A predictable and manageable output is desirable for most businesses. However, it is very difficult to control the quality and quantity of products in the food and agriculture business. Predictable outputs help managers plan their marketing, sales, and inbound and outbound logistics, but these are not easy to achieve in the food and agriculture business. Various industries have adopted different levels of automation and utilization of information systems for quality/quantity control; however e-Commerce of the food and agriculture industry is far behind those of other industries. Today, the food and agriculture industry is supposed to be more integrated than ever in order to reduce risks and improve processing costs, from farm to table. Since its operations including production, processing, storage, distribution, and management are dispersed all over the world, the food and agricultural industries now depend more on IT than other industries. This study attempts to develop a framework to analyze the current situation of agricultural product e-Commerce in Korea, and finds out the actual situation of the farmers operating on-line shopping systems through the developed framework and suggests some improvements.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.53
no.1
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pp.59-67
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2016
A novel instrumentation amplifier (IA) using fully-differential linear operational transconductance amplifier (FLOTA) for electronic measurement systems with low cost, wideband, and gain control with wide range is designed. The IA consists of a FLOTA, two resistor, and an operational amplifier(op-amp). The principal of the operating is that the difference of two input voltages applied into FLOTA converts into two same difference currents, and then these current drive resistor of (+) terminal and feedback resistor of op-amp to obtain output voltage. To verify operating principal of the IA, we designed the FLOTA and realized the IA used commercial op-amp LF356. Simulation results show that the FLOTA has linearity error of 0.1% and offset current of 2.1uA at input dynamic range ${\pm}3.0V$. The IA had wide gain range from -20dB to 60dB by variation of only one resistor and -3dB frequency for the 60dB was 10MHz. The proposed IA also has merits without matching of external resistor and controllable offset voltage using the other resistor. The power dissipation of the IA is 105mW at supply voltage of ${\pm}5V$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.44
no.7
s.361
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pp.41-46
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2007
A novel post-linearization technique is proposed for CMOS cascode low noise amplifier (LNA). The technique uses dual common gate FETs one of which delivers the linear currents to a load and the other one sinks the $3^{rd}$ order intermodulation currents of output currents from the common source FET. Selective current branching can be implemented in $0.18{\mu}m$ CMOS process by using a thick oxide FET as an IM3 sinker with a normal FET as a linear current buffer. A differential LNA adopting this technique is designed at 2.14GHz. The measurement results show 11dBm IIP3, 15.5dB power gain and 2.85dB noise figure consuming 12.4mA from 1.8V power supply. Compared with the LNA with turning off the IM3 sinker, the proposed technique improves the IIP3 by 7.5 dB.
In the paper, the power amplifier using active biasing for LDMOS MRF-21060 is designed and fabricated. Driving amplifier using AH1 and parallel power amplifier AH11 is made to drive the LDMOS MRF 21060 power amplifier. The variation of current consumption in the fabricated 5 Watt power amplifier has an excellent characteristics of less than 0.1A, whereas passive biasing circuit dissipate more than 0.5A. The implemented power amplifier has the gain over 12 dB, the gain flatness of less than $\pm$0.09dB and input and output return loss of less than -19dB over the frequency range 2.11~2.17GHz. The DC operation point of this power amplifier at temperature variation from $0^{\circ}C$ to $60^{\circ}C$ is fixed by active circuit.
The purpose of this study is to use DEA modeling to make an analysis on 12 ODCYs in the hinterland of Busan North Port, so that it may propose possible ways to efficiently operate them. For analysis, this study adopted 3 input factors such as CY area, number of employees and number of cargo work equipments and also adopted 1 output factor, i.e. container throughput. According to the analysis DEA-CCR model, it was found that Chunil(YongDang CY) was the most efficient one among companies engaged in the operation of ODCY. And it was found that KCTC(YongDang CY), Kukbo(U-Am CY), KORAIL(BusanJin CY) and Hanjin (JaeSong CY) would need to boost the container throughput 5 or more times higher than current throughput with a view to improving cargo handling efficiency, while Sebang(U-Am CY), KCTC(U-Am CY), KCTC(YongDang CY), Hyopsung(YongDang CY) and Kukbo(U-Am CY) need to work on personnel restructuring targeted to current employees. Based on the analysis DEA-BCC model, it was found that Chunil(YongDang CY), Dongbu(ShinYoung GamMan CY), Intergis(GamMan CY) and Sebang(U-Am CY) were efficient companies, but KCTC(YongDang CY), Kukbo(U-Am CY), KORAIL(BusanJin CY) and Hanjin(JaeSong CY) were inefficient companies. Particularly, it was found that both KCTC(U-Am CY) and Kukbo(U-Am CY) would need to try harder to carry out personnel reshuffle than other comparable companies.
The solar cells of $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$, which are ITO thin films deposited and heated on Si wafer 190[$^{\circ}C$], were fabricated by two source vaccum deposition method, and their electrical properties were investigated. Its maximum output is obtained when the com- position of the thin film consist of indium oxide 91[mole %] and thin oxide 9[mole %]. The cell characteristics can be improved by annealing but are deteriorated at temperature above 600[$^{\circ}C$] for longer than 15[min]. Also, we investigated the spectral response with short circuit current of the cells and found that the increasing of the annealing caused the peak shifted to the long wavelength region. And by experiment of the X-ray diffraction, it is shown to grow the grains of the thin film with increasment of annealing temperature. The test results from the $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ solar cell are as follows. short circuit current : Isc= 31 $[mW/cm^2]$ open circuit voltage : Voc= 460[mV] fill factor : FF=0.71 conversion efficiency : ${\eta}$=11[%]. under the solar energy illumination of $100[mW/cm^2]$.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.1
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pp.9-14
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2016
This study evaluated a digital locking device design using detection distance of 13.4mm of a human body sensing type magnetic field coil. In contrast to digital locking devices that are used nowadays, the existing serial number entering buttons, lighting, number cover, corresponding pcb, exterior case, and data delivery cables have been deleted and are only composed of control ON/OFF power switches and emergency terminals. When the magnetic field coil substrates installed inside the inner case detects the electric resistance delivered from the opposite side of the 12mm interval exterior contacting the glass body part, the corresponding induced current flows. At this time, the magnetic field coil takes the role as a sensor when coil frequency of the circular coil is transformed. The magnetic coil as a sensor detects a change in the oscillation frequency output before and after the body is detected. This is then amplified to larger than 2,000%, transformed into digital signals, and delivered to exclusive software to compare and search for embedded data. The detection time followed by the touch area of the body standard to a $12.8{\emptyset}$ magnetic field coil was 30% contrast at 0.08sec and 80% contrast at 0.03sec, in which the detection distance was 13.4mm, showing the best level.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.329-329
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2007
Photoconductive poly crystalline lead oxide coated on amorphous thin film transistor (TFT) arrays is the best candidate for direct digital x-ray detector for medical imaging. Thicker films with lessening density often show lower x-ray induced charge generation and collection becomes less efficient. In this work, we present a new methodology used for the high density deposition of PbO. We investigate the structural properties of the films using X-ray diffraction and electron microscopy experiments. The film coatings of approximately $200\;{\mu}m$ thickness were deposited on $2"{\times}2"$ conductive-coated glass substrates for measurements of dark current and x-ray sensitivity. The lead oxide (PbO) films of $200\;{\mu}m$ thickness were deposited on glass substrates using a wet coating process in room temperature. The influence of post-deposition annealing on the characteristics of the lead oxide films was investigated in detail. X-ray diffraction and scanning electron microscopy, and atomic force microscopy have been employed to obtain information on the morphology and crystallization of the films. Also we measured dark current, x-ray sensitivity and linearity for investigation of the electrical characteristics of films. It was found that the annealing conditions strongly affect the electrical properties of the films. The x-ray induced output charges of films annealed in oxygen gas increases dramatically with increasing annealing temperatures up to $500^{\circ}C$ but then drops for higher temperature anneals. Consequently, the more we increase the annealing temperatures, the better density and film quality of the lead oxide. Analysis of this data suggests that incorporation and decomposition reactions of oxygen can be controlled to change the detection properties of the lead oxide film significantly. Post-deposition thermal annealing is also used for densely film. The PbO films that are grown by new methodology exhibit good morphology of high density structure and provide less than $10\;pA/mm^2$ dark currents as they show saturation in gain (at approximate fields of $4\;V/{\mu}m$). The ability to operate at low voltage gives adequate dark currents for most applications and allows voltage electronics designs.
Park, Daehan;Han, Ji-Hoon;Kim, Taeheon;Pak, Jungho
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.67
no.12
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pp.1626-1632
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2018
In this paper, we describe the fabrication and characterization of a hydrogen peroxide ($H_2O_2$) sensor based on palladium and copper (PdCu) electroplated laser induced graphene (LIG) electrodes. $CO_2$ laser was used to form LIG electrodes on a PI film. This fabrication method allows simple control of the LIG electrode size and shape. The PdCu was electrochemically deposited on the LIG electrodes to improve the electrocatalytic reaction with $H_2O_2$. The electrochemical performance of this sensor was evaluated in terms of selectivity, sensitivity, and linearity. The physical characterization of this sensor was conducted using scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS), which confirmed that PdCu was formed on the laser induced graphene electrode. In order to increase the sensor sensitivity, the Pd:Cu ratio of the electroplated PdCu was varied to five different values and the condition of highest amperometric current at an identical of $H_2O_2$ concentration was chosen among them. The resulting amperometric current was highest when the ratio of Pd:Cu was 7:3 and this Pd;Cu ratio was employed in the sensor fabrication. The fabricated PdCu/LIG electrode based $H_2O_2$ sensor exhibited a sensitivity of $139.4{\mu}A/mM{\cdot}cm^2$, a broad linear range between 0 mM and 16 mM of $H_2O_2$ concentrations at applied potential of -0.15 V, and high reproducibility (RSD = 2.6%). The selectivity of the fabricated sensors was also evaluated by applying ascorbic acid, glucose, and lactose separately onto the sensor in order to see if the sensor ourput is affected by one of them and the sensor output was not affected. In conclusion, the proposed PdCu/LIG electrode based $H_2O_2$ sensor seems to be suitable $H_2O_2$ sensor in various applications.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.14
no.2
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pp.309-316
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2019
In this paper, a low-jitter delay-locked loop that compensates for local clock skew is presented. The proposed DLL consists of a phase splitter, a phase detector(PD), a charge pump, a bias generator, a voltage-controlled delay line(VCDL), and a level converter. The VCDL uses self-biased delay cells using current mode logic(CML) to have insensitive characteristics to temperature and supply noises. The phase splitter generates two reference clocks which are used as the differential inputs of the VCDL. The PD uses the only single clock from the phase splitter because the PD in the proposed circuit uses CMOS logic that consumes less power compared to CML. Therefore, the output of the VCDL is also converted to the rail-to-rail signal by the level converter for the PD as well as the local clock distribution circuit. The proposed circuit has been designed with a $0.13-{\mu}m$ CMOS process. A global CLK with a frequency of 1-GHz is externally applied to the circuit. As a result, after about 19 cycles, the proposed DLL is locked at a point that the control voltage is 597.83mV with the jitter of 1.05ps.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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