• 한국전자통신학회논문지
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• 제7권6호
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• pp.1377-1383
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• 2012

비디오 코딩에서 GOP의 첫 번째 프레임은 많은 비트를 발생시키는 인트라 모드로 압축되고 다음 프레임의 인터 모드 압축에 사용되기 때문에 첫 프레임을 위한 초기 QP 값은 첫 프레임뿐만 아니라 이후 프레임에도 영향을 주게 된다. 일반적으로 초기 QP 값은 bpp 값에 따라 4가지 값 중에 하나로 설정된다. 이렇게 설정하는 것은 간단한 반면 부정확한 문제가 있다. 정확한 초기 QP 값 예측을 위해서는 bpp 뿐만 아니라 영상의 복잡도와 전송률도 함께 고려하여야 한다. 본 논문에서는 GOP의 인코딩 특성을 분석하여 전체 GOP의 PSNR 값을 최대로 하는 초기 QP 값을 찾기 위한 트래픽 모델과 실시간 영상 압축에서 모델 파라미터를 실시간으로 구하는 방법을 제안한다. 실험 결과는 제안하는 모델이 초기 QP 계산에 필요한 트래픽 특성을 잘 반영하고 있으며 또한 실시간으로 모델 파라미터를 구하는 방법도 효과적으로 작동함을 보여준다.

• Spatial Information Research
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• 제7권2호
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• pp.255-269
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• 1999

본 연구에서는 우리나라의 수치지형도를 객체지향적 설계 분석 방법을 통해 객체화하기위한 실험적 연구이다. 객체지향 개발에서 가장 중요한 고려요소인 캡슐화, 다형성, 상속등을 통해 가능한 정보은폐된 수치지형도 객체를 설계하였다. 이를 이해 수치지형도의 자료모형을 분석하고, 지도 사상들 간의 상호관계를 계층적으로 파악하였다. 이로부터 현재 수치지형도의 레이어 구성은 공간자료모형이나 자료 정의의 측면에서 개념적으로 정의한 계층이 실제 자료 특성에 모호하게 반영되어 이를 구체화하기 어려운 구조를 갖고 있음을 밝혔다. 이러한 한계 때문에 '자료 레이어' 단계와 '객체 클래스' 단계를 통합하여 객체의 계층을 구분하였고, 수치지형도 공간 원형 클래스를 정의하여 이를 통해 공간 객체를 자신의 자원으로 활용하는 연계 매커니즘(ISCO)을 통하여 수치지형도 레이어 객체들을 설계하였다. 그리고 설계한 수치지형도 객체를 JAVA를 통해 구현한 다음 실제 웹 인터페이스를 통해 인터넷 환경에서 편리하게 상호 공유하여 수치지형도 객체의 효율성을 검증하였다.

• Smart Structures and Systems
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• 제26권3호
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• pp.391-401
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• 2020

The present article reports the feasibility of the electrical energy generation from ambient low-frequency vibration using a piezoelectric material mounted on a bimorph cantilever beam actuator. A corresponding higher-order analytical model is developed using MATLAB in conjunction with finite element method under low-frequency with both damped and undamped conditions. An alternate model is also developed to check the material and dimensional viability of both piezoelectric materials (mainly focussed to PVDF and PZT) and the base material. Also, Genetic Algorithm is implemented to find the optimum dimensions which can produce the higher values of voltage at low-frequency frequencies (≤ 100 Hz). The delamination constraints are employed to avoid inter-laminar stresses and to increase the fracture toughness. The delamination has been done using a Teflon sheet sandwiched in between base plates and the piezo material is stuck to the base plate using adhesives. The analytical model is tested for both homogenous and isotropic material characteristics of the base material and extended to investigate the effect of the different geometrical parameters (base plate dimensions, piezo layer dimensions and placement, delamination thickness and placement, excitation frequency) on the model responses of the bimorph cantilever beam. It has been observed that when the base material characteristics are homogenous, the efficiency of the model remains higher when compared to the condition when it is of isotropic material. The necessary convergence behaviour of the current numerical model has been established and checked for the accuracy by comparing with available published results. Finally, using the results obtained from the model, a prototype is fabricated for the experimental validation via a suitable circuit considering Glass fibre and Aluminium as the bimorph material.

• Journal of Magnetics
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• 제16권3호
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• pp.220-224
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• 2011

Die-upset magnets from a mechanically-milled Pr(Co,In)$_5$-type alloy are known to have a peculiar texture; the easy magnetization axis (c-axis) is perpendicular to the pressing direction. This peculiar texture is thought to be linked closely to the anisotropic mechanical properties of Pr(Co,In)$_5$-type hexagonal compounds. The hardness of the Pr(Co,In)$_5$-type crystal was measured using selectively grown grains in an annealed $Pr_{17}Co_{82}In_1$ alloy button, and the crystallographic orientation was determined by observing the magnetic domain image. The hardness (549 VHN) on the plane with a 'cogwheel'-type domain image was significantly higher than that (510 VHN) on the plane with a 'cigar'-type domain image, indicating that the inter-layer bonding force between the (000l) basal planes is stronger than that between the (hki0) planes. This suggests that the most probable slip plane is the (hki0) plane parallel to the c-axis. During die-upsetting of the Pr(Co,In)$_5$-type alloys the deformation proceeds by (hki0) plane slip, and the c-axis rotates to ultimately become oriented perpendicular to the pressing direction. It is proposed that the peculiar texture in the die-upset Pr(Co,In)$_5$-type magnets is probably developed by slip deformation of the (hki0) plane of the Pr(Co,In)$_5$-type grains.

• Corrosion Science and Technology
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• 제9권6호
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• pp.259-264
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• 2010

In continuous hot dip galvanizing process, oxide formation on steel surface has an influence on Zn wetting. High strength automotive steel contains high amount of Si and Mn, where Si-Mn composite oxides such as $Mn_2SiO_4$ or $MnSiO_3$ covers the surface after annealing. Zn wetting depends on how the aluminothermia reaction can reduce the Mn-Si composite oxides and then form inhibition layer such as $Fe_2Al_5$ on the steel surface. The outward diffusion of metallic ions such as $Mn^{2+}$, $Si^{2+}$ in the steel matrix is very important factor for the formation of the surface oxides on the steel surface. The surface state and grain boundaries provide an important role for the diffusion and the surface oxide reactions. Some elements such as P, Sb, and B have a strong affinity for the interface precipitation, and it influence the diffusivity of metallic ions on grain boundaries. B oxide forms very rapildly on the steel surface during the annealing, and this promote complex oxides with $SiO_2$ or MnO. P has inter-reacted with other elements on the grain boundaries and influence the diffusion through on them. Small addition of Sb could suppress the decarburization from steel surface and retards the formation of internal and external selective oxides on the steel surface. Interface control by the trace elements such as Sb could be available to improve the Zn wettability during the hot dip galvanizing.

• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.49-53
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• 2009

층간 절연막으로써 연구되고 있는 SiOC 박막의 화학적 변화에 대하여 살펴보았다. SiOC 박막의 형성은 알킬기와 수산기에 의한 극성분자의 조합에 의해 무분극성의 박막을 형성할 수 있고 무분극성에 의한 비정질 구조를 형성함으로써 유전상수의 감소를 유도할수 있다. 박막의 화학적인 특성은 이온의 변화에 의한 결정구조의 변화로 결정할수 있고, 화학적인 변화의 분석은 FTIR에 의한 탄소함량변화로부터 무분극성의 영역을 유추해 내었다. 전기적인 특성은 박막 내에서의 전자의 특성을 알아보는 것으로써 화학적인 특성과 반드시 일치하는 것은 아니다 유량변화에 따른 SiOC 박막의 전기적인 특성을 분석함으로써 화학적 특성의 변화와 어느 정도 상관성이 있는지를 조사하였다. SiOC 박막은 열처리 후 대체로 누설전류가 증가하는 것으로 나타났고 특히 탄소의 함량이 급격히 증가하는 샘플이 존재하였다. 그러나 탄소의 함량이 증가하였으나 누설전류는 상대적으로 작게 나타나는 것으로 보아 화학적인 관점에서 탄소의 증가는 박막의 구조변화에 따른 효과로 직접 전류에 기여하지 않는다고 볼 수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.24-29
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• 2009

층간 절연막으로 사용 가능한 SiOC 박막에 대하여 유전상수가 낮아지는 원인을 이온에 의한 분극과 전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에 의한 분극의 효과가 SiOC 박막의 유전상수를 낮게 하는 효과가 더욱 크게 나타났다.

• Applied Microscopy
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• 제34권2호
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• pp.131-137
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• 2004

돌돔의 피부는 크게 상피층과 진피층으로 구분되며, 상피층은 지지세포, 선세포 및 부속세포로 구성된다. 지지세포는 표면세포, 중간세포 및 기저세포, 선세포는 점액세포와 곤봉상세포, 그리고 부속세포는 염세포가 관찰된다. 표면세포는 편평형 또는 입방형으로서 타원형의 핵을 가지고, 미세융기(microridge)들이 발달되어 있으며 glycocalyx가 관찰된다. 중간세포는 타원형에 가깝고 원형에 가까운 핵을 가진다. 기저세포는 원주형으로서 핵은 세포질의 상부에 위치한다. 점액세포는 타원형으로 세포질은 타원형의 분비과립이 대부분을 차지하며, AB-PAS (pH 2.5)에 청색으로 반응하였다. 곤봉상세포는 세포질에 많은 액포와 미세섬유다발을 관찰할 수 있다. 부속세포인 염세포 세포질의 대부분이 미토콘드리아로 가득 채워져 있다. 색소세포는 세포질에 전자밀도가 높은 색소과립들을 함유한 종류와 반사소판을 함유한 종류로 구분된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.3-4
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• 2006

In this paper, a nickel silicide technology with post-silicidation annealing effect for thin film SOI devices is investigated in detail. Although lower resistivity Ni silicide can be easily obtained at low forming temperature, poor thermal stability and changing of characteristic are serious problems during the post silicidation annealing like ILD (Inter Layer Dielectric) deposition or metallization. So these effects are observed as deposited Ni thickness differently on As doped SOI (Si film 30nm). Especially, the sheet resistance of Ni thickness deposited 20nm was lower than 30nm before the post silicidation annealing. But after the post silicidation annealing, the sheet resistance was changed. Therefore, in thin film SOI MOSFETs or Ni-FUSI technology that the Si film is less than 50nm, it is important to decide the thickness of deposited Ni in order to avoid forming high resistivity silicide.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.77.1-77.1
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• 2013

Atomic layer deposition (ALD) is known for its self-limiting reaction, which offers atomic-level controllability of the growth of thin films for a wide range of applications. The self-limiting mechanism leads to very useful properties, such as excellent uniformity over a large area and superior conformality on complex structures. These unique features of ALD provide promising opportunities for future electronics. Although the ALD of Al2O3 film (using trimethyl-aluminum and water as a metal precursor and oxygen source, respectively) can be regarded as a representative example of an ideal ALD based on the completely self-limiting reaction, there are many cases deviating from the ideal ALD reaction in recently developed ALD processes. The nonconventional aspects of the ALD reactions may strongly influence the various properties of the functional materials grown by ALD, and the lack of comprehension of these aspects has made ALD difficult to control. In this respect, several dominant factors that complicate ALD reactions, including the types of metal precursors, non-metal precursors (oxygen sources or reducing agents), and substrates, will be discussed in this presentation. Several functional materials for future electronics, such as higher-k dielectrics (TiO2, SrTiO3) for DRAM application, and resistive switching materials (NiO) for RRAM application, will be addressed in this talk. Unwanted supply of oxygen atoms from the substrate or other component oxide to the incoming precursors during the precursor pulse step, and outward diffusion of substrate atoms to the growing film surface even during the steady-state growth influenced the growth, crystal structure, and properties of the various films.