• 한국정보처리학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.118-126
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• 1996

메모리의 계층적 구조는 메모리의 접근 속도를 개선하고 프로그래밍 공간을 확장 하는데 유용한 메카니즘이다. 그러나 이 구조는 데이타의 참조를 위해서 적어도 두번- 주소 변환을 위한 TLB 와 원하는 데이타를 위한 데이타 캐시-의 메모리 접근이 필요하다. 만약 캐시의 크기가 가상 메모리의 페이지 크기와 캐시 메모리의 연관 정도의 곱보다 커지면 TLB접근과 데이타 캐시의 접근을 병렬로 수행하기 어려우며, 따라서 프로세서 타이밍의 임계 경로가 길어져 성능에 영향을 미친다. 이들의 병렬 접근을 성취하기 위하여 직접 사상 TLB와 조그마한 완전 연관 사상 TLB를 결합하나 혼합 사상 TLB를 제 안한다. 전자는 TLB 접근에 따른 지연시간을 줄 일 수 있으며 후자는 전자로부터 발생한 충돌 부재를 제거할 수 있게 된다. 트레이스 구동 모의 실험 결과에 의하면 제안된 TLB 는 4개의 엔트리로만 구성된 완전사상 TLB를 추가하더라도 부재율의 상승에 의한 영향이 주소변환에 따른 지연시간 축소에 위하여 상쇄되므로 효과적이다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제28권12호
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• pp.674-684
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• 2001

본 논문에서는 액세스 패턴의 반복성을 이용하여 비교적 적은 메모리 공간을 사용하는 SIC (SiZe-Interval-Count) 선반입 기법을 제안한다. 최근에 연구되어진 지식기반의 선반입 기법은 응용프로그램의 액세스를 예측하여 정확한 선반입을 수행하는 기법이다. 이들 기법은 응용프로그램의 액세스 패턴을 기록하고, 기록된 액세스 패턴정보를 이용하여 다음에 요청될 블록을 예측하게 된다. 하지만 이 기법은 많은 메모리 공간의 사용을 필요로 한다. 따라서 제안된 선반입 기법에서는 "SIC 액세스 패턴 정보"를 이용하여 반복적인 액세스 패턴을 효율적으로 저장하고, 이를 이용하여 응용프로그램의 다음에 요청될 블록을 정확하게 예측한다. 본 논문의 선반입 기법은 일반 파일시스템에 비해 최고 40%의 응답속도 향상을 가져오며, 기존의 지식기반 선반입 기법에 비해 뛰어난 메모리 효율성을 보여준다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2013년도 춘계학술발표대회
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• pp.21-23
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• 2013

Static Random Access Memory (SRAM) using CMOS technology has many advantages. It does not need to refresh every certain time, as a result, the speed of SRAM is faster than Dynamic Random Access Memory (DRAM). This is the reason why SRAM is widely used in almost processors and system on chips (SoC) which require high processing speed. Two basic operations of SRAM are read and write. We consider two basic factors, including the accuracy of read and write operations and the speed of these operations. In our paper, we propose the read and write assist circuits for SRAM. By adding a power control circuit in SRAM, the write operation performed successfully with low error ratio. Moreover, the value in memory cells can be read correctly using the proposed pre-charge method.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1986년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.113-118
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• 1986

Nowdays switching software designs are based on the concept of maximizing efficiency. This idea is to put through the most call, in the fastest time, using the fewest possible resources. So the memory usages are embossed one of the most important part to be considered in the switching software. This paper discusses the general concepts of switching software at first, then describes the switching data base from the view point of the access time, memory efficiency, and call processing environment.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.699-708
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• 1990

This paper proposes two test procedures for detecting functional faults in semiconductor random access memories (RAM's) and a new testimg scheme to execute the proposed test procedures. The first test procedure detects stuck-at faults, coupling faults and decoder faults, and requires 19N operations, which is an improvement over conventional procedures. The second detects restricted patternsensitive faults and requires 69N operations. The proposed scheme uses Built-In Self Testing (BIST) techniques. The scheme can write into more memory cells than I/O pins can in a write cycle in test mode. By using the scheme, the number of write operations is reduced and then much testing time is saved.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권1호
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• pp.31-38
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• 2016

A novel self-reference sense amplifier with parallel reading during writing operation is proposed. Read access time is improved compared to conventional self-reference scheme with fast operation speed by reducing operation steps to 1 for read operation cycle using parallel reading scheme, while large sense margin competitive to conventional destructive scheme is obtained by using self-reference scheme. The simulation was performed using standard $0.18{\mu}m$ CMOS process. The proposed self-reference sense amplifier improved not only the operation speed of less than 20 ns which is comparable to non-destructive sense amplifier, but also sense margin over 150 mV which is larger than conventional sensing schemes. The proposed scheme is expected to be very helpful for engineers for developing MRAM technology.

• 대한임베디드공학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.151-156
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• 2015

Recently, an embedded flash memory has been widely used for the Internet of Things(IoT). Due to its nonvolatility, economical feasibility, stability, low power usage, and fast speed. With respect to power consumption, the embedded memory system must consider the most significant design factor. The objective of this research is to design high performance and low power NAND flash memory architecture including a dual buffer as a replacement for NOR flash. Simulation shows that the proposed NAND flash system can achieve better performance than a conventional NOR flash memory. Furthermore, the average memory access time of the proposed system is better that of other buffer systems with three times more space. The use of a small buffer results in a significant reduction in power consumption.

• ETRI Journal
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• 제39권3호
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• pp.428-436
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• 2017

State-of-the-art processors require increasingly complicated memory services for high performance and low power consumption. In particular, they request transfers within a burst in a wrap-around order to minimize the miss penalty of a cache. However, synchronous dynamic random access memories (SDRAMs) do not always generate transfers in the wrap-round order required by the processors. Thus, a memory subsystem rearranges the SDRAM transfers in the wrap-around order, but the rearrangement process may increase memory latency and waste the bandwidth of on-chip interconnects. In this paper, we present a memory subsystem that is effective for the wrapping bursts of a cache. The proposed memory subsystem makes SDRAMs generate transfers in an intermediate order, where the transfers are rearranged in the wrap-around order with minimal penalties. Then, the transfers are delivered with priority, depending on the program locality in space. Experimental results showed that the proposed memory subsystem minimizes the memory performance loss resulting from wrapping bursts and, thus, improves program execution time.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.106-107
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• 2007

A detailed investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb with annealing.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제2권2호
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• pp.59-66
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• 2013

본 논문에서는 임베디드 시스템에서 DSP를 위한 메모리 접근 변수의 저장 방법에 대한 최적화 ILP 알고리즘을 제안하였다. 본 논문은 0-1 ILP 공식을 이용하여 DSP 주소 생성 유닛의 메모리 변수 데이터 레이아웃을 최소화한다. 제약 조건을 기반으로 변수의 메모리 할당 여부를 식별하고, 변수가 지시하는 주소코드를 프로그램 포인터에 등록한다. 프로그램의 처리 순서가 프로그램 포인터에 선언되면, 해당 변수의 주소코드에 대한 자동증감 모드를 적용한다. 주소 레지스터에 대한 로드를 최소화하여 변수의 데이터 레이아웃을 최적화한다. 본 논문에서 제안한 알고리즘의 효율성을 입증하기 위하여 FICO Xpress-MP Modeling Tools을 이용하여 벤치마크에 적용하였다. 벤치마크 적용 결과, 기존의 선언적 주문 메모리 레이아웃보다 제안한 알고리즘을 적용한 최적의 메모리 레이아웃이 주소/수정 레지스터에 대한 로드 수를 감소시켰고, 주소코드의 접근을 줄임으로써, 프로그램의 실행 시간을 단축시켰다.