Temperature and frequency dependence of dielectric and electrical properties was investigated in cerium and manganese doped Sr$\_$0.6/Ba$\_$0.4/Nb$_2$O$\_$6/(60SBN) ceramic system. Structural deformation of 60SBN by dopants did not appeared. 1350$^{\circ}C$-10 h sintered specimen had higher densification than 1250$^{\circ}C$-10 h sintered one, to which dielectric properties are related. That the feature of dielectric maxima peaks was typical Diffusive Phase Transition (DPT), it was explained by "random-field Ising model". Even though 60SBN has large dielectric loss at high frequency above 100 ㎑, it is desirable for optical applications because of low dielectric loss at low frequency. From Arrhenius plot of temperature, the activation energy was calculated to 0.45-0.49 eV.
The effect of Cu substitution on the properties of NiZn ferrites sintered at low temperature with composition is investigated. The densification of NiCuZn ferrite in dependent upon Cu content in the composition of (N/sub 0.5-x/Cu/sub x/ Zn/sub 0.5/O)(Fe/sub 2/O/sub 3/)/sub 0.98/. Electrical resistivity is maximum at x=0.2. Dispersion characteristics of complex permeability of (Ni/sub 0.5-x/ Cu/sub x/Zn/sub 0.5/O)(Fe/sub 2/O/sub 3)/sub 0.98/ is observed above x=0.3 and relaxation frequency increases with higher temperature. The magnetic loss of NiCuZn ferrite is occurred above the Cu content x=0.3 at a low frequency.
$ZrB_2$ has a melting point of $3245^{\circ}C$ and a relatively low density of $6.1\;g/cm^3$, which makes this a candidate for application to ultrahigh temperature environments over $2000^{\circ}C$. Beside these properties, $ZrB_2$ is known to have excellent resistance to thermal shock and oxidation compared with other non-oxide engineering ceramics. In order to enhance such oxidation resistance, SiC was frequently added to $ZrB_2$-based systems. Due to nonsinterability of $ZrB_2$-based ceramics, research on the sintering aids such as $B_4C$ or $MoSi_2$ becomes popular recently. In this study, densification and high-temperature properties of $ZrB_2$-SiC ceramics especially with $B_4C$ are investigated. $ZrB_2$-20 vol% SiC system was selected as a basic composition and $B_4C$ or C was added to this system in some extents. Mixed powders were sintered using hot pressing (HP). With sintered bodies, densification behavior and high-temperature (up to $1400^{\circ}C$) properties such as flexural strength, hardness, and so on were examined.
Tungsten heavy alloys (W-Ni-Fe) play an important role in various industries because of their excellent mechanical properties, such as the excellent hardness of tungsten, low thermal expansion, corrosion resistance of nickel, and ductility of iron. In tungsten heavy alloys, tungsten nanoparticles allow the relatively low-temperature molding of high-melting-point tungsten and can improve densification. In this study, to improve the densification of tungsten heavy alloy, nanoparticles are manufactured by ultrasonic milling of metal oxide. The physical properties of the metal oxide and the solvent viscosity are selected as the main parameters. When the density is low and the Mohs hardness is high, the particle size distribution is relatively high. When the density is high and the Mohs hardness is low, the particle size distribution is relatively low. Additionally, the average particle size tends to decrease with increasing viscosity. Metal oxides prepared by ultrasonic milling in high-viscosity solvent show an average particle size of less than 300 nm based on the dynamic light scattering and scanning electron microscopy analysis. The effects of the physical properties of the metal oxide and the solvent viscosity on the pulverization are analyzed experimentally.
A sintering process for copper based films using a rapid thermal process with infrared lamps is proposed to improve the electrical properties. Compared with films produced by conventional thermal sintering, the microstructure of the copper based films contained fewer internal and interfacial pores and larger grains after the rapid thermal process. This high-density microstructure is due to the high heating rate, which causes the abrupt decomposition of the organic shell at higher temperatures than is the case for the low heating rate; the high heating rate also induces densification of the copper based films. In order to confirm the effect of the rapid thermal process on copper nanoink, copper based films were prepared under varying of conditions such as the sintering temperature, time, and heating rate. As a result, the resistivity of the copper based films showed no significant changes at high temperature ($300^{\circ}C$) according to the sintering conditions. On the other hand, at low temperatures, the resistivity of the copper based films depended on the heating rate of the rapid thermal process.
$ZrB_2$-based composites are candidate materials for ultra-high temperature materials (UHTMs). $ZrB_2$ has become an indispensable ingredient in UHTMs, due to its high melting temperature, relatively low density, and excellent resistance to thermal shock or oxidation. $ZrB_2$ powders are usually synthesized by solid state reactions such as carbothermal, borothermal, or combined carbothermal reaction. SiC is added to this system in order to enhance the oxidation resistance of $ZrB_2$. In this study, $ZrB_2$?based composites were successfully synthesized and densified through two different processing paths. $ZrB_2$ or $ZrB_2$ 25 vol.%SiC was fully synthesized from oxide starting materials with reducing agents after heat treatment at 1400$^{\circ}C$. Besides, $ZrB_2$?20 vol.%SiC was fully densified with $B_4C$ as a sintering additive after hot pressing at 1900$^{\circ}C$. The synthesis mechanism and the effect of sintering additives on densification of $ZrB_2$ ?SiC composites were also discussed.
본 연구는 $BaO-B_{2}O_3-ZnO$계에서 저온소성이 가능한 조성을 탐색하고, 여기에 $Al_{2}O_3$를 filler로 첨가하여 복합체를 제조할 경우의 소결거동과 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 이때 첨가하는 알루미나 분체는 입자크기가 서로 다른 두 종류를 이용함으로서 알루미나 입자 크기의 효과도 동시에 조사하였다. 알루미나 첨가량이 증가하는 경우 복합체의 치밀화정도, 유전상수, 열팽창계수, 그리고 경도 값이 감소하였다. 또한 첨가되는 알루미나 입자의 크기가 미세할 경우 그 감소율은 증가되었다. 한편 파괴인성값은 알루비나 첨가량이 많을수록, 알루미나 입자 크기가 작을수록 오히려 증가하였는데 이는 기공과 filler의 crack전파 억제 효과에 의한 것으로 해석하였다.
A low melting borosilicate glass frit was used as an adhesion promoter, which enables $MnWO_4$to be sintered with in a reasonable sintering temperature range ($800∼1000^{\circ}C$). The glass was evaluated for glass transition temperature ($Τ_{g}$ X) and thermal expansion coefficient($\alpha$). Mechanical property (Vickers hardness), grain growth, the comparison of lattice parameter and pore distribution of sintered $MnWO_4$ with the frit were methodically discussed. As sintering temperature increased, a typical liquid phase sintering showed the rapid grain growth and high densification of X$MnWO_4$grain, improvement of hardness (until $920^{\circ}C$) and different pore size distribution. Resistance of sintered $MnWO_4$varied from 450k$\Omega$ to 8.8M$\Omega$ under the measuring humidify ranging from 30 to 90%. Thus, the results will contribute to the application of glass frit containing sensor materials and their future use.
A low temperature processing route for fabricating porous SiC ceramics by carbothermal reduction has been demonstrated. Effects of expandable microsphere content, sintering temperature, filler content, and carbon source on microstructure, porosity, compressive strength, cell size, and cell density were investigated in the processing of porous silicon carbide ceramics using expandable microspheres as a pore former. A higher microsphere content led to a higher porosity and a higher cell density. A higher sintering temperature resulted in a decreased porosity because of an enhanced densification. The addition of inert filler increased the porosity, but decreased the cell density. The compressive strength of the porous ceramics decreased with increasing the porosity. Typical compressive strength of porous SiC ceramics with ${\sim}70%$ porosity was ${\sim}13 MPa$.
The LTCCs (low-temperature co-fired ceramics) are very important for electronic industry to build smaller RF modules and to fulfill the necessity for miniaturization of devices in wireless communication industry. The dielectric materials with sintering temperature $T_{sint}$<$900^{\circ}C$ are required. In this study, we investigated with glass-ceramic composition, which was crystallized with two crystals. The microstructure, crystal phases, thermal and mechanical properties, and dielectric properties of the composites were investigated using FE-SEM, XRD, TG-DTA, 4-point bending strength test and LCR measurement. The starting temperature for densification of a sintered body was at $779{\sim}844^{\circ}C$ and the glass frits were formatted to the crystal phases, $CaAl_2Si_2O_8$(anorthite) and $CaMgSi_O_6$(diopside), at sintering temperature. The sintered bodies exhibited applicable dielectric properties, namely 6-9 for ${\varepsilon}_r$. The results suggest that the glass-ceramic composite would be potentially possible to application of low dielectric L TCC materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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