Micro-grid is connected to the main power grid through a static switch. One of the critical issues in micro-grids is protection which must disconnect the micro-grid from the network in short-circuit contingencies. Protective methods of micro-grid mainly follow the model of distribution system protection. This protection scheme suffers from improper operation due to the presence of single-phase loads, imbalance of three-phase loads and occurrence of power swings in micro-grid. In this paper, a new method which prevents from improper performance of static micro-grid protection is proposed. This method works based on artificial neural network (ANN) and able to differentiate short circuit from power swings by measuring impedance and the rate of impedance variations in PCC bus. This new technique provides a protective system with higher reliability.
Optical switches using MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) process have been widely developed since conventional optical switches cannot meet the requirements of new systems. $N_2$ type micro-mirror switches are easy to control, have simple optical systems but have difficulties in expanding the ports. Micromirrors of 2N type switches must be tilted at various angles and have relatively complicated optical systems but have advantage in expanding ports. Another type of optical switch using MEMS process is micro-waveguide type. It is reliable than other types since it has no moving parts.
디지털 병원이 지향하고 있는 병원내의 정보화 시스템으로는 영상저장 및 전송시스템을 비롯한 여러 시스템들이 있다. 영상저장 및 전송시스템은 병원 내에서 발생하는 각종 의료영상을 저장하고 전송하는 시스템이며, 시술 중 필요한 각종 의료영상은 키보드나 풋 스위치를 이용하여 캡쳐한다.본 연구에서는 메인 풋 스위치 케이스 내에 탐재 가능한 풋 스위치용 USB 모듈을 MicroController가 내장된 USB지원 MCU 관련 회로와 최대 5개 풋 스위치를 위한 I/O 인터페이스 부분 등으로 설계 구현하고, 다양한 기능을 제공하는 풋 스위치 제어 프로그램을 개발하였다. 개발한 풋 스위치 USB 모듈을 병원 현장에 적용한 결과 안정적으로 동작함을 확인할 수 있었다.
RF Micro switches is a miniature device or an array of integration devices and mechanical components and fabricated with Ie batch-processing techniques. RF Micro switches application area are in phased arrays and reconfigurable apertures for defence and telecommunication systems, switching network for satellite communication, and single-pole double throw switches for wireless application. Recently, RF Micro switches have been developed for the application to the milimeter wave system. RF Micro switches offer a substantilly higher performance than PIN diode or FET switches. In this paper, SPDT(single-pole-double-throw) switch are designed to use 10 GHz. Actuation voltage and displacement are simulated by tool.
This paper presents the structures for a CPW shunt RF switch using MEMS(Micro Electro Mechanical System). Recent development in MEMS technology has made the design and fabrication of micro-mechanical switches as new switching elements. The micro-mechanical switches have low insertion loss, negligible power consumption, and good isolation compared to semiconductor switches. The fabricated structure shows an insertion loss of 2dB at 20GHz When a bias voltages of 12V is apply.
Before the Flap type GATE is introduced until, the Turnstile type GATE was plentifully used. The Turnstile type GATE is used plentifully from the Seoul metro, Busan Transportation Corporation and Korea Railroad Corporation. From the Turnstile type GATE, the micro switch breakdown is occurred by the contact of the micro switch which perceives a Turnstile rotation and the cam. The breakdown is cause of the passenger inconveniently. In order to prevent the breakdown which is caused by Micro switch contact, Microswitch support used the sensor in Turnstile rotation perception. The sensor which is used in test is Photo Sensor and Reed Sensor two type. The test result Reed Sensor was suitable in underground environment. When using the RF card, RF card processing came to be quick
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권4호
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pp.173-178
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2015
In lieu of the excellent radio frequency (RF) performance of microelectromechanical system ( MEMS) switches, these micro switches need higher actuation voltage for their operation. This requirement is secondary to concerns over the swtiches’ reliability. This paper reports high reliability operation of RF MEMS switches with low voltage requirements. The proposed switch is optimised to perform in the Q-band, which results in actuation voltage of just 16.4 V. The mechanical stress gradient in the thin micro membrane is computed by simulating von Mises stress in a multi-physics environment that results in 90.4 MPa stress. The computed spring constant for the membrane is 3.02 N/m. The switch results in excellent RF performance with simulated isolation of above 38 dB, insertion loss of less than 0.35 dB and return loss of above 30 dB in the Q-band.
본 논문에서는 미세 무광부식 패턴을 갖는 HD Switch Panel 자동차 부품을 개발하는 것으로, 제품 디자인을 통해 금형을 설계, 제작하였다. 최적화된 금형 제작을 위하여 CAE(Computer Aided Engineering)해석을 통하여 사출성형 공정에서 나타날 수 있는 문제점과 부품의 수축 변형을 정량적으로 예측하였다. 그리고, 금형표면의 가열온도와 실제 금형온도를 비교함으로써 공정변수 조절을 통해 사출성형조건의 최적화도 달성할 수 있었다. 한편, 순간금형표면가열방식을 이용한 성형기술인 E-MOLD를 적용하여 자동차 내장부품용 HD Switch Panel 사출성형품을 제작하였고, 전자현미경과 원자현미경을 이용한 표면 평가 및 광택도 측정을 통하여 무광부식 패턴의 전사율 향상으로 인한 무광 특성이 향상됨(2.5이상$\to$1.5~1.7)을 확인하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권2호
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pp.92-97
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2016
This paper presents design and simulation of wide band RF microswitch that uses electrostatic actuation for its operation. RF MEMS devices exhibit superior high frequency performance in comparison to conventional devices. Similar techniques that are used in Very Large Scale Integration (VLSI) can be employed to design and fabricate MEMS devices and traditional batch-processing methods can be used for its manufacturing. The proposed switch presents a novel design approach to handle reliability concerns in MEMS switches like dielectric charging effect, micro welding and stiction. The shape has been optimized at actuation voltage of 14-16 V. The switch has an improved restoring force of 20.8 μN. The design of the proposed switch is very elemental and primarily composed of electrostatic actuator, a bridge membrane and coplanar waveguide which are suspended over the substrate. The simple design of the switch makes it easy for fabrication. Typical insertion and isolation of the switch at 1 GHz is -0.03 dB and -71 dB and at 85 GHz it is -0.24 dB and -29.8 dB respectively. The isolation remains more than - 20 db even after 120 GHz. To our knowledge this is the first demonstration of a metal contact switch that shows such a high and sustained isolation and performance at W-band frequencies with an excellent figure-of merit (fc=1/2.pi.Ron.Cu =1,900 GHz). This figure of merit is significantly greater than electronic switching devices. The switch would find extensive application in wideband operations and areas where reliability is a major concern.
Seo, Gab-Su;Shin, Jong-Won;Cho, Bo-Hyung;Lee, Kyu-Chan
전력전자학회:학술대회논문집
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전력전자학회 2011년도 추계학술대회
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pp.44-45
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2011
Research on photovoltaic (PV) generation is taking a lot of attention due to its infinity and environment-friendliness with decrease of price per PV cell. While central inverters connect group of PV modules to utility grid in which maximum power point tracking (MPPT) for each module is difficult, micro inverter is attached on each module so that MPPT for individual modules can be easily achieved. Moreover, energy generation and consumption efficiency can be much improved by employing direct current (DC) distribution system. In this paper, a digitally controlled PV micro converter interfacing PV to DC distribution system is proposed. Boundary conduction mode (BCM) is utilized to achieve zero voltage switching (ZVS) of active switch and eliminate reverse recovery problem of passive switch. A 120W prototype boost PV micro converter is implemented to verify the feasibility and experimental results show higher than 98% efficiency at peak power and 97.29% of European efficiency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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