In this work, we studied the effects of Sn addition on the ordering temperature of FePt thin film. The coercivity of FePtSn film was about 1000 Oe greater than the coercivity of FePt film for an annealing temperature of $600^{\circ}C$. Therefore, Sn addition was effective in promoting the $L1_0$ ordering and in reducing the ordering temperature of the FePt film. From our X-ray diffraction results, we found that in the as-deposited film, the addition of Sn induced a lattice expansion in disordered FePt thin films. After the annealing process, the excess Sn diffuses out from the ordered FePt thin film because of the difference in the solid solubility of Sn between the disordered and ordered phases. The existence of precipitates of Sn from the FePt lattice was deduced by Curie temperature measurements of the FePt and FePtSn films. Therefore, the key role played by the addition of Sn to the FePt film can be explained by a reduction in the activation energy for the $L1_0$ order-disorder transformation of FePt which originates from the high internal stress in the disordered phase induced by the supersaturated Sn atoms.
The effects of the ordering reaction on high temperature mechanical behavior is investigated by tensile tests at $2{\times}10^{-2}/s-3.3{\times}10^{-5}/s$ up to $745^{\circ}C$. The tensile deformed region is examined by differential scanning calorimeter (DSC), TEM, and high resolution neutron diffraction (HRPD). The results showed that a plateau of tensile strength appeared at $150-500^{\circ}C$ whereas the elongation minimum occurred at about $600^{\circ}C$. This suggests that the occurrence of a plateau does not cause the elongation minimum. The temperature of the elongation minimum decreases with the strain rate. HRPD results show a lattice contraction in the tensile deformed specimen at the temperature of the plateau occurring region. The plateau of tensile strength, the lattice contraction, and the occurrence of serration appeared in the same temperature region.
We have investigated sintering effects on Fe/Mo ordering and magnetoresistance (MR) in double perovskite-reflection lines due to $Sr_2FeMoO_6$ (SFMO). Polycrystalline samples have been prepared by the conventional solid-state reaction by sintering in a stream of 5% $H_2/Ar$ gas. All samples are single phase and exhibit a series of superstructurecation ordering at Fe and Mo sites. As sintering temperature increases from 900 to $1300^{\circ}C$, the degree of Fe/Mo ordering increases from 82 to 92%, magnetization (15 K, 7 kOe) increases from 1.6 to 2.7 ${\mu}_B/f.u.,$ and Curie temperature increases at a rate of 4.3 K/% with the increase of Fe/Mo ordering ratio. The magnitude of MR measured at 5 K is 19% for sample prepared at $1000^{\circ}C$ with magnetic fields of 7 kOe. The observed MR is proportional to the square of magnetization indicating that the MR feature in SFMO is explained by the spin-polarized tunneling at grain boundaries.
$(TMTSF)_2BF_4$ containing non-centrosymmetric anions is well known to exhibit a metal insulator transition around 37 K by ordering of the anions with a $q_2$=(1/2, 1/2, 1/2) wave vector. We established pressure-temperature phase diagram of the $(TMTSF)_2BF_4$ compound and showed that it can belong to the general phase diagram of the $(TMTSF)_2X$ family. Application of hydrostatic pressure decreases the anion ordering transition temperature and the superconducting state is finally stabilized below 3.77 K under 7.7 kbar. Magnetoresistance measurement on the $(TMTSF)_2BF_4$ under 7.8 kbar is performed but neither the field-induced spin-density-wave state nor the rapid oscillation is observed up to 9 T.
Byun, Hye Ryoung;Ryu, Mee-Yi;Song, Jin Dong;Lee, Chang Lyul
Applied Science and Convergence Technology
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v.24
no.1
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pp.22-26
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2015
The optical properties of InP/GaP short-period superlattice (SPS) structures grown at various temperatures from $400^{\circ}C$ to $490^{\circ}C$ have been investigated by using temperature-dependent photoluminescence (PL) and emission wavelength-dependent time-resolved PL measurements. The PL peak energy for SPS samples decreases as the growth temperature increases. The decreased PL energy of ~10 meV for the sample grown at $425^{\circ}C$ compared to that for $400^{\circ}C$-grown sample is due to the CuPt-B type ordering, while the SPS samples grown at $460^{\circ}C$ and $490^{\circ}C$ exhibit the significant reduction of the PL peak energies due to the combined effects of the formation of lateral composition modulation (LCM) and CuPt-B type ordering. The SPS samples with LCM structure show the enhanced carrier lifetime due to the spatial separation of carriers. This study represents that the bandgap energy of InP/GaP SPS structures can be controlled by varying growth temperature, leading to LCM formation and CuPt-B type ordering.
We have studied the phase separation and ordering phenomeon of InAlAs epilayers grown on InP substrate by LP-MOCVD with DCXRD, PL, and TEM. From the intensity and FWHM of DCXRD and PL, we observed that the structural and optical quality of InAlAs epilayers were improved as growth temperature increased. The band-gap reduction due to phase separation and ordering is 291, 246, and 28 meV in the InAlAs epilayers grown at $565^{\circ}C$, $615^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$, respectively, and shows the same from the InAlAs epilayer town at 5$65^{\circ}C$ in which the HRTEM micrograph showed the lattice fringe between InAs-rich and AlAs-rich regions was tilted by $2^{\circ}$ due to composition difference. However the maximum degree of ordering by intensity of extra spots was obtained at medium growth temperature. The annealing experiment by RTA of sample grown at $565^{\circ}$ shows a maximum band-gap shift of 78eV at $880^{\circ}$ for 3 min, and TEM shows that the origin of the blue shift of band-gap is the complete disappearance of ordering. Through annealing we can conclude that short time annealing affects only ordering and that most of the total band-gap reduction (~3/4) occurs by phase separation.
A statistical thermodynamic theory of thermotropic main-chain polymeric liquid crystalline melts is developed within the framework of the lattice model by a generalization of the well-known procedure of Flory and DiMarzio. According to the results of Vasilenko et al., the theory of orientational ordering in melts of polymers containing rigid and flexible segments in the main chain is taken into account. When the ordering of flexible segments in the nematic melt is correlated with that of rigid mesogenic groups, the former is assumed to be given as a function of the ordering of rigid mesogenic cores. A free energy density that includes short-range packing contributions is formulated. The properties of the liquid-crystalline transiton are investigated for various cases of the system. The results calculated in this paper show not only the order-parameter values but also the first-order phase transition phenomena that are similar to those observed experimentally for the thermotropic liquid-crystalline polymers and show the transitional entropy terms which actually increase upon orientational ordering. In the orientational ordering values, it is shown that mesogenic groups, flexible segments, and gauche energy (temperature) may be quite substantial. Finally, by using the flexibility term, we predict the highly anisotropic mesophase which was shown by Vasilenko et al.
High-crystallinity poly(3-hexylthiophene) (P3HT) thin films were prepared by aging the precursor solutions, prepared using a good solvent, chloroform, at low temperatures prior to spin-casting. Lower solution temperatures significantly improved the molecular ordering in the spin-cast P3HT films and, therefore, the electrical properties of field-effect transistors prepared using these films. Solution cooling enhanced the electrical properties by shifting the P3HT configuration equilibrium away from random coils and toward more ordered aggregates. At room temperature, the P3HT molecules were completely solvated in chloroform and adopted a random coil conformation. Upon cooling, however, the chloroform poorly solvated the P3HT molecules, favoring the formation of ordered P3HT aggregates, which then yielded more highly crystalline molecular ordering in the P3HT thin films produced from the solution.
We have studied the effect of sintering temperature and time on the cation ordering and second phase formation in Ba(Mg/sub 1/3/Nb/sub 2/3/)O₃(BMN) microwave ceramics by using transmission electron microscopy. The relationship between the structural-chemical behavior arid microwave dielectric properties has also been investigated. It is revealed that according to the sintering conditions the BMN ceramics show very diverse local ordering behavior, such as the development of domain twinning and "core-shell"-structured grains and the formation of local disordered domains, though having 1 : 2 cation ordering structure basically. The disordered structure is found in Mg-excess region. Such local chemical variation seems to be caused by the formation of BaNb₂O/sub 6/-like second phase in its neigh-boring grain boundary. The microwave dielectric quality factor of the ceramics decreases greatly with the increase of the structural-chemical inhomogeneity and diversity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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