• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1243-1246
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• 2009

A novel a-Si TFT integrated gate driver circuit which suppresses the threshold voltage shift due to prolonged positive gate bias to pull-down TFTs, is reported. Negative gate-to-drain bias is applied alternately to the pull-down TFTs to recover the threshold voltage shift. Consequently, the stability of the circuit has been improved considerably.

• ETRI Journal
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• 제31권3호
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• pp.247-253
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• 2009

We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 ${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.

• Journal of Information Display
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• 제7권3호
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• pp.5-8
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• 2006

A novel a-Si TFT integrated gate driver circuit using multi-thread driving has been developed. The circuit consists of two independent shift registers alternating between the two modes, "wake" and "sleep". The degradation of the circuit is retarded because the bias stress is removed during the sleep mode. It has been successfully integrated in 14.1-in. XGA LCD Panel, showing enhanced stability.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.395-398
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• 2004

We developed an a-Si TFT-LCD panel with integrated gate driver circuit using a standard 5-MASK process. To minimize the effect of the a-Si TFT current and LC's capacitance variation with temperature, we developed a new a-Si TFT circuit structure and minimized coupling capacitance by changing vertical architecture above gate driver circuit. Integration of gate driver circuit on glass substrate enables single chip and 3-side free panel structure in a-Si TFT-LCD of QVGA(240$^{\ast}$320) resolution. And using double ASG structure the dead space of TFT-LCD panel could be further decreased.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1305-1308
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• 2008

In this study, we redesigned the reliable integrated on-panel display gate driver that was equipped with dual pull-down as well as controlled discharge-path structure to reduce the high voltage stress effect and realized with TSMC 0.35 um CMOS-based technology before. An improved discharge path and a low noise design are proposed for our new a-Si TFT process implementation. Our novel reliable gate driver design can make each cell of shift register to be insensitive to the coupling noise of that stage.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.25-30
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• 2014

본 논문에서는 태양광시스템의 분산형 최대 전력점 추적(DMPPT)을 제어하는 게이트 드라이버 회로를 설계하였다. 그림자가 생긴 모듈에서도 최대 전력점을 추적할 수 있는 분산형 방식(DMPPT) 방식을 구현 하였으며, 각각의 모듈 내부에 DC-DC 변환기를 구동하기 위한 고전압 게이트 구동회로를 설계하였다. 태양광 시스템의 내부는 12비트 ADC, PLL, 게이트 드라이버가 내장 되어 있다. 게이트 드라이버의 하이 사이드 레벨 쉬프터에 숏-펄스 발생기를 추가하여 전력소모와 소자가 받는 스트레스를 줄였다. BCDMOS 0.35um 공정을 사용하여 구현하였으며 최대 2A 전류를 감달 할 수 있고, 태양 광 전압 최대 50V까지 받을 수 있도록 설계하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권6호
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• pp.1-8
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• 2012

본 논문은 패키징 인덕터를 이용한 완전 집적화된 DC-DC 벅 컨버터를 소개한다. 사용된 패키징 인덕터는 본딩 와이어와 리드 프레임의 기생 인덕턴스를 포함한다. 이들은 실리콘 위에서 구현되는 온-칩 인덕터 보다 높은 Q 인자를 가진다. 또한 본 논문은 고주파 스위칭 컨버터의 효율적인 레귤레이션을 위해 로우-스윙 게이트 드라이버를 제안한다. 로우-스윙 드라이버는 다이오드-커넥티드 트랜지스터의 전압 드롭을 이용한다. 제안된 컨버터는 $0.13-{\mu}m$ CMOS 공정을 통해 설계 및 제작되었다. 제작된 벅 컨버터의 효율은 입출력 전압비가 3.3 V/ 2.0 V와 2.8 V/ 2.3 V 일 때, 각각 68.7%, 86.6%로 측정되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1271-1274
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• 2006

Integrated a-Si:H gate driver with high reliability has been designed and simulated. The proposed a-S:H gate driver has only one reset transistor under AC driving for P and output node. These reset transistors show much less degradation than those under DC driving. The simulation results show that the lifetime and response time are improved significantly compared with those of the prior circuit.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.528-531
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• 2007

본 논문에서는 4인치 WVGA 광학 보상 복굴절형 (Optical Compensated Bend, OCB) 디스플레이 패널을 제안한다. 개발한 패널은 블랙 데이터 삽입 기능을 가진 저온 폴리 실리콘 (low-temperature poly-Si, LTPS) 집적 게이트 구동 회로를 내장하고 있다. 블랙 데이터 삽입 기능은 4ms의 고속 응답 시간 및 $160^{\circ}$의 광 시야각을 가능하게 한다. 본 연구에서는 상대적으로 적은 소비전력을 가진 밝은 영상에 대해 RGBW 픽 셀 구조를 적용하였다. 패널의 특성은 OCB 광학효율을 극대화하였고, 구동 중 영상의 안정성을 유지하는 목표를 달성 할 수 있었다. 패널 상에 OCB 구동을 위해 필요한 회로를 LTPS를 이용하여 설계함으로써 새로운 외부 구동 IC 개발 없이 고효율 OCB 모드를 구현할 수 있었다.

• Journal of Information Display
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• 제6권1호
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• pp.12-16
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• 2005

Gate and data drivers are essential for driving active matrix display. In this study, we integrate drivers with a-Si:H to develop a compact, better reliability and cost effective display. We design and fabricate drivers with conventional a-Si:H thin film transistors (TFTs). The output voltages are investigated according to the input voltage, temperature and operation time. Based on these studies, we propose here a new driver to prevent gate line from the floated state. For the external coupled voltage fluctuation, the proposed driver shows better stability.