• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.1885-1890
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• 2013

본 연구에서는 극저온에서 다중 게이트 구조인 나노스케일 p-채널 무접합(junctionless) 과 축적모드(accumulation mode) 다중 게이트 FET의 전기적 특성을 분석하였다. 헬륨을 사용하는 극저온 프로브 스테이션을 사용하여 소자를 측정하였다. 극저온과 낮은 드레인 전압에서 무접합 트랜지스터의 드레인 전류의 진동 현상이 축적모드 보다 심한 것을 알 수 있었다. 이는 무접합 트랜지스터에서는 채널이 실리콘 박막의 가운데 형성되므로 전기적 채널 폭이 축적모드 트랜지스터 보다 작기 때문이다. 온도가 증가할수록 드레인 전류가 증가하며 최대 전달 컨덕턴스도 증가하는 것을 알 수 있었다. 이는 온도가 증가할수록 문턱전압이 감소하며 이동도가 증가하는 데서 기인된 것을 알 수 있었다. 소자의 크기가 나노미터 레벨로 축소되면 양자현상에 의한 드레인 전류 진동이 상온에도 일어날 수 있다.

• Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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• 제43권3호
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• pp.169-173
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• 2016

Objective: To determine the preferred regimen for women with adenomyosis undergoing in vitro fertilization (IVF), we compared the IVF outcomes of fresh embryo transfer (ET) cycles with or without gonadotropin-releasing hormone (GnRH) agonist pretreatment and of frozenthawed embryo transfer (FET) cycles following GnRH agonist treatment. Methods: This retrospective study included 241 IVF cycles of women with adenomyosis from January 2006 to January 2012. Fresh ET cycles without (147 cycles, group A) or with (105 cycles, group B) GnRH agonist pretreatment, and FET cycles following GnRH agonist treatment (43 cycles, group C) were compared. Adenomyosis was identified by using transvaginal ultrasound at the initial workup and classified into focal and diffuse types. The IVF outcomes were also subanalyzed according to the adenomyotic region. Results: GnRH agonist pretreatment increased the stimulation duration ($11.5{\pm}2.1days$ vs. $9.9{\pm}2.0days$) and total dose of gonadotropin ($3,421{\pm}1,141IU$ vs. $2,588{\pm}1,192IU$), which resulted in a significantly higher number of retrieved oocytes ($10.0{\pm}8.2$ vs. $7.9{\pm}6.8$, p=0.013) in group B than in group A. Controlled ovarian stimulation for freezing resulted in a significantly higher number of retrieved oocytes ($14.3{\pm}9.2$ vs. $10.0{\pm}8.2$, p=0.022) with a lower dose of gonadotropin ($2,974{\pm}1,112IU$ vs. $3,421{\pm}1,141IU$, p=0.037) in group C than in group B. The clinical pregnancy rate in group C (39.5%) tended to be higher than those in groups B (30.5%) and A (25.2%) but without a significant difference. Conclusion: FET following GnRH agonist pretreatment tended to increase the pregnancy rate in patients with adenomyosis. Further largescale prospective studies are required to confirm this result.

• ETRI Journal
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• 제26권4호
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• pp.307-314
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• 2004

The application of a discrete pseudomorphic high electron mobility transistor (p-HEMT) as a grounded switch allows for the development of low cost phase shifters and phase modulators operating in a Ku band. This fills the gap in the development of phase control devices comprising p-i-n diodes and microwave monolithic integrated circuits (MMICs). This paper describes a discrete p-HEMT characterization and modeling in switching mode as well as the development of a low-cost four-bit phase shifter and direct quadrature phase shift keying (QPSK) modulator. The developed devices operate in a Ku band with parameters comparable to commercially available MMIC counterparts. Both of them are CMOS compatible and have no power consumption. The parameters of the QPSK modulator are very close to the requirements of available standards for satellite earth stations.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권4호
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• pp.78-83
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• 1998

A small size cartrideg for FET type electrolyte sensor is designed and faricated with much simplified process by using micromachining tenchiques such as silicon etching andglass bonding. Size of the whole cartideg is 2.4cm*2.5cm, and the dead volume of a micro flow-channel in the cartrideg is only 8.5.mu.l. The photosensitive polymer(THB 30) is used to define a micropool and to encapsulate the sensor surface for standardizationof electrolyte sensors. To miniaturize micro flow-channel conventional reference electrode(Ag/AgCl) a differential amplification is introduced using REFET and quasi reference electrode. Refet was fabricated using photosensitive polymer(OMR 83). The fabricated cartridge with built-in pH-ISFET showed good operational characteristics such as linearity and high sensitivity (55.4mV/pH) in a wide pH range(pH2-pH12).

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.35.2-35.2
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• 2011

나노와이어를 제작하는 많은 방법들 중에서 실리콘 기판을 무전해식각하여 실리콘 나노와이어를 제작하는 방법은 쉽고 간단하기 때문에 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 무전해식각법을 이용한 실리콘 나노와이어 합성은 단결정 실리콘 나노와이어를 합성할 수 있고, p 또는 n형의 도핑 정도에 따라 원하는 전기적 특성의 기판을 선택하여 제작할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 하지만 n형으로 도핑된 기판으로 나노와이어를 제작하였을 경우 식각으로 인한 나노와이어 표면의 거칠기로 인하여, 실제로는 n형 반도체 특성을 나타내지 않는 문제점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 무전해식각법으로 합성한 n형 나노와이어의 거칠기를 조절하고 filed-effect transistor (FET) 소자를 제작하여 나노와이어의 전기적 특성변화를 확인하였다. n형 나노와이어의 거칠기를 조절하기 위하여 열처리를 통해 표면을 산화시켰고, 열처리 시간에 따른 나노와이어 FET 소자를 제작하여 I-V 특성을 관찰하였다. 이때 절연막과 나노와이어 계면 사이의 결함을 최소화 하기 위하여 나노와이어를 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 부분 삽입시켰다. 나노와이어 표면의 거칠기는 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM)을 통하여 확인하였으며, 전기적 특성은 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage 값 등을 평가하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.67-76
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• 2000

본 논문에서는 INMARSAT 수신주파수인 1525-1545 MHz와 전세계 측위 시스템 수신주파수 15751 MHz 대역에서 초고주파용 수신장치로 사용되는 L-BAND(1525-1575 MHz)용 저잡음증폭기를 저항 결합회로를 사용하여 구현하였다. 사용된 저항 결합회로는 반사되는 전력이 정합 회로내의 저항에서 소모되므로 반사계수가 작아지고, 안정도도 개선되며, 또한 저잡음증폭기의 설계시 입력단 정합이 용이하였다. 저잡음증폭기의 구현에는 GaAs FET인 ATF-10136과 내부정합된 MMIC인 VNA-25를 이용하였으며, 알루미늄 기구물 안에 초고주파 회로와 자기 바이어스 회로를 함께 장착시켰다. 이렇게 제작된 저잡음증폭기는 32 dB의 이득, 0.8 dB 이하의 잡음지수와 18.6 dBm의 P1dB 출력을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.82-85
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• 1992

In this study, charge pumping method was used to investigate the Si-SiO$_2$interface characteristics of the nonvolatile SNOSFET memory devices, fabricated using the CMOS 1 Mbit processes (1.2$\mu\textrm{m}$ design rule), with thin oxide layer of 30${\AA}$ thick and nitride layer of 525${\AA}$ thick on the n-type silicon substrate (p-channel). Charge pumping current characteristics with the pulse base level were measured for various frequencies, falling times and rising times. By means of the charge dynamics in a non-steady state, the average Si-SiO$_2$interface state density and capture cross section were determined to be 3.565${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/eV$\^$-1/ and 4.834${\times}$10$\^$-16/$\textrm{cm}^2$, respectively. However Si-SiO$_2$ interface state densities were disributed 2.8${\times}$10$\^$-11/～5.6${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/～6${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/eV$\^$-1/ in the lover half of energy gap.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.637-640
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• 2008

The properties of oriented poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) in field effect transistors (FETs) have been investigated through mechanical stretching process as the original. Silicon-based FETs shown high mobility of $0.02\;cm^2/V$ s after thermal treatment and $0.0092\;cm^2/V$ s at r.t. PET-based FETs were expected to show a similar performance in mobility to that of silicon-based FETs.

• 전자통신동향분석
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• 제16권1호통권67호
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• pp.56-70
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• 2001

마이크로파대 이상의 높은 RF 전파는 신호레벨이 비교적 작고 간섭현상에 매우 민감한 특성을 가지고 있다. 따라서 이러한 미소한 입력전파의 수신시 수신기 전체의 감도를 높이고 잡음을 저감시킬 목적으로 사용되는 고주파 증폭기가 저잡음 증폭기이다. 본 고에서는 LNA의 기본적 특성분석과 지능형교통시스템에 응용되는 5.8GHz대 단거리전용통신용 LNA를 구현하기 위한 기본 FET 증폭기의 전기적 특성을 연구하고 직렬 궤환에 의한 최소잡음과 최소 입력 정재파비의 최적 설계 파라미터를 도출하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.873-876
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• 1999

A variable gain amplifier(VGA) for wireless LAN is designed using active feedback. The amplifier is controlled by the gate voltage in the feedback path. This amplifier has more than 30㏈ gain variation and a improved linearity in the RF receiver block as input voltage increases. An active feedback topology is used by P-HEMT and is also analyzed for FET equivalent model.