• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.82-85
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• 1992

In this study, charge pumping method was used to investigate the Si-SiO$_2$interface characteristics of the nonvolatile SNOSFET memory devices, fabricated using the CMOS 1 Mbit processes (1.2$\mu\textrm{m}$ design rule), with thin oxide layer of 30${\AA}$ thick and nitride layer of 525${\AA}$ thick on the n-type silicon substrate (p-channel). Charge pumping current characteristics with the pulse base level were measured for various frequencies, falling times and rising times. By means of the charge dynamics in a non-steady state, the average Si-SiO$_2$interface state density and capture cross section were determined to be 3.565${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/eV$\^$-1/ and 4.834${\times}$10$\^$-16/$\textrm{cm}^2$, respectively. However Si-SiO$_2$ interface state densities were disributed 2.8${\times}$10$\^$-11/～5.6${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/～6${\times}$10$\^$11/cm$\^$-2/eV$\^$-1/ in the lover half of energy gap.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2007

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조는 기억소자의 전하보유 능력을 향상시키기 위해 도입된 게이트 절연막이다. 본 연구에서는 ELA(Excimer Laser Annealing)방법으로 비정질 실리콘을 결정화 시켜서 그 위에 NVM(Nonvolatile Memory)소자를 만들어 전기적 특성을 측정하여 결과를 나타내었다. 실험 결과 같은 크기의 $V_D$에서 $V_G$를 조절함으로써 $I_D$의 크기를 조절할 수 있었다. $V_G-I_D$ Graph에서는 $I_{on}$과 $I_{off}$, 그리고 Threshold Voltage를 알 수 있었다. $I_{on}/I_{off}$ Ratio는 $10^3-10^4$이다. $V_G-I_D$ Graph에서는 게이트에 인가하는 Bias의 양을 통해서 Threshold Voltage의 크기를 조절할 수 있었다. 이는 Trap되는 Charge의 양을 임의로 조절할 수 있다는 것을 의미하며, 이러한 Programming과 Erasing의 특성을 이용하여 기억소자로서의 역할을 수행하게 된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1265-1267
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• 1993

The switching and the retention characteristics with the injection conditions(pulse height and pulse width) were investigated in the nonvolatile MNOS memories with thin oxide layer of $23{\AA}$ thick. The shift of flatband voltage was measured using the fast ramp C-V method and experimental results were analized using the previously developed models. It was shown that the experimental results were described quit well by the trap-assisted and modified Fowler-Nordheim tunneling models for the voltage pulse of $15V{\sim}19V,\;24V{\sim}25V$, respectively. However, the direct tunneling model was agreement with experimental values in all range of pulse height. As increasing the initial shift of the flatband voltage, the decay rate was increased. But for the same initial shift of the flatband voltage, the decay rate was smaller for low and long pulse than for high and short one.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.15-16
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• 2005

Chalcogenide phase change memory has high performance to be next generation memory, because it is a nonvolatile memory processing high programming speed, low programming voltage, high sensing margin, low consumption and long cycle duration. We have developed a new material of PRAM with $Ge_1Se_1Te_2$. This material has been propose to solve the high energy consumption and high programming current. We have investigated the phase transition behaviors in function of various process factor including contact size, cell size, and annealing time. As a result, we have observed that programming voltage and writing current of $Ge_1Se_1Te_2$ are more improved than $Ge_2Sb_2Te_5$ material.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제22권4호
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• pp.536-544
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• 2019

During the assembly and function inspection of missile system, flight simulation process is required. In the conventional flight simulation check of missiles, an inertial navigation system simulator was used to transmit the navigation output data acquired in HILS. There are several disadvantages in terms of check configuration complexity and data synchronization when using the simulator. So we proposed a new flight simulation method that utilizes the nonvolatile built-in memory of the aviation control unit. The data processing procedure and operation procedure of the proposed method for type I and type II missiles are presented. And we analyzed the causes of the difference between proposed method result and the HILS result for type II missile. By comparing the results obtained by the experiments using the proposed method with the results of HILS, the validity of proposed method was confirmed.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제49권2호
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• pp.169-180
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• 2021

Inherent crystalline domains present in low formaldehyde to urea (F/U) molar ratio urea-formaldehyde (UF) resins are responsible for their poor adhesion in wood-based composite panels. To modify the crystallinity of low molar ratio (LMR) UF resins, this study investigates the additional effect of cellulose nanomaterials (CNMs), such as cellulose microfibrils (CMFs), cellulose nanofibrils (CNFs), and TEMPO-oxidized CNFs (TEMPO-CNFs) on the crystallinity of modified LMR UF resins. First, two modification methods (post-mixing and in situ) were compared for modified LMR UF resins with TEMPO-CNFs. The modified UF resins with TEMPO-CNFs decreased the nonvolatile solid contents, while increasing the viscosity and gel time. However, the in situ modification of UF resins with TEMPO-CNFs showed lower crystallinity than that of post-mixing. Then, the in situ method was compared for all CNMs to modify LMR UF resins. The modified UF resins with CMFs using the in situ method increased nonvolatile solid contents and viscosity but decreased the gel time. The crystallinity of UF resins modified with TEMPO-CNFs was the lowest even though the crystalline domains were not significantly changed for all modified UF resins. These results suggest that these CNMs should be modified to prevent the formation of crystalline domains in LMR UF resins.

• 폴리머
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• 제25권1호
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• pp.142-150
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• 2001

그 동안 고무산업 현장에서는 유기용제계 고무 접착제를 사용하여 왔으며 이로인해 품질의 불균일성과 화재위험성 및 인체유해성이 상존하여 왔다. 이를 해결하기 위해 비휘발성, 고인화점인 탄화수소계 원료를 사용하여 새로운 용액을 개발하였으며 이 용액은 인체에 대한 유해성이 매우 적으며 증발이 되지 않으므로 화재위험 및 환경적인 문제를 해결할 수 있었다. 새로운 용액은 기존 제품에 사용되어 온 고무계 binder대신 고무면으로 비휘발성 용제가 침투, 팽윤 현상을 일으켜 고무면 끼리 접착을 유도하는 새로운 개념의 제품이며 접착력 유지 시간이 기존 제품에 비해 현저히 개선되었다. 또한 내구력 면에서도 기존품과 비교할 때 유사한 양상을 보이므로 팽윤 현상으로 인한 물성저하가 나타나지 않았으며 각종 첨가제와도 반응성이 없는 안정한 제품이었다. 기존품의 경우 가교 후 절단면에서 가스로 인한 균열이 발생한 반면 새로운 제품의 경우는 이러한 현상이 발생하지 않았다.

• 한국식품과학회지
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• 제20권3호
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• pp.293-302
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• 1988

본 연구는 모과의 비휘발성 성분에 과한 조성을 규명하기 위한 기초 연구 과제로써 행하여졌다. 주요 비휘발성 성분은 유리 아미노산의 경우 valine, asparagin ${\gamma}-aminobutyric\;acid$, aspartic acid 와 serine 이 전체의 72%를 차지하고 arginine, tyrosine, methionine과 tryptophan은 거의 검출되지 않아다. Peptide 구성 아미노산으로는 주로 glutamic acid와 glutamine이었으며 cysteic acid, methione sulfone과 tryptophan은 검출되지 않았다. 핵산관련 물질의 분석 결과 cytosine, UMP, CMP는 소량 존재하셨으며 GMP, IMP, AMP는 검출되지 않았다. 당 분석결과 주성분은 glucose, sorbose, sucrose, fructose였으며 fructose 함량이 가장 높은 것으로 판명되었다. GC 및 GC-MS방법에 의해 총 11성분의 유기산이 동정 되었으며 이들중 tartaric acid및 ${\alpha}-ketoglutaric\;acid$가 주성분이었다. 정량된 총 비타민 C 함량은 386.6 mg%였으며 ascorbic-acid dehydroascorbic acid와 2,3-diketo-L-gulonic acid는 각각 28.8mg%, 154.5mg%, 197.3mg%였다. 무기성분으로는 칼슘과 인이 주요 성분으로 나타났으며 카드뮴, 구리, 납은 소량 존재하였다. 모과의 천연 및 합성 extract에 대한 관능검사의 결과 유리형, 아미노산, 당, 유기산, 비타민 C및 무기질의 맛의 주성분으로 판명되었다. 따라서 모과의 향미 성분 중 비휘발성 성분은 주로 상기 다섯 그룹에 의해서 나타남을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.609-614
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• 2014

The fringe field effects on the transient characteristics of nano-electromechanical (NEM) memory cells have been discussed by using an analytical model. The influence of fringe field becomes stronger as the size of a cell decreases. By using the proposed model, the dependency of NEM memory transient characteristics on cell parameters has been evaluated.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제32회 학술대회 초록집
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• pp.149-149
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• 2007