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박종석;박범수;강상도;양국현;이경구;이도재;이광민
- 한국표면공학회지
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- 제41권3호
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- pp.88-93
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- 2008
Ir-Re thin films with Ti interlayer were deposited onto the tungsten carbide substrate by ion beam assisted DC magnetron sputtering. The Ir-Re films were prepared with targets of having two atomic percent of 7:3 and 5:5. The microstructure and surface analysis of the specimen were conducted by using SEM, XRD and AFM. Mechanical properties such as hardness and adhesion strength of Ir-Re thin film also were examined. The interlayer of pure titanium was formed with 100 nm thickness. The film growth of Ir-30at.%Re was faster than that of Ir-50at.%Re in the same deposition conditions. Ir-Re thin films consisted of dense and columnar structure irrespective of the different target compositions. The values of hardness and adhesion strength of Ir-30at.%Re thin film coated on WC substrate were higher than those of Ir-50at.%Re thin film.
https://doi.org/10.5695/JKISE.2008.41.3.088 인용 PDF KSCI

김상현;김대현
- 한국안광학회지
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- 제9권1호
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- pp.161-166
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- 2004
본 연구에서는 이온빔 증착방법을 사용하여 스테인레스 스틸 기판 위에 TiN 박막을 성장하였다. $10^{-5}$ Torr의 질소 분위기에서 아르곤 가스를 보조 이온빔으로 사용하여 TiN 박막을 성장하였다. TiN 박막의 화학 조성, 색상, 밀착력 등을 En의(원자당 이용에너지) 변화에 따라서 측정하였다. En이 증가 할 때 질소와 Ti의 비율은 선형적으로 변화 하였고, 높은 En의 경우에는 질소와 Ti의 비율은 1.2를 가지며 포화되었다. 밝은 금색은 En이 어떤 임계값(Ecn)에 도달 하였을 때 얻어졌다. 이때의 질소와 Ti의 비율은 0.9 이다.
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조현주;신명진;이재철
- 한국광학회지
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- 제13권3호
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- pp.209-214
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- 2002
기판의 표면거칠기가 반사경의 산란에 미치는 영향을 조사하였다. 기판의 표면거칠기가 다른 다섯 종류의 기판에 이온빔 스퍼터링 방법과 전자총 증착 방법으로 각각 반사율이 1에 가까운 고반사율 박막을 증착하고 산란을 TIS 방법으로 측정하였다. 기판의 표면거칠기가 2$\AA$ 이상인 경우의 기판의 산란에 대한 반사경 산란 비율은 표면거칠기가 2$\AA$ 미만인 경우의 산란 비율에 비하여 급격한 증가를 나타냄을 알 수 있었으며, 기판의 표면거칠기가 낮은 경우 반사경의 산란은 기판의 표면거칠기보다 반사경을 구성하는 박막의 미세구조에 의존하는 것으로 판단되었다. 한편 반사경 중에서 가장 작은 산란은 2.1 ppm이었고, 이것은 표면거칠기 0.23$\AA$인 기판에 이온빔 스퍼터링 방법으로 제작되었다.
https://doi.org/10.3807/KJOP.2002.13.3.209 인용 PDF KSCI

Choi, Won-Yong;Kang, Tae-Hee;Kang, Heon
- Bulletin of the Korean Chemical Society
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- 제11권4호
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- pp.290-296
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- 1990
Ion-surface collision studies at low kinetic energies (1-100 eV) provide a unique opportunity for investigating reactions and collision dynamics at surfaces. A special ion optics system for generating an energy- and mass-selected ion beam of this energy is designed and constructed. An ultrahigh vacuum (UHV) reaction chamber, in which the ions generated from the beamline collide with a solid surface, is equipped with Auger electron spectroscopy (AES) and thermal desorption spectrometry (TDS) as in-situ surface analytical tools. The resulting beam from the system has the following characteristics : ion current of 5-50 nA, energy spread < 2eV, current stability within ${\pm}5%,$ and unit mass resolution below 20 amu. The performance of the instrument is illustrated with data representing the implantation behavior of $Ar^+$ into a graphite (0001) surface.
https://doi.org/10.5012/bkcs.1990.11.4.290 인용 PDF

한성홍
- 한국광학회지
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- 제4권3호
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- pp.260-265
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- 1993
실시간(in-situ) 스트레스측정 간섭계를 사용하여 이온보조증착에 의해 Ti$O_2$ 박막이 성장되는 동안에 박막내부의 스트레스를 측정하였다. 박막두께에 따른 스트레스의 변화는 이온빔에 의한 압축스트레스와 표면온도의 의해 결정되는 표면확산의 평형에 의해서 정성적으로 설병되어지며, 측정결과는 스트레스가 성장되는 박막에 전달되는 이온빔의 운동량에 따라 증가한다는 Windischmann의 모델과 일치하였다.
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