One of the most important issues of crystalline silicon solar cell is minimizing reflectance at the surface. Laser texturing is an isotropic process that will sculpt the surface of a silicon wafer, regardless of its crystallographic orientation. We investigated surface texturing process using Nd-YAG laser ($\lambda$=1064 nm) on multi-crystalline silicon wafer. Removal of slag formed after the laser process was performed using acid solution (HF : $HNO_3$ : $CH_3COOH$ : DI water). The reflectance and carrier lifetime of the samples were measured and analyzed using UV-Vis spectrophotometer and carrier lifetime tester. It was found that the minimum reflectance of the samples was 16.39% and maximum carrier life time was $21.8\;{\mu}s$.
Iftiquar, Sk Md;Park, Jinjoo;Shin, Jonghoon;Jung, Junhee;Bong, Sungjae;Dao, Vinh Ai;Yi, Junsin
Current Photovoltaic Research
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제2권2호
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pp.41-47
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2014
Extensive investigation on silicon based thin film reveals a wide range of film characteristics, from low optical gap to high optical gap, from amorphous to micro-crystalline silicon etc. Fabrication of single junction, tandem and triple junction solar cell with suitable materials, indicate that fabrication of solar cell of a relatively moderate efficiency is possible with a better light induced stability. Due to these investigations, various competing materials like wide band gap silicon carbide and silicon oxide, low band gap micro-crystalline silicon and silicon germanium etc were also prepared and applied to the solar cells. Such a multi-junction solar cell can be a technologically promising photo-voltaic device, as the external quantum efficiency of such a cell covers a wider spectral range.
2차원 고상 핵자기 공명기(2-dimensional solid-state NMR, 이하 2차원 고상NMR)와 관련된 기술과 이론의 발전과 더불어 획기적으로 증가한 스펙트럼의 분해능으로 기존의 일차원 NMR 로는 얻을 수 없었던, 비정질 규산염(유리질, 용융체, silicate glasses and melts)의 다양한 원자-분자 단위의 구조를 규명할 수 있다. 본 논문에서는 이러한 2차원 고상 NMR 방법론의 하나인 3QMAS NMR을 이용하여 이전까지 알려지지 않았던 고압환경에서의 비정질 지구물질의 원자/분자 구조에 대한 최근의 연구결과를 간략히 소개한다.
The thermal decomposition behavior and degradation characteristics off our different thermotropic liquid crystalline polymers (TLCPs) were studied. The thermal decomposition behavior was determined by means of thermogravimetric analysis (TGA) at different heating rates in nitrogen and air. The order of the thermal stability was as follows: multi-aromatic polyester > hydroxybenzoic acid (HBA)/hydroxynaphthoic acid (HNA) copolyester > HNA/hydroxyl acetaniline (HAA)/terephthalic acid (TA) copolyester > HBA/Poly(ethylene terephthalate) (PET) copolyester. The activation energies of the thermal degradation were calculated by four multiple heating rate methods: Flynn-Wall, Friedman, Kissinger, and Kim-Park. The Flynn-Wall and Kim-Park methods were the most suitable methods to calculate the activation energy. Samples were exposed to an accelerated degradation test (ADT), under fixed conditions of heat ($63{\pm}3^{\circ}C$), humidity ($30{\pm}4%$) and Xenon arc radiation ($1.10\;W/m^2$), and the changes in surface morphology and color difference with time were determined. The TLCPs decomposed, discolored and cracked upon exposure to ultraviolet radiation.
In this work, we prepared the activated multi-walled carbon nanotubes (Acti-MWNTs) with well developed physical surface structures, high specific surface area, and higher adsorption capacity by a physical activation process, in order to enhance the hydrogen storage capacity. The Acti-MWNTs' changes in the crystalline phase and in their lattice distortions were characterized by X-ray diffraction (XRD). The textural properties of the Acti-MWNTs were investigated by a nitrogen adsorption isotherms by Brunauer-Emmett-Teller (BET) equation and Harvath-Kawazoe (H-K) calculation, respectively. The hydrogen storage capacity of the Acti-MWNTs was investigated by BEL-HP at 298 K/100 bar. The hydrogen storage capacity of the Acti-MWNTs was improved with the physical activation, resulted from the formation of new hydrogen-favorable sites on the Acti-MWNT surfaces. In conclusion, the physical activation was one of the effective method to enhance the hydrogen storage capacity of the MWNTs.
Using multi plasma enhanced chemical vapor deposition system (Multi-PECVD), p-a-Si:H deposition layer as a $p^+$ region which was annealed by laser (Q-switched fiber laser, $\lambda$ = 1064 nm) on an n-type single crystalline Si (100) plane circle wafer was prepared as new doping method for single crystalline interdigitated back contact (IBC) solar cells. As lots of earlier studies implemented, most cases dealt with the excimer (excited dimer) laserannealing or crystallization of boron with the ultraviolet wavelength range and $10^{-9}$ sec pulse duration. In this study, the Q-switched fiber laser which has higher power, longer wavelength of infrared range ($\lambda$ = 1064 nm) and longer pulse duration of $10^{-8}$ sec than excimer laser was introduced for uniformly deposited p-a-Si:H layer to be annealed and to make sheet resistance expectable as an important process for IBC solar cell $p^+$ layer on a polished n-type Si circle wafer. A $525{\mu}m$ thick n-type Si semiconductor circle wafer of (100) plane which was dipped in a buffered hydrofluoric acid solution for 30 seconds was mounted on the Multi-PECVD system for p-a-Si:H deposition layer with the ratio of $SiH_4:H_2:B_2H_6$ = 30:120:30, at $200^{\circ}C$, 50 W power, 0.2 Torr pressure for 20 minutes. 15 mm $\times$ 15 mm size laser cut samples were annealed by fiber laser with different sets of power levels and frequencies. By comparing the results of lifetime measurement and sheet resistance relation, the laser condition set of 50 mm/s of mark speed, 160 kHz of period, 21 % of power level with continuous wave mode of scanner lens showed the features of small difference of lifetime and lowering sheet resistance than before the fiber laser treatment with not much surface damages. Diode level device was made to confirm these experimental results by measuring C-V, I-V characteristics. Uniform and expectable boron doped layer can play an important role to predict the efficiency during the fabricating process of IBC solar cells.
텍스쳐링에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면반사율을 감소시키는 것은 실리콘 태양전지의 효율향상을 위해 매우 중요한 공정이다. 본 연구에서는 에칭속도 제어를 위해 촉매제를 포함한 산 용액으로 텍스쳐링 처리한 웨이퍼의 표면효과와 그 태양전지 특성을 평가 고찰하였다. 텍스쳐링 전 $HNO_3-H_2O_2-H_2O$ 용액의 전처리는 표면반사율의 초기 저감효과를 가져왔다. 이는 산화특성에 의해 유기 불순물이 제거되고 텍스쳐링을 위한 핵의 생성에 기인한다고 할 수 있다. 이후 공정에서 불산/질산 용액에 인산 및 초산과 같은 완충제를 첨가한 혼합용액을 제조하고, 적정 농도 조합과 그 처리시간의 최적화를 통해 개선된 텍스쳐링 효과를 얻을 수 있었으며 이 효과는 표면반사율 감소를 통해 확인할 수 있었다. 이렇게 제조된 실리콘 웨이퍼에 반사방지막 코팅 후 태양전지를 제작하여 그 변환효율을 측정한 결과 16.4%의 양호한 특성을 나타냈다. 이는 개선된 텍스쳐링 처리에 의해 저감된 표면특성에 의한 단락전류의 증가에 기인한 것으로 추정된다.
Kim, Dae-Chul;Lee, Tae-Wan;Lee, Jung-Eun;Kim, Kyung-Hwan;Cho, Min-Ju;Choi, Dong-Hoon;Han, Yoon-Deok;Cho, Mi-Yeon;Joo, Jin-Soo
Macromolecular Research
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제17권7호
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pp.491-498
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2009
New $\pi$-conjugated multi-branched molecules were synthesized through the Homer-Emmons reaction using alkyl-substituted, 3,4-ethylenedioxythiophene-based, thiophenyl aldehydes and octaethyl benzene-l,2,4,5-tetrayltetrakis(methylene) tetraphosphonate as the core unit; these molecules have all been fully characterized. The two multi-branched conjugated molecules exhibited excellent solubility in common organic solvents and good self-film forming properties. The semiconducting properties of these multi-branched molecules were also evaluated in organic field-effect transistors (OFET). With octyltrichlorosilane (OTS) treatment of the surface of the $SiO_2$ gate insulator, two of the crystalline conjugated molecules, 7 and 8, exhibited carrier mobilities as high as $2.4({\pm}0.5){\times}10^{-3}$ and $1.3({\pm}0.5){\times}10^{-3}cm^2V^{-1}s^{-1}$, respectively. The mobility enhancement of OFET by light irradiation ($\lambda$ = 436 nm) supported the promising photo-controlled switching behavior for the drain current of the device.
Objectives: Coal-fired power plants feature diverse working conditions, including multi-layered employment structures and irregular work cycles due to outsourcing and non-standardized tasks. The current uniform occupational environment measurement systems have limitations in accurately assessing and evaluating these varied conditions. This study aims to propose alternative measurement and assessment strategies to supplement existing methods. Methods: Major domestic coal-fired power plants were selected as the study targets. To prepare for the study and establish strategies, work processes were identified and existing occupational environment measurement results were compared and analyzed. The study proceeded by employing three strategies: specific exposure groups (SEGs) measurement, continuous monitoring, and supplementary measurements, which were then compared and discussed. Results: Previous exposure index evaluations (5,268 cases) indicated that crystalline silica, a type of respirable particulate matter, had detection limits below the threshold (non-detectable) in 82.6% (4,349 cases) of instances. Exposures below 10% of the exposure limit were observed at a very low concentration of 96.1%. Similar exposure group measurements yielded results where detection limits were below the threshold in 38.2% of cases, and exposures below 10% of the limit were observed in 70.6%. Continuous monitoring indicated detection limits below the threshold in 12.6% of cases, and exposures below 10% of the limit were observed in 75.6%. Instances requiring active workplace management accounted for more than 30% of cases, with SEGs at 11.8% (four cases), showing a higher proportion compared to 3.0% (four cases) in continuous monitoring. For coal dust, exposures below 10% of the limit were highest in legal measurements at 90.2% (113 cases), followed by 74.0% (91 cases) in continuous monitoring, and 47.0% (16 cases) in SEGs. Instances exceeding 30% were most prevalent in SEGs at 14.7% (five cases), followed by legal measurements at 5.0% (eight cases), and continuous monitoring at 2.4% (three cases). When examining exposure levels through arithmetic means, crystalline silica was found to be 104.7% higher in SEGs at 0.0088 mg/m3 compared to 0.0043 mg/m3 in continuous monitoring. Coal dust measurements were highest in SEGs at 0.1247 mg/m3, followed by 0.1224 mg/m3 in legal measurements, and 0.0935 mg/m3 in continuous monitoring. Conclusions: Strategies involving SEGs measurement and continuous monitoring can enhance measurement reliability in environments with irregular work processes and frequent fluctuations in working conditions, as observed in coal-fired power plants. These strategies reduce the likelihood of omitting or underestimating processes and enhance measurement accuracy. In particular, a significant reduction in detection limits below the threshold for crystalline silica was observed. Supplementary measurements can identify worker exposure characteristics, uncover potential risks in blind spots of management, and provide a complementary method for legal measurements.
Nanomaterials have emerged as new building blocks to construct light energy harvesting assemblies. Size dependent properties provide the basis for developing new and effective systems with semiconductor nanoparticles, quantized charging effects in metal nanoparticle or their combinations in 2 and 3 dimensions for expanding the possibility of developing new strategies for photovoltaic system. As top-down approach, we developed a simple and effective method for the large scale formation of self-assembled Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) nanostructures by ion beam irradiation. The compositional changes and morphological evolution were observed as a function of the irradiation time. As the ion irradiation time increased, the nano-dots were transformed into a nano-ridge structure due to the difference in the sputtering yields and diffusion rates of each element and the competition between sputtering and diffusion processes during irradiation. As bottom-up approach, we developed the growth of CIGS nanowires using thermal-chemical vapor deposition (CVD) method. Vapor-phase synthesis is probably the most extensively explored approach to the formation of 1D nanostructures such as whiskers, nanorods, and nanowires. However, unlike binary or ternary chalcogenides, the synthesis of quaternary CIGS nanostructures is challenging because of the difficulty in controlling the stoichiometry and phase structure. We introduced a method for synthesis of the single crystalline CIGS nanowires in the form of chalcopyrite using thermal-CVD without catalyst. It was confirmed that the CIGS nanowires are epitaxially grown on a sapphire substrate, having a length ranged from 3 to 100 micrometers and a diameter from 30 to 500 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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