Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.4
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pp.41-54
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2002
In this study, we have analyzed the effects of the membrane layer and the bragg reflector layers on the resonance characteristics through comparing the characteristics of the membrane type FBAR (Film Bulk Acoustic Wave Resonator) and the one type bragg reflector layers with those of the ideal FBAR with top and bottom electrode contacting air by using equivalent circuit technique. It is assumed that ZnO is used for piezoelectric film, $SiO_2$ are used for membrane layer and low acoustic impedance layer, W are used for the high acoustic reflector layer and Al is used for the electrode. Each layer is considered to have a acoustic propagation loss. ABCD parameters are picked out and input impedance is calculated by converting 1-port equivalent circuit to simplified equivalent circuit that ABCD parameters are picked out possible. From the variation of resonance frequency due to the change of thickness of electrode layers, reflector layers and membrane layer it is confirmed that membrane layer and the reflector layer just under the electrode have the greatest effect on the variation of resonance frequency. From the variation of resonance properties, K and electrical Q with the number of layers, K is not much affected by the number of layers but electrical Q increases with the number of layers when the number of layers is less than seven. The electrical Q is saturated when the number of layers is large than six. The electrical Q is dependent of mechanical Q of reflector layers and membrane layer. Both ladder filter and SCF (Stacked Crystal Filters) show higher insertion loss and out-of-band rejection with the increase of the number of resonators. The insertion loss decreases with the increase of the number of reflector layers but the bandwidth is not much affected by the number of reflector layers. Ladder Filter and SCF with membrane layer show the spurious response due to spurious resonance properties. Ladder filter shows better skirt-selectivity characteristics in bandwidth but SCF shows better characteristics in insertion loss.
Boron doped fullerene $C_{60}$ ($B:C_{60}$) films were prepared by the thermal evaporation of $C_{60}$ powder using argon plasma treatment. The morphology and structural characteristics of the thin films were investigated by scanning electron microscope (SEM), Fourier transform infra-red spectroscopy (FTIR) and x-ray photo electron spectroscopy (XPS). The electrochemical application of the boron doped fullerene film as a coating layer for silicon anodes in lithium ion batteries was also investigated. Cyclic voltammetry (CV) measurements were applied to the $B:C_{60}$ coated silicon electrodes at a scan rate of $0.05\;mVs^{-1}$. The CV results show that the $B:C_{60}$ coating layer act as a passivation layer with respect to the insertion and extraction of lithium ions into the silicon film electrode.
For the first time, high quality ultra-thin strained Si/SiGe on Insulator (SGOI) substrate with total SGOI thickness( $T_{Si}$ + $T_{SiGe}$) of 13 nm is developed to combine the device benefits of strained silicon and SOI. In the case of 6- 10 nm-thick top silicon, 100-110 % $I_{d,sat}$ and electron mobility increase are shown in long channel nFET devices. However, 20-30% reduction of $I_{d,sat}$ and electron mobility are observed with 3 nm top silicon for the same long channel device. These results clearly show that the FETs operates with higher performance due to the strain enhancement from the insertion of SiGe layer between the top silicon layer and the buried oxide(BOX) layer. The performance degradation of the extremely thin( 3 nm ) top Si device can be attributed to the scattering of the majority carriers at the interfaces.
Ru interfacial layer was inserted into Mo-on-Si interface to enhance the extreme ultra-violet (EUV) reflective multilayer properties. The stacking status and optical properties are analyzed using cross-sectional transmission electron microscope (TEM), and reflectometer. About 1.5% of maximum reflectivity can be acquired as predicted in optical simulation, which is thought to be originated from the diffusion inhibition property. Phase defect correctability of the multilayer can be enhanced by the insertion of Ru barrier layer.
Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
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v.15
no.5
s.98
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pp.571-577
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2005
The acoustic absorption of multiple layer perforated panel systems is largely reduced at the anti-resonance frequency. In order to improve the acoustic absorption at the anti-resonance frequency, the sound absorbing materials are inserted between perforated panels. By the insertion of absorbing materials, it is found that the multiple layer perforated panel system has better acoustic absorption at the anti-resonance frequency and more broadband frequency. Besides, it is shown that the absorption coefficients from the transfer matrix method agree well with the values measured by the two-microphone impedance tube method for various combinations of perforated panels, airspaces or sound absorbing materials.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.11
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pp.1056-1060
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2005
We investigated the fabrication and characteristics of the nitride-based spin-polarized LEDs with room-temperature ferromagnetic (Ga,Mn)N layer as a spin injection source. The (Ga,Mn)N thin films having room-temperature ferromagnetic ordering were found to exhibit the negative MR and anomalous Hall resistance up to room temperature, revealing the existence of spin-polarized electrons in (Ga,Mn)N films at room temperature. The electrical characteristics in the spin LEDs did not degraded in spite of the insertion of the (Ga,Mn)N layer into the LED structure. In EL spectra of the spin LEDs, it is confirmed that the devices produce intense EL emission at 7 K as well as room temperature. These results are expected to open up new opportunities to realize room-temperature operating semiconductor spintronic devices.
By studying the portions and layers(分部), left and right, superior and inferior, location of yin and yang, and beginning and end of diseases of skin, which is the core point of the theory of cutaneous region(皮部論) in "Naejing(內經)", in the physiological and pathological perspective, based on opinion of historic memorial doctors, arrived to the conclusion as below. Cutaneous region means not only the distribution of three yin and three yang(三陰三陽) of the surface, but also inside and outside, shallowness and depth, and it is the system which unites meridians, networks, and vessels. It is divided into portions and layers. The origin and beginning of diseases and the rule of favorable pattern and unfavorable pattern can be known through it. The portion of skin is not only the area that meridian vessels belongs to skin, but also the area that activation of twelve meridian vessels are expressed in the surface. The layer of skin is consisted in order of skin-tertiary collateral vessel-collateral vessel-meridian vessel-bone. In "Naejing", there are two preconditions to divide three yin and three yang into yin and yang. The first is standing while looking the south, and second is the quotation "outside is side of yang(外者爲陽 內者爲陰)." According to this preconditions, yang of outside of yang brightness, lesser yang, and greater yang is the whole body, except inside of hand and foot which yin of lesser yin, pericardium, and greater yin. Superior and inferior of the portions and the layers is designated as hand and foot, theological basis of which superior and inferior work in same diagnostic method can be found in the root and the basis(標本) and the origin and the insertion(根結). In conclusion, cutaneous region not only manages layer of the skin, but also it is divided into layers and portions, so it has close relations between meridian vessels and collateral vessels. The in-depth study of cutaneous region and meridians should be progress, in order to practice of diagnosis and acupuncture and moxibustion more.
Kim, Young-Min;Lee, Joo-Won;Park, Jung-Su;Bae, Sung-Jin;Paek, Kyeong-Kap;Jang, Jin;Sung, Man-Young;Ju, Byeong-Kwon;Kim, Jai-Kyeong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.108-111
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2004
An efficiency and brightness of the Organic Light-emitting Diodes(OLEDs) by insertion of the novel layer between a singlet emitter and an electron transporting layer without doping processes, has been improved. The novel layers named as the K-M1 and K-M2 layers have shown the excellent improvement in the carrier balance and recombination efficiency. New devices using the K-M1 and K-M2 layers have shown a high efficiencies of over 15cd/A and 61m/W$(at\;20mA/cm^2)$, and brightness of over $16,000cd/m^2(at\;100mA/cm^2)$, respectively.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.12
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pp.2014-2018
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2016
Transparent, conductive electrode films, showing the particular characteristics of good conductivity and high transparency, are of considerable research interest because of their potential for use in opto-electronic applications, such as smart window, photovoltaic cells and flat panel displays. Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than widely-used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using RF/DC magnetron sputtering system. The multilayer structure consisted of three layers, [NiInZnO(NIZO)/Ag/NIZO]. The optical and electrical properties of the multilayered NIZO/Ag/NIZO structure were investigated in relation to the thickness of each layer. The optical and electrical characteristics of multilayer structures have been investigated as a function of the Ag and NIZO film thickness. High-quality transparent conductive films have been obtained, with sheet resistance of $9.8{\Omega}/sq$ for Ag film thickness of 8 nm. Also the multilayer films of inserted Ag 8 nm thickness showed a high optical transmittance above 93% in the visible range. The electrical and optical properties of the new multilayer films were mainly dependent on the thickness of Ag insertion layer.
Sung-Ju Park;Kookhyun Kim;Cheolsoo Park;Jaehyuk Lee;Keunhwa Lee;Cheolwon Lee
The Journal of the Acoustical Society of Korea
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v.42
no.3
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pp.227-232
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2023
Underwater noise pollution has a significant impact on the marine environment. This study proposed a simple approach to estimate the acoustic radiation efficiency of structures with air bubble layers. The method considered the insertion loss caused by the air bubble layer through post-processing of numerical results, assuming that insertion loss is equivalent to attenuation as demonstrated by previous studies. The proposed approach was validated by comparing it with a fully coupled analysis for plate structure models. The commercial finite element program COMSOL Multiphysics was used for the acoustic-structure interaction analysis, and the acoustic characteristics of air bubble layer for the fully coupled analysis was simulated by on the Commander and Prosperetti theory. The trends indicated good agreement between the simple approach and the fully coupled analysis in terms of radiation efficiency. It is confirmed that the proposed method is providing insight into the principal mechanism of underwater noise reduction for the bubble layer on the wedge-shaped structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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