• 한국정밀공학회지
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• 제17권7호
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• pp.28-28
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• 2000

• 한국정밀공학회지
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• 제17권7호
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• pp.27-35
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• 2000

재료가공분야에의 레이저의 적용은 1960년대 후반부터 시작되었으며, 고출력 CO$_2$ 와 Nd:YAG 레이저가 많은 산업분야에서 보편화될 정도로 발전하여 왔다. 재료가공에서의 레이저의 적용분야는 금속의 절단, 용접 및 드릴링, 세라익의 스크라이빙, 플라스틱과 복합재의 절단 및 여러 가지 재료의 마킹 등을 포함한다. 이와 같은 모든 응용에서 공통적인 것이 레이저 조사에 의해 재료를 용융, 증발시키는 열적 메카니즘이다.(중략)

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.680-687
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• 1999

An extensive study on miniaturized bandpass filter(BPF) appropriate for mobile communication systems is presented in this paper. The miniaturization has been accomplished by incorporating low-loss high-index materials inside a resonating cavity fabricated in silicon substrate using micromachining etching techniques. By use of materials with dielectric constant $\varepsilon_r$=500, filters with volume less than 0.11 $mm^3$ have been designed at the center frequency of 5.8 GHz with 3.3% bandwidth. The electrical performances and design tolerances of these filters for a variety of materials and shapes are discussed and design guidelines are presented herein.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1391-1393
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• 1994

A silicon microbridge flow sensor has been developed. The heat transfer within silicon microbridge is modeled to predict the characteristics of the sensor. The flow sensor shows high sensitivity at small flow rate. This device is simple to fabricate, using standard IC and micromachining technology.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2504-2508
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• 1998

In this paper, we propose the new detecting method for three dimensional piezoresistive silicon accelerometer. Furthermore the accelerometer is formed to have endurance for high temperature by perfect isolation of the piezoresistors using Silicon On Insulator(SOI) wafer. Sensor size are optimized with analytical formulae and extended with FEM simulation for the more detailed results. The accelerometer was fabricated by bulk micromachining techonology. We measured the temperature characteristics and the output characteristics, and the both characteristics were compared with the simulated results

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.3298-3300
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• 1999

In this paper, a $10{\times}10$ micro SLM array for phase and amplitude modulation of incident light is designed and fabricated using surface micromachining technology. Hidden spring structure is used in order to maximize the fill-factor and minimize diffraction effect at the support posts. Static and dynamic characteristics of designed micro SLM are simulated with ABAQUS and measured with optical measurement system using He-Ne laser and PSD(position sensitive devise).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.416-418
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• 1996

A $50{\times}50{\mu}m^2$ aluminum micromirror array is fabricated using surface micromachining technology. $50{\times}50$ micromirrors are arrayed two dimensionally. The micromirror plate is supported by a vertical spring structure that is placed underneath the mirror plate. When the mirror plates reflect a light, the micromirror array un have large effective reflecting area. Fabrication of vertical spring uses only one mask and shadow evaporation process.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.187-188
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• 2011

• 대한기계학회논문집B
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• 제37권12호
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• pp.1159-1165
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• 2013

파우더 블라스팅은 미세 유리가공법으로서 가공속도가 빠르고 저비용의 장점이 있지만 유리를 취성파괴 시키기 때문에 표면거칠기가 좋지않다. 블라스팅된 표면에 저압의 워터젯을 분사하여 표면에서의 연마 슬러리의 흐름을 통해 표면거칠기를 저감할 수 있다. 본 연구에서는 소다라임 유리에 블라스팅으로 마이크로 채널을 가공한 후 워터젯을 연속 적용하고, 마이크로 채널의 표면거칠기 및 단면 형상의 변화의 과정을 관찰하였다. 워터젯의 적용결과, 초기단계에서는 블라스팅에 의한 미세 요철이 제거되었고, 이후 표면하부의 크랙이 제거되어 평균 표면거칠기 50 nm 근방의 매끈한 표면을 얻을 수 있었다. 표면거칠기 저감에 동반하여 채널단면의 확장 과정도 함께 관측하였다. 마지막으로 제안한 방법에 의해 미세유체칩의 가공 결과를 제시하였다.

• 센서학회지
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• 제27권5호
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• pp.311-316
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• 2018

An antenna-coupled bolometer-type terahertz sensor was designed, fabricated, evaluated, and utilized to obtain terahertz transmission images. The sensor consists of a thin film bowtie antenna that resonates accordingly in response to an incident terahertz beam, a heater that converts the applied current in the antenna into heat, and a microbolometer that converts the rise in temperature into a change in resistance. The device is fabricated by a bulk micromachining process on a 4-inch silicon wafer. The fabricated sensor chip has a size of $2{\times}2mm$ and an active area of $0.1{\times}0.1mm^2$. The temperature coefficient of resistance (TCR) of the bolometer film (VOx) is 2.0%, which is acceptable for bolometer applications. The output sensor signal is proportional to the power of the incident terahertz beam. Transmission images were obtained with a 2-axis scanning imaging system that contained the sensor. The small active area of the sensor will enable the development of highly sensitive focal plane array sensors in terahertz imaging cameras in the future.