 2018

여러 종류의 mannanase를 생산하는 Cellulosimicrobium sp. YB-43으로부터 mannanase B를 암호하는 manB 유전자와 효소의 특성이 보고된 바 있다. Mannanase C (ManC)로 명명한 효소의 유전자가 manB 유전자의 하류에 위치한 것으로 예상되어 이를 중합효소 연쇄반응으로 클로닝하여 manC 유전자의 염기서열을 결정하였다. ManC는 448 아미노산 잔기로 구성된 것으로 확인되었으며 glycosyl hydrolase family 5에 속하는 mannanase와 상동성이 높은 활성영역과 탄수화물 결합영역(CBM2)이 존재하였다. ManC의 활성영역은 Streptomyces sp. SirexAA-E (55.8%; 4FK9_A) 및 S. thermoluteus (57.6%; BAM62868)의 mannanase와 아미노산 배열의 상동성이 55% 이상으로 가장 높았다. Signal peptide 영역이 제거되고 카르복실 말단에 hexahistidine이 연결되도록 제조한 His-tagged ManC (HtManC)의 유전자를 재조합 대장균에서 발현하여 균체 파쇄액으로부터 HtManC를 정제하였다. HtManC은 $65^{\circ}C$와 pH 7.5에서 최대 활성을 보였으며 pH 7.5~10범위에서 활성에 큰 변화가 없었다. HtManC는 locust bean gum (LBG)과 konjac에 대한 분해 활성이 guar gum과 ivory nut mannan (ivory nut)에 비해 높았다. 최적 반응조건에서 LBG를 기질로 하여 반응 동력학적 계수를 측정한 결과 Vmax와 Km이 68 U/mg과 0.45 mg/ml로 나타났다. HtManC에 의한 만노올리고당(MOS)과 mannan의 분해산물을 TLC로 관찰한 결과 mannobiose 보다 중합도가 큰MOS로부터 mannobiose와 mannotriose가 주된 분해산물로 생성되었다. 또한 LBG, konjac과 ivory nut의 분해산물로 mannobiose와 소량이 mannose가 공통적으로 관찰되었다.

• 한국재료학회지
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• 제2권1호
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• pp.43-51
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• 1992

초음파분무를 이웅한 MOCVD법으로 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막을 제조하였다. $300-450^{\circ}C$의 낮은 중착온도에서 페롭스카이트 구조를 가지는 결정화된 박막을 만들 수 있었으며, 출발용액의 조성과 증착온도의 조절에 의해 능면정상 또는 정방정상구조를 가지는 박막의 제조가 가능하였다. p형 실리콘 기판 위에 증착시킨 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막으로 제조한 MOS소자에 대한 1MHz C-V곡선의 퇴적영역에서 구한 유전율은 187이었다. Sawyer-Tower회로를 이용한 P-E 이력특성 조사결과 박막이 강유전특성을 가짐을 확인하였으며, 잔류분극은 $5.5{\mu}C/cm^2$이고 항전력은 65kV/cm이였다. 박막의 비저항은$10^{11}{\Omega}cm$ 정도이며 35kV/cm에서 절연파괴가 일어났다

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권1호
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• pp.47-51
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• 2013

A high power MOSFET switch based on a 0.35 ${\mu}m$ CMOS process has been developed for the protection IC of a rechargeable battery. In this process, a vertical double diffused MOS (VDMOS) using 3 ${\mu}m$-thick epi-taxy layer is integrated with a Zener diode. The p-n+Zener diode is fabricated on top of the VDMOS and used to protect the VDMOS from high voltage switching and electrostatic discharge voltage. A fully integrated digital circuit with power devices has also been developed for a rechargeable battery. The experiment indicates that both breakdown voltage and leakage current depend on the doping concentration of the Zener diode. The dependency of the breakdown voltage on doping concentration is in a trade-off relationship with that of the leakage current. The breakdown voltage is obtained to exceed 14 V and the leakage current is controlled under 0.5 ${\mu}A$. The proposed integrated module with the application of the power MOSFET indicates the high performance of the protection IC, where the overcharge delay time and detection voltage are controlled within 1.1 s and 4.2 V, respectively.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권1호통권20호
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• pp.69-76
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• 2007

본 논문에서는 CMOS 공정기반의 BiCMOS LVDS 구동기를 설계하여 고속 I/O 인터페이스에 적용하고자 한다. 칩 면적을 줄이고 LVDS 구동기의 감내성을 향상시키기 위해 lateral 바이폴라 트랜지스터를 설계하여 LVDS 구동기의 바이폴라 스위칭으로 대체하였다. 설계된 바이폴라 트랜지스터는 20가량의 전류이득을 지니며, 설계된 LVDS 드라이버 셀 면적은 $0.01mm^2$로 설계되었다. 설계된 LVDS 드라이버는 1.8V의 전원 전압에서 최대 2.8Gb/s의 데이터 전송속도를 가진다. 추가적으로 ESD 현상을 보호하기 위해 새로운 구조의 ESD 보호 소자를 설계하였다. 이는 SCR구조에서 PMOS, NMOS의 턴-온 특성을 이용 낮은 트리거링 전압과 래치 업 현상을 최소화 시킬 수 있다. 시뮬레이션 결과 2.2V의 트리거링 전압과 1.1V의 홀딩 전압을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.66-66
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• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.104-104
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• 2000

MOS소자의 크기가 작아짐에 따라 gate 유전막의 두께 또한 얇아져야 한다. 두께가 얇아짐에 따라 gate 유전막으로써 기존의 SiO2는 direct tunneling으로 인해 높은 누설전류를 수반한다. 그래서 높은 유전상술르 가지는 물질들에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 그중 CVD-Ta2O5는 차세대 MOSFET소자기술에 있어서 높은 유전상수($\varepsilon$r+25)와 우수한 step coverage 때문에 각광을 받고 있는 물질중에 하나이다. 본 연구에서는 Ta2O5를 gate를 유전막으로 사용하고 RTN처리와 wet oxidation을 접목시켜 이들의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있었다. p-형 wafer 위에 D2와 O2를 사용하여 SiO2(100 )를, NH3를 이용하여 Nitridation(10 )을 전처리로써 각각 실시하였고 그 위에 MOCVD방법으로 Ta2O5를 80 성장시켰다. 첫 번째 시편은 45$0^{\circ}C$ 10min동안 wet oxidation을 시켰고, 두 번째 시편은 $700^{\circ}C$ 60sec동안 NH3 분위기에서 RTN 처리를 하였다. 세 번째 시편은 동일조건으로 RTN 처리후 wet oxidation을 하였다. 그 후 각각의 시편을 capacitor를 제작하고 그 전기적 특성을 관찰하였다. Wet oxidation만을 시킨 시편은 as-deposited Ta2O5 시편에 비해서 -1.5V에서 누설전류는 약 2~3 order정도 감소되었고 accumulation 영역에서의 capacitance 값은 oxide층의 성장(5 )을 무시하면 거의 변화하지 않았다. RTN처리만 된 시편의 경우는 -1.5V에서 누설전류는 2~3order 정도 증가되었지만, accumulation 영역에서 capacitance 값은 거의 2qwork 증가하였다. 이 두가지 공정을 접목시킨 즉 RTN 처리후 wet oxidation 처리된 시편의 경우는 as-deposited Ta2O5 시편에 비해서 -1.5V에서 누설전류는 1 order 정도 감소하였고, accumulation 지역에서의 capacitance 값은 약 2배 증가하였다. 즉 as deposited Ta2O5 시편의 accumulation 지역의 capacitance 값은 12.8 fF/um2으로써 그 유효두께는 27.0 이었지만, RTN 처리후에 wet oxidation 시킨 시편의 accumulation 지역의 capacitance값은 21.2fF/um2으로써 그 유효두께는 16.3 이 되었다. 결론적으로 as deposited Ta2O5 시편에 RTN 처리후 wet oxidation을 실시한 결과 capacitance 값이 약 2배정도 증가하였고 누설전류는 약 1 order 정도 감소됨을 확인하였다.