• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권12호
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• pp.85-92
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• 2007

메모리 설계 기술과 제조 공정의 발전에 따라, 고집적 메모리의 생산이 본격화 되었다. 이러한 메모리의 고집적화는 복잡하고 정밀한 설계와 제조 공정을 필요로 하기 때문에, 메모리 내에 더 많은 고장을 존재할 가능성을 낳았다. 이에 따라 메모리에서 발생하는 여러 고장을 분석하고 메모리를 수리하여 공정상의 문제를 수정하기 위해, BISR(Built-In Self-Repair) 회로의 중요성이 부각되고 있다. 본 논문에서는 주어진 예비 메모리를 효율적으로 사용하여 고장이 발생한 메모리를 효과적으로 수리할 수 있는 메모리 내장형 자체 수리 회로의 구조와 그 방법론에 대해서 소개하고자 한다. 제안하는 자체 수리 회로는 sign bit이라는 추가적인 저장 장치를 이용하여 메모리 수리를 수행한다. 이는 기존에 비해 좀 더 향상된 성능을 가지고 있다.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제55권10호
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• pp.446-451
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• 2006

In this paper, we propose an implementation of JPEG2000 codec on the ARM9 Processor which includes independent memory management facility. The codec and memory management facility together can control the encoding and the decoding process effectively within available memory area. Embedded appliances like cellular phones have very limited internal memory which can't be expanded easily. However, they should provide various applications and services using restricted memory resources. The proposed codec with memory management can provide image quality that is identical to the original image on embedded platform. The implemented codec has no memory conflict with other applications. It shows that the proposed codec can manage memory resources efficiently.

• 인문언어
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• 제1권2호
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• pp.67-90
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• 2001

In the past few years, a trend has emerged emphasizing the interdisciplinary relationship between cultural and literary studies, and "memory" has been suggested as the central theme in this trend. According to Aleida and Jan Assmann, "memory" as collective memory (not individual recollection) has various functions and forms, of which communicative memory and cultural memory occupy opposite poles of a central axis. Whereas communicative memory relates to the living past shared among contemporaries, cultural memory relates to "recollected history" rather than factual history. Cultural memory finds transmission through symbolic media such as myths, festivities, and literary works. Literary works preserve critical and living memories as opposed to forgotten memories. In other words, literature should be better read as "criticism and memory" than "imitation and preservation." Works of literature are characterized by a turning away from repetition toward representation-the process of "making present" of what is past.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.719-722
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• 1998

Fault simulation for large and complex sequential circuits is highly cpu-intensive task in the intergrated circuit design process. In this paper, we propose CM-SIM, a concurrent fault simulator which employs an optimal memory management strategy and simple list operations. CM-SIM removes inefficiencies and uses new dynamic memory management strategies, using contiguous array memory. Consequently, we got improved performance and reduced memory usage in concurrent fault simulation.

• 대한수학회지
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• 제35권3호
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• pp.741-753
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• 1998

Let G(*) be a Borel function applied to a stationary long memory sequence {X$_{i}$} of standard Gaussian random variables. Focusing on the process {G(X$_{i}$)}, the present paper establishes the almost sure representation for the empirical quantile process, that is, Bahadur's representation, and for the empirical process with respect to sample mean. Statistical applications of the representations are also addressed.sed.

• 한국의류학회지
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• 제44권6호
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• pp.1154-1162
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• 2020

In this study, the soft textile actuator is produced for a smart wearable with the shape memory effects from linear shape memory alloys of Nickel and Titanium using the driving force through the fabrication process. The measurement model was designed to measure dynamic characteristics. The heating method, and memory shape of the linear shape memory alloy were set to measure the operating temperature. A shape memory alloy at 40.13℃, was used to heat the alloy with a power supply for the selective operation and rapid reaction speed. The required amount of current was obtained by calculating the amount of heat and (considering the prevention of overheating) set to 1.3 A. The fabrication process produced a soft textile actuator using a stitching technique for linear shape memory alloys at 0.5 mm intervals in the general fabric. The dynamic characteristics of linear shape memory alloys and actuators were measured and compared. For manufactured soft textile actuators, up to 0.8 N, twice the force of the single linear shape memory alloy, 0.38 N, and the response time was measured at 50 s.

• 정보처리학회논문지D
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• 제18D권1호
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• pp.1-8
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• 2011

자주 접근되는 데이터에 대해서 빠른 접근을 보장하기 위해 사용되는 임시저장소인 캐쉬는 컴퓨터 시스템 내에서 다양한 계층에 존재하며, 이러한 캐쉬 저장 공간 내에서 효율적으로 데이터를 관리하기 위해 다양한 페이지 교체 알고리즘들이 연구되어 왔다. 대부분의 페이지 교체 알고리즘들은 얼마나 최근에 데이터가 접근 되었는가 또는 얼마나 자주 접근되었는가를 바탕으로 향후 다시 접근될 것 같은 데이터들을 캐쉬 안에 유지하는 휴리스틱 방법을 취하고 있다. 이러한 컴퓨터 내에서의 데이터의 인출 과정은 인간의 기억 인출 과정과 유사하며, 인간의 기억 인출 과정 역시 캐쉬 구조처럼 기억이 얼마나 최근에 그리고 자주 인출되었는가에 의해 그 기억 인출의 확률과 인출속도가 결정된다는 것이 최근 연구에 의해서 밝혀진바 있다. 본 연구에서는 인간의 기억 인출 과정에서의 과거 해당 기억에 대한 인출 기록들의 최근성과 빈도가 인출 확률에 영향을 미치는 관계를 분석하고 이를 페이지 교체 알고리즘에 응용하여 기존의 페이지 교체 알고리즘의 성능을 개선하였다. 또한, 실험을 통해 제안하는 페이지 교체 알고리즘이 기존에 데이터베이스 버퍼 캐쉬에서 가장 좋은 성능을 보이는 것으로 알려진 LRFU보다 파라미터에 민감하지 않고 우수한 성능을 보인다는 것을 입증하였다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제37권5호
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• pp.272-284
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• 2010

플래시 메모리는 하드 디스크와 여러 면에서 다른데 특히 덮어쓰기가 되지 않는다는 것이 가장 큰 차이점이다. 그로 인해 대부분의 플래시 메모리 파일 시스템들은 파일을 수정할 때 not-in-place 수정 기법을 사용하고 있다. 그 과정에서 가끔 플래시 메모리 파일 시스템들은 가용 공간의 확보를 위해 무효 페이지들이 많은 블록들의 유효 페이지들을 다른 블록으로 옮기고 블록들을 쓸 수 있는 빈 페이지로 만들어 주는 작업인 블록 클리닝 작업을 수행한다. 블록 클리닝 작업은 플래시 메모리의 성능을 직접적으로 좌우하는 요소이다. 그래서 이 논문은 유효 페이지와 무효 페이지를 동시에 가진 블록의 수를 최소화하여 블록 클리닝 비용을 줄일 수 있는 효율적인 페이지 할당 기법을 제안한다. 그리고 실험 결과는 원래의 YAFFS에 비해 블록 클리닝 비용이 확연하게 줄어들었음을 보여 준다.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권2호
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• pp.47-49
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• 2004

Gate protection $SiN_x$ as an alternative to a conventional re-oxidation process in Dynamic Random Access Memory devices is investigated. This process can not only protect the gate electrode tungsten against oxidation, but also save the thermal budget due to the re-oxidation. The protection $SiN_x$ process is applied to the poly-Si gate, and its device performance is measured and compared with the re-oxidation processed poly-Si gate. The results on the gate dielectric integrity show that etch damage-curing capability of protection $SiN_x$ is comparable to the re-oxidation process. In addition, the hot carrier immunity of the $SiN_x$ deposited gate is superior to that of re-oxidation processed gate.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권1호
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• pp.16-19
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• 2011

The oxide-nitride-oxide (ONO) deposition process was added to the beginning of a 0.25 ${\mu}m$ embedded polysiliconoxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) process before all of the logic well implantation processes in order to maintain the characteristics of basic CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) logic technology. The system subsequently suffered severe ONO rupture failure. The damage was caused by the ONO implantation and was responsible for the ONO rupture failure in the embedded SONOS process. Furthermore, based on the experimental results as well as an implanted ion's energy loss model, processes primarily producing permanent displacement damages responsible for the ONO rupture failure were investigated for the embedded SONOS process.