Indium tin oxide (ITO) thin films show a low sheet resistance and high transmittance in the visible range of the spectrum. Therefore, they play an important role as transparent electrodes for flat panel displays. However, their resistivity is rather high for use as a transparent electrode in large displays. One way to improve electrical and optical properties in large displays is to use ITO/Ag/ITO multilayer films. ITO/Ag/ITO multilayer films have lower sheet resistance than single layer ITO films with the same thickness. Prior to the ITO/Ag/ITO multilayer experiments, optimal condition for thickness change are necessary. Their thicknesses were deposited differently in order to analyze electrical and optical properties. However, when optimal single film characteristics are applied to ITO/Ag/ITO multilayer films, other phenomena appeared. After analyzing the electrical and optical properties by changing ITO and Ag film thickness, ITO/Ag/ITO multilayer films were optimized. By combining ITO film at $586\;{\AA}$ and Ag film at 10 nm, the ITO/Ag/ITO multilayer films showed optimized high optical transmittance of 87.65%, and the low sheet resistance of $5.5{\Omega}/sq$.
A novel ceramic Gas Electron Multiplier (GEM) has been developed to meet the demand of high counting rate for the neutron detection which is an alternative to 3He-based detector at China Spallation Neutron Source (CSNS). An experiment was performed to measure the neutron transmittance of ceramic-GEM and FR4-GEM at the small angle neutron scattering (SANS) instrument. The result showed the ceramic-GEM has higher transmittance and less self-scattering especially for cold neutrons. One single ceramic GEM could give a gain of 102-104 in the mixture gas of Ar and CO2 (90%:10%) and its energy resolution was about 27.7% by using 55Fe X ray of 5.9 keV. A prototype has been developed in order to investigate the performances of the ceramic GEM-based neutron detector. Several neutron beam tests, including detection efficiency, spatial resolution, two-dimensional imaging, and wavelength spectrum, were carried out at CSNS and China Mianyang Research Reactor (CMRR). The results show that the ceramic GEM-based neutron detector is a good candidate to measure the high intensity neutrons.
목적: 투명과 착색 안경렌즈의 자외선 차단 특성을 평가하고자 하였다. 방법: 안경렌즈의 투과 스펙트럼은 ANSI Z80.1에 제시된 방법으로 측정하였고, UV(200~380 nm; UVA, UVB, UVC) 및 청색광 영역(380~400 nm)에 대하여 각 렌즈의 투과율을 계산하였다. 결과: 중굴절률, 고굴절률의 투명 플라스틱 렌즈 및 착색 플라스틱 렌즈는 UV에서 우수한 자외선 차단 특성을 보였으나, 자외선 차단제를 처리하지 않은 크라운 유리나 CR39는 그렇지 않았다. 고굴절률 렌즈와 눈부심 방지 야간용 렌즈를 제외한 모든 렌즈는 청색광을 효과적으로 차단하지 않았다. 결론: 크라운 유리와 CR39 렌즈는 UV로부터 눈을 보호하기 위해서 자외선 차단제가 필요하다. 또한 고굴절률 렌즈와 눈부심 방지 야간용 렌즈를 제외한 모든 렌즈는 청색광으로부터 눈을 보호하기 위해서 청색광 차단제가 필요하다.
High power impulse magnetron sputtering (HIPIMS), also known as the technology is called peak power density in a short period, you can get high, so high ionization sputtering rate can make. Higher ionization of sputtered species to a variety of coating materials conventional in the field of improving the characteristics and self-assisted ion thin film deposition process, which contributes to a superior being. HIPIMS at the same power, but the deposition speed is slow in comparison with DC disadvantages. Since recently as a replacement for HIPIMS modulated pulse power (MPP) has been developed. This ionization rate of the sputtered species can increase the deposition rate is lowered and at the same time to overcome the problems to be reported. The differences between the MPP and the HIPIMS is a simple single pulse with a HIPIMS whereas, MPP is 3 ms in pulse length is adjustable, with the full set of multi-pulses within the pulse period and the pulse is applied can be micro advantages. In this experiment, $In_2O_3$ : $SnO_2$ composition ratio of 9 : 1 wt% target was used, Ar : $O_2$ flow rate ratio is 4.8 to 13.0% of the rate of deposition was carried out at room temperature. Ar 40 sccm and the flow rate of $O_2$ and then fixed 2 ~ 6 sccm was compared against that. The thickness of the thin film deposition is fixed at 60 nm, when the partial pressure of oxygen at 9.1%, the specific resistance value of $4.565{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, transmittance 86.6%, mobility $32.29cm^2/Vs$ to obtain the value.
The Non-dispersive Infrared (NDIR) gas sensor has high selectivity, measurement reliability, and long lifespan. Thus, even though the NDIR gas sensor is expensive, it is still widely used for carbon dioxide (CO2) detection. In this study, to reduce the cost of the NDIR CO2 gas sensor, we proposed the new optical waveguide structure design based on ready-made gas pipes that can improve the sensitivity by increasing the initial light intensity. The new optical waveguide design is a structure in which a part of the optical waveguide filter is inclined to increase the transmittance of the filter, and a parabolic mirror is installed at the rear end of the filter to focus the infrared rays passing through the filter to the detector. In order to examine the output characteristics of the new optical waveguide structure design, optical simulation was performed for two types of IR-source. As a result, the new optical waveguide structure can improve the sensitivity of the NDIR CO2 gas sensor by making the infrared rays perpendicular to the filter, increasing the filter transmittance.
This study examines the surface characteristics, electrical conductivity, electromagnetic wave blocking characteristics, infrared (IR) transmittance, stealth function, thermal characteristics, and moisture characteristics of IR thermal imaging cameras. Nylon film (NFi), nylon fabric (NFa), and 5 types of nylon mesh were selected as the base materials for aluminum sputtering, and aluminum sputtering was performed to study IR thermal imaging, color difference, temperature change, and so on, and the relationship with infrared transmittance was assessed. The electrical conductivity was measured and the aluminum-sputtered nylon film demonstrated 25.6kΩ of surface resistance and high electrical conductivity. In addition, the electromagnetic wave shielding characteristics of the sputtering-treated nylon film samples were noticeably increased as a result of aluminum sputtering treatment as measured by the electromagnetic wave blocking characteristics. When NFi and NFa samples with single-sided sputtering were placed on the human body (sputtering layer faced the outside air) and imaged using IR thermographic cameras, the sputtering layer displayed a color similar to the surroundings, showing a stealth effect. Moreover, the tighter the sample density, the better the stealth function. According to the L, a, b measurements, when the sputtering layer of NFi and NFa samples faced the outside air, the value of a was generally high, thereby demonstrating a concealing effect, and the △E value was also high at 124.2 and 93.9, revealing a significant difference between the treated and untreated samples. This research may be applicable to various fields, such as the military wear, conductive sensors, electromagnetic wave shielding film, and others.
시설하우스에 이용되는 시설자재의 규격화와 품질개선을 유도하기 위하여 피복자재의 종류별, 두께별로 물리적 기계적 특성을 시험 분석하였다. 피복재의 물리적 기계적 특성은 충격강도, 인장 인열강도 및 파장별 투과율을 측정하였으며, 시험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 다트식 낙추시험에서 연질필름의 충격 강도는 피복재가 두꺼울수록 파괴하중이 증가하여 50% 파괴수준의 하중이 158-213g 범위에 있었으며, LDPE 필름이 대체로 높게 나타났다. 2. 충격파괴정도를 보면 전혀 파괴되지 않는 최대 충격하중이 62-192g 범위였으며, 0.05mm에 비해 0.1mm 두께의 필름이 충격에 견디는 힘이 1.8-3.2배 더 강한 것으로 나타났다. 3. 인장하중은 0.95-2.22kg 범위로 피복재 길이 방향이 높고, LDPE 필름이 높게 나타났으며, 신장율은 345-1020% 범위로 길이보다 폭방향이 1.4-2.7배 더 신장되는 것으로 나타났다. 4. 인열강도는 80.S-121.7kg/cm의 범위로 LDPE 필름이 높고 EVA가 낮은 것으로 나타났으며, 길이방향보다 폭방향이 더 큰 값으로 나타났다. 5. 연질필름의 종류별 광투과특성은 자외선 영역에서 87-92%로 큰 차이가 나타나지 않았으나 가시광선 영역에서 높은 투광율을 나타내었다.
We have investigated the structural, electrical and optical properties of Al-doped ZnO (AZO) thin films grown on glass substrate by pulsed DC magnetron sputtering as functions of pulse frequency and substrate temperature. A highly c-axis oriented AZO thin film is grown in perpendicular to the substrate when pulse frequency of 30 kHz and substrate temperature of $400^{\circ}C$ was applied. Under this optimized growth condition, the resistivity of AZO thin films exhibited $7.40\times 10^{-4}\Omega \textrm{cm}$. This indicated that the decrease of film resistivity resulted from the improvement of film crystallinity. The optical transmittance spectra of the films showed a very high transmittance of 85∼90 % in the visible wavelength region and exhibited the absorption edge of about 350 nm. The results show the potential application for transparent conductivity oxide (TCO) thin films.
Recently the researchers has been interested in the development of the high performance windows such as solar control window using automatic shading devices, air-flow window, selective coating window. In order to assess the energy performance of total fenestration system, the net energy gains or losses through the glazings and windows should be evaluated. It depends on the thermal transmittance (U-value) and the total solar energy transmittance (SHGC, g-value). This study aims to measure the solar heat gain coefficient according to the NFRC 201 standard test method. In results, we could find the result of different SHGC of the glazing system with a different slat angles. The SHGC in case of $90^{\circ}$ of internal slat angle with regard to the window surface is about 0.56, that in case of $45^{\circ}$ is about 0.49 and that in case of $0^{\circ}$ is about 0.33. Significant dependence on the solar radiation intensity and incident angle was found in comparison of the measured and simulated SHGC.
Al doped ZnO(AZO) thin films were deposited at different substrate temperatures by a continuous composition spread(CCS) method. Various compositions of Al doped ZnO thin films deposited at substrate temperatures between 0 and $250^{\circ}C$ were explored to find excellent electrical and optical properties. The AZO thin film deposited at $100^{\circ}C$ had the lowest resistivity, $9{\times}10^{-4}{\Omega}$ cm and its average transmittance at the 400 to 700 nm wavelength region was 92 %. Optimized composition of the AZO thin film which had the lowest resistivity and high transmittance was 3.13 wt% Al doped ZnO.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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