• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.907-909
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• 2009

Low voltage operated top gated polymer transistors were fabricated with a high permittivity polymer, P(VDF-TrFE) and F8T2 as a gate dielectric and semiconducting layer, respectively. The operating voltage of transistors was effectively reduced under -10 V and typical threshold voltages were as low as -1 ~ -4 V with the reasonable charge carrier mobility of $10^{-3}cm^2$/Vs for the amorphous polymer. The large hysteresis in transfer curve was improved effectively by annealing at low temperature.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.990-992
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• 1993

Studies have been made to establish what coil design parameters have an important influence on the amplitude of interturn voltages developed in a machine winding subject to steep-fronted surges. The studies are based on a lattice-diagram model of multi conductor transmission line in a machine winding energised by a simple ramp function. Variations in interturn voltages produced by changes in insulation thickness, insulation permittivity, surge wave-front are examined and certain guidelines for avoiding high interturn voltages are evaluated.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.105-112
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• 2017

이동통신 시스템의 멀티미디어 서비스 확산과 고속통신 기능의 수요를 충족시키기 위해서 다중대역 전력증폭기의 고효율, 광대역 특성 및 비선형 특성의 개선이 필요하다. 본 연구에서는 J-급 전력증폭기 동작조건을 만족하는 2차 고조파 정합회로를 단일-스터브 정합회로로 구성하였다. 광대역 J-급 동작조건을 만족시키기 위해 단일-스터브 정합회로는 낮은 특성임피던스를 갖는 것이 필요하다. 본 연구에서는 낮은 특성 임피던스를 갖는 단일-스터브 정합회로를 패키지 내에 높은 유전율의 세라믹 기판을 이용하여 구현하였다. 이에 따라 2차 고조파 정합회로가 패키지된 GaN HEMT와 외부 기본파 정합회로를 이용하여 넓은 주파수 대역에서 J-급 출력 임피던스 조건을 만족하는 전력증폭기를 구현하였다. 제작된 J-급 전력증폭기 측정 결과, 1.8~2.7 GHz(900 MHz)의 대역폭에서 50 W(47 dBm) 이상의 출력전력과 최대 72.6 %의 드레인 효율, 최대 66.5 %의 PAE 특성을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권5호
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• pp.994-1000
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• 2001

정보통신기술의 발달과 전자기기의 사용량 증가에 따른 전자파장애의 발생이 점차 사회 문제화되면서 그 대책이 요구됨에 따라 전자파 흡수체에 대한 관심도 증가되고 있는데 본 연구에서는 전자파 흡수체로 알려진 NiCuZn 페라이트의 조성비 및 소결온도 변화에 따른 복소유전율과 복소투자율의 주파수 의존 특성을 알아보고 전자파 흡수성능에 대한 영향을 조사하였다. NiCuZn 페라이트의 조성 중 $Fe_2O_3$및 ZnO를 각각 49.0, 34.0mol%로 고정하고 NiO 및 CuO의 구성비를 변화시켜 측정한 결과 NiO의 구성비가 8.5~9.5 mol%의 범위에서, 소결온도는 $1080^{\circ}C$에서 초투자율 및 유전율이 크고 $loss tangent(=\mur"/\mur')$가 약 2 MHz~9.5 GHz 주파수 대역에서 1 이상을 보이며 전파흡수 성능이 가장 우수하게 나타났다.나타났다.

• Advanced Composite Materials
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• 제17권3호
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• pp.235-246
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• 2008

This paper is concerned with geotextiles bonded chemically with geogrid to form a geocomposite. Geotextiles, thermally bonded and non-woven, play an important role as a separator. Also, this study investigates the resistance to the application environment of geotextile composites. Here, numerous tests have been performed and it was revealed from experimental results that thermally bonded geotextile in geosynthetic composites showed superior characteristics to that manufactured from needle punched non-woven method in terms of tensile strength, tensile strain and high separation performance. It was noted from experiments that the geotextile prepared for separation purpose and manufactured in a thermal bonding method showed relatively low permittivity so that it could be used as a smooth separator. In addition, PVA geotextile/HDPE geomembrane composites were designed and manufactured to investigate the waste landfill related properties. Numerous experiments have been performed and experimental results were summarized to evaluate practical applicability of PVA geotextile/HDPE geomembrane composites. Among the properties of proposed geomembrane composites, evaluation has been focused on the investigation of mechanical properties, AOS (apparent opening size), permittivity and ultraviolet stability.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.513-520
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• 2001

본 논문에서는 세층 마이크로스트립 유전체 기판을 이용한 방향성 결합기를 제안하고, 설계방법을 제시하였다. 제안된 구조는 re-entrant mode 결합기의 구조를 수정하여. 결합이 이루어지는 두 전송선로의 위에 한 층의 매질을 추가시키고 그 위에 부동도체를 위치시킨 형태이다. 이러한 구조는 기 모드 정전용량의 증가로 인해 높은 결합도를 얻을 수 있고, 각 모드별 유효 유전율의 차이가 크지 않기 때문에 정재파비, 격리도, 위상차 등에서도 우수한 특성을 얻을 수 있다. 우, 기 모드 해석 방법을 통해 임피던스, 유효 유전율, 결합계수 등을 계산하여 결합기를 설계하였다. 시뮬레이션 및 측정결과 제안된 구조가 기존의 구조보다 2dB 정도 높은 결합도를 가지고, 정재파비, 격리도, 위상 특성 또한 우수함을 알 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제24권2호
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• pp.56-59
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• 2014

$Ba_2CoZnFe_{12}O_{22}$ 시료를 습식분쇄로 이용한 직접 합성법을 사용하였으며, 소결 조건의 변화에 따른 시료 제조후, x-선 회절기(XRD), 진동시료형 자화율측정기(VSM), 회로망 분석기, 그리고 뫼스바우어 분광기 측정을 이용하여 결정학적 및 자기적 특성을 연구하였다. X-선 회절 실험을 통해 Y-type hexaferrite가 주상임을 알 수 있었고, 소결 온도가 증가할수록 밀도가 증가하였다. 상온에서 10 kOe까지의 자화이력곡선 측정 결과, 포화 자화 값는 모든 시료가 약 33 emu/g으로 비슷한 값이 나왔으며, 보자력은 소결 온도가 증가할수록 감소하였다. 회로망 분석기를 통해 100 MHz부터 4 GHz까지 투자율과 유전율을 측정하였다. 그 결과, 소결 온도가 증가할수록 투자율과 tan ${\delta}_{\mu}$는 감소하였다.

• 한국항행학회논문지
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• 제24권6호
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• pp.627-632
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• 2020

본 논문에서는 폴리비닐알코올로 코팅된 마이크로스트립 결함 접지 구조 기반 마이크로파 센서를 이용한 습도 센서의 개발에 대하여 연구하였다. 인터디지털 커패시터 모양의 결함 접지 구조를 마이크로스트립 선로의 접지면에 추가하여 피시험물의 유전율 변화에 민감한 고감도 마이크로파 센서를 설계하였다. 습도에 따라 유전율이 변하는 고분자 물질인 폴리비닐알코올을 제안된 센서의 결함 접지 구조에 얇은 두께로 코팅하였고, 습도에 따른 마이크로파 센서의 전달계수의 공진 주파수와 크기의 변화를 측정하였다. 온습도 챔버를 사용하여 25도에서 상대습도를 40%에서 80%까지 10% 간격으로 증가시켰을 때 전달계수의 공진 주파수는 1.475 GHz에서 1.449 GHz로 감소하였고, 크기는 -32.90 dB에서 -25.67 dB로 증가하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권3호
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• pp.14-20
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• 2023

The electrostatic chuck is a technology that uses electroadhesion to attach objects and is widely used in semiconductor and display processes. This research conducted Maxwell by varying parameters to examine the distribution and variations of chucking force in a bipolar-type ESC. The parameters that were changed include the material properties of the dielectric layer and attachment substrate, applied voltage to the electrode, and the gap and width between the electrodes. The analysis results showed that as the relative permittivity of the dielectric layer and substrate increased, the chucking force also increased, with the relative permittivity of the substrate having a greater impact on the chucking force. And increasing the applied voltage led to an increase in both the chucking force and its rate of change. Lastly, as the gap between the electrodes increased, the chucking force rapidly decreased until a certain distance, after which the decrease became less significant. On the contrary, increasing the electrode width resulted in a rapid increase in the chucking force until a certain width, beyond which the increase became less pronounced, eventually converging to a chucking force of 1700 Pa. This paper is expected to have high potential for the development and research of ESC for OLED deposition.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.1-4
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• 2008

The electrical characteristics of polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT) crystallized by excimer laser annealing (ELA) method were evaluated, The polycrystalline silicon thin-film transistor (poly-Si TFT) has higher electric field-effect-mobility and larger drivability than the amorphous silicon TFT. However, to poly-Si TFT's using conventional processes, the temperature must be very high. For this reason, an amorphous silicon film on a buried oxide was crystallized by annealing with a KrF excimer laser (248 nm)to fabricate a poly-Si film at low temperature. Then, High permittivity $HfO_2$ of 20 nm as the gate-insulator was deposited by atomic layer deposition (ALD) to low temperature process. In addition, the solid phase crystallization (SPC) was compared to the ELA method as a crystallization technique of amorphous-silicon film. As a result, the crystallinity and surface roughness of poly-Si crystallized by ELA method was superior to the SPC method. Also, we obtained excellent device characteristics from the Poly-Si TFT fabricated by the ELA crystallization method.