Fracture roughness of rock specimens is observed by a new confocal laser scanning microscope (CLSM; Olympus OLS1100). The wave length of laser is 488 nm, and the laser scanning is managed by a light polarization method using two galvano-meter scanner mirrors. The function of laser reflection auto-focusing enables us to measure line data fast and precisely. The system improves resolution in the light axis (namely z) direction because of the confocal optics. Using the CLSM, it is Possible to measure a specimen of the size up to $10{\;}{\times}{\;}10{\;}cm$ which is fixed on a specially designed stage. A sampling is managed in a spacing $2.5{\;}\mu\textrm{m}$ along x and y directions. The highest measurement resolution of z direction is $10{\;}\mu\textrm{m}$, which is more accurate than other methods. Core specimens of coarse and fine grained granite are provided. Fractures are artificially maneuvered by a Brazilian test method. Measurements are performed along three scan lines on each fracture surface. The measured data are represented as 2-D and 3-D digital images showing detailed features of roughness. Line profiles of the coarse granites represent more frequent change of undulation than those of the fine granite. Spectral analyses by the fast Fourier transform (FFT) are performed to characterize the roughness data quantitatively and to identify influential frequency of roughness. The FFT results suggest that a specimen loaded by large and low frequency energy tends to have high values of undulation change and large wave length of fracture roughness.
The $n^+/p/p^+$ junction PERL solar cell of $0.1{\sim}2{\Omega}{\cdot}cm$ (100) p type silicon wafer was fabricated through the following steps; that is, wafer cutting, inverted pyramidally textured surfaces etching by KOH, phosphorus and boron diffusion, anti-reflection coating, grid formation and contact annealing. At this time, the optical characteristics of device surface and the efficiency of doping concentration for resistivity were investigated. And diffusion depth and doping concentration for n+ doping were simulated by silvaco program. Then their results were compared with measured results. Under the illumination of AM (air mass)1.5, $100\;mW/cm^2$$I_{sc}$, $V_{oc}$, fill factor and the conversion efficiency were 43mA, 0.6 V, 0.62. and 16% respectively.
Kim, Ji-Min;Kim, Chang-Hoon;Kim, Do-Sam;Hur, Dong-Soo
Journal of Korean Society of Coastal and Ocean Engineers
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v.19
no.1
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pp.57-65
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2007
Shallow water waves are hindcasted from sea wind fields, which include wave transformations such as shoaling, refraction, diffraction, reflection and wave breaking. In case of estimating sea wind field in shallow water, the sea wind revised from free wind obtained by the typhoon model is widely used. However, this method is not able to consider the effect of land topography on the wind field, which will be important factor for shallow water wave forecasting and hindcasting. In this study, therefore, the effect of land topography on sea wind field in shallow water is investigated for shallow water wave forecasting and hindcasting with high accuracy. The 3-D MASCON model is introduced to consider the influence of land topography on the wind field. And, for two areas divided by the topographical characteristics, i.e. shielded and opened coastal areas, sea wind field is examined by comparison between initial wind field by typhoon model and modified wind field by 3-D MASCON model. Finally, applying these sea wind fields to SWAN model, the results of shallow water wave calculated in shielded and opened coastal areas are compared, and, also, the effect of MASCON model on shallow water wave forecasting and hindcasting is discussed.
Recently, the wireless LAN system is rapidly growing because of its convenience of high speed communication. However, the wireless LAN systems at indoor places occur multi-propagation path by reflected waves from walls, ceilings, floors, and desks. Multipath problems cause transmission errors and degradation of communication speed. These problems can be solved by using EM wave absorbers. In this paper, we analyzed property of Graphite and derived the optimum ratio of Graphite: CPE to develop EM wave absorber for the wireless LAN system. First, we fabricated several samples in different composition ratios of Graphite and CPE, and then measured the reflection coefficient of each samples. Material constants of permittivity and permeability were calculated using the measured data and designed EM wave absorber. Secondly, the EM wave absorber was fabricated and tested on the base of the simulation data. As a result, it showed that the EM wave absorber in 1.7 mm thickness with the ratio of Graphite: CPE=50:50 wt.% has excellent absorption ability more than 27 dB at 5.2 GHz.
Park, Kwang-Mook;Jung, Jee-Hee;Bae, So-Ik;Choi, Si-Young;Lee, Myoung-Bok
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.20
no.3
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pp.225-232
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2011
Reactive ion etching (RIE) technique for maskless surface texturing of mc-silicon solar wafers has been applied and succeed in fabricating a grass-like black-silicon with an average reflectance of $4{\pm}1%$ in a wavelength range of 300~1,200 nm. In order to investigate the optimized texturing conditions for mass production of high quantum efficiency solar cell Surface characteristics such as the spatial distribution of average reflectance, micrscopic surface morphology and minority carrier lifetime were monitored for samples from saw-damaged $15.6{\times}15.6\;cm^2$ bare wafer to key-processed wafers as well as the mc-Si solar cells. We observed that RIE textured wafers reveal lower average reflectance along from center to edges by 1% and referred the origin to the non-uniform surface structures with a depth of 2 times deeper and half-maximum width of 3 times. Samples with anti-reflection coating after forming emitter layer also revealed longer minority carrier lifetime by 40% for the edge compared to wafer center due to size effects. As results, mc-Si solar cells with RIE-textured surface also revealed higher efficiency by 2% and better external quantum efficiency by 15% for edge positions with higher height.
We have the homoepitaxiallayers on the surfaces of Si(111) with and without the adsorbed surfactants, for example, Ag or Sn. In this paper, We have studied the difference of growth for these two cases by the observation of intensity oscillations of RHEED specular spots during the growing processes. In the case of growth without the adsorbed surfactants, the Si atoms fill first the stacking fault layer of Si(111) 7 ${\times}$7 structure. Therefore, the irregular oscillations are observed in the early stage of growing process. However, in the case of growth with the adsorbed surfactants, the surfactants already have the ${\sqrt}{3}$${\times}$${\sqrt}{3}$ structures on the surfaces of Si(111) at the adjucate temperatures of 300`$600^{\circ}C$ and 190~$860^{\circ}C$ for the surfactants of Ag and Sn, respectively. We also find that the number of oscillations is a little larger for the case of growth with the adsorbed surfactants. The reason for this is that for the case of growth with the adsorbed surfactants, the activation energies of Si atoms decrease due to the segregation of surfactants toward the growing surfaces.
We report growth of epitaxial AlN thin films on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. To achieve two-dimensional growth the substrates were nitrided by nitrogen plasma prior to the AlN growth, which resulted in the formation of a two-dimensional single crystalline AlN layer. The formation of the two-dimensional AlN layer by the nitridation process was confirmed by the observation of streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns. The growth of AlN thin films was performed on the nitrided AlN layer by changing the Al beam flux with the fixed nitrogen flux at 860$^{\circ}C$. The growth mode of AlN films was also affected by the beam flux. By increasing the Al beam flux, two-dimensional growth of AlN films was favored, and a very flat surface with a root mean square roughness of 0.196 nm (for the 2 ${\mu}m$${\times}$ 2 ${\mu}m$ area) was obtained. Interestingly, additional diffraction lines were observed for the two-dimensionally grown AlN films, which were probably caused by the Al adlayer, which was similar to a report of Ga adlayer in the two-dimensional growth of GaN. Al droplets were observed in the sample grown with a higher Al beam flux after cooling to room temperature, which resulted from the excessive Al flux.
The purpose of the study is to explore the mental health social workers' experiences concerning client's self-determination by grounded theory, one of the qualitative method. Although a lot of previous studies has proved that the practitioners have suffered from the ethical considerations in their practice, on which the matter of client's self-determination is centered, little attention is paid to deep exploration of practitioners' real experience about those aspects. To carry out the research question, first, through literature reviews focusing on clarify the underlying issues about client's self-determination, three intrinsic clues are found out; incompetence, medical benefits, the harm to the third party. Data obtained by in-depth interview with 10 participants are analyzed by employing the methode developed by Corbin and Strauss, which could categorize the raw data into several high-level concepts and constructs. The findings of the study show that most practitioners would consider the clients as the intrinsic subject of self-determination. Therefore, in practice, they are trying to support the client's self-determination even within the some constraints. In addition, they also experience the clients' latent potential in actualizing autonomy and self-determination, and identifies the positive effect of self-determination not only on the client's self-help and mental health but also on the practitioners themselves. The results of the study clearly suggests that it is critical to provide the practitioners with adequate ethical education and training to help them to overcome their ethical suffering concerning clients self-determination.
Full-waveform inversion (FWI) is an optimization process of fitting observed and modeled data to reconstruct high-resolution subsurface physical models. In acoustic FWI (AFWI), pressure data acquired using a marine streamer has mainly been used to reconstruct the subsurface P-wave velocity models. With recent advances in marine seismic-acquisition techniques, acquiring multi-component data in marine environments have become increasingly common. Thus, AFWI strategies must be developed to effectively use marine multi-component data. Herein, we proposed an AFWI strategy using horizontal and vertical particle-acceleration data. By analyzing the modeled acoustic data and conducting sensitivity kernel analysis, we first investigated the characteristics of each data component using AFWI. Common-shot gathers show that direct, diving, and reflection waves appearing in the pressure data are separated in each component of the particle-acceleration data. Sensitivity kernel analyses show that the horizontal particle-acceleration wavefields typically contribute to the recovery of the long-wavelength structures in the shallow part of the model, and the vertical particle-acceleration wavefields are generally required to reconstruct long- and short-wavelength structures in the deep parts and over the whole area of a given model. Finally, we present a sequential-inversion strategy for using the particle-acceleration wavefields. We believe that this approach can be used to reconstruct a reasonable P-wave velocity model, even when the pressure data is not available.
This paper represents 50 ㎓ narrow band pass filters for fiber optical communication fabricated by dual ion beam sputtering method. We have analyzed the characteristics of the TA$_2$$O_{5}$ and $SiO_2$ single layers in order to optimize the process conditions for the 50 ㎓ narrow band pass filters, and controlled the film thickness uniformity to less than 0.1 nm deviation by dual peak spike filter pre-deposition. We designed and fabricated 50 ㎓ narrow band pass filters that consist of 216 layers including 4 cavities based on quarter wave optical thickness. Class substrates with high thermal expansion coefficients were used to reduce the film stress. Anti-reflection coating at the rear side of the substrate was also needed to reduce the optical thickness errors of the Optical Monitoring System caused by multiple beam interference between the front side and the rear side of substrate. The optical characteristics of this 50 ㎓ narrow band pass filters are insertion loss of 0.40 ㏈, pass band ripple of 0.20 ㏈, and pass bandwidth at -0.5 ㏈ of 0.20 nm. and isolation bandwidth at -25 ㏈ of 0.6 nm, which satisfy specifications of dense WDM system in fiber optical communications.tions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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