1 |
H.-S. Han, S.-W. Kwak, B. Kim, T.-M. Lee, S.-H. Kim and I. Kim, Korean J. Mater. Res., 22, 9 (2012).
|
2 |
T. R. Hebner, C. C. Wu, D. Marcy, M. H. Lu and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett., 72, 519 (1998).
DOI
|
3 |
T. Kawase, S. Moriya, C. J. Newsome and T. Shimoda, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 3649 (2005).
DOI
|
4 |
D. Kim and J. Moon, Electrochem. Solid-State Lett., 8, J30 (2005).
DOI
|
5 |
C. A. Di, G. Yu, Y. Liu, Y. Guo, Y. Wang, W. Wu and D. Zhu, Adv. Mater., 20, 1286 (2008).
DOI
|
6 |
Y. Lee, J. R. Choi, K. Lee, N. E. Stott and D. Kim, Nanotechnology, 19, 415604 (2008).
DOI
|
7 |
J. Ryu, H.-S. Kim and H. T. Hahn, J. Electron. Mater., 40, 42 (2011).
DOI
|
8 |
C.-J. Wu, S.-M. Chen, Y.-J. Shenga and H.-K. Tsao, J. Taiwan Inst. Chem. Eng., 45, 2719 (2014).
DOI
|
9 |
M. L. Allen, M. Aronniemi, T. Mattila, A. Alastalo, K. Ojanperä, M. Suhonen and H. Seppä, Nanotechnology, 19, 175201 (2008).
DOI
|
10 |
H.-S. Kim, S. R. Dhage, D.-E. Shim and H. T. Hahn, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 97, 791 (2009).
DOI
|
11 |
M. Zenou, O. Ermak, A. Saar and Z. Kotler, J. Phys. D:Appl. Phys., 47, 025501 (2014).
DOI
|
12 |
S. M. Yoon, J. Jo and K. Y. Kim, J. Korean Soc. Precis. Eng., 31, 505 (2014).
DOI
|
13 |
N.-R. Kim, J.-H. Lee, S.-M. Yi and Y.-C. Joo, J. Electrochem. Soc., 158, K165 (2011).
DOI
|