Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.20
no.12
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pp.3792-3803
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1996
Since the skew beam element has two curvatures which are a curvature and a torsion, spatial behavior of curved beam which cannot be included in one plane can be anlayzed by emploting the skew beam element. The $C^{0}$-continuous skew beam element shows the stiffness locking phenomenon when full integration is employed. The locking phenomenpn is characterized by two typical phenomena ; one is the much smaller displacement thant the exact one and theother is the undelation phenomenon is stress distribution. In this paper, we examine how unmatched coefficient in the constrained energy brings about the locking by Reduced Minimization theory. We perform the numerical ones. These comparisons show that uniformly full integration(UFI), which employs full integration for the constrained energy, entails the locking phenomenon. But the use of uniformly reduced integration(URI) of selectively reduced integration(SRI), which employs reduced integration for constrained energy, does not produce the significant errors of displacements of the undulation phenomenon in stress distribution since they do not entails the locking, Additionally, the error due to the approximated parameters for describing the geometry of skew beam is examined.d.
Butyl rubber is used as an adhesive and it is mainly used in the form of sheets. The goal of this study is to design an extrusion die for the butyl rubber sheets using computer simulation. The extrusion die for the butylrubber sheets consists of manifold area and land area. In the manifold area, flows are spread from the entrance of the extrusion die to the land area. In the land area, flows become stable to the flow direction and uniform sheet can be obtained. Island area is being installed in the land area to get uniform flow. Four parameters, angle of manifold, length of manifold, length of land and island, were examined in the computer simulation. The optimum geometry of the extrusion die is derived which has a uniform flow in the width direction of the die.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.9
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pp.19-27
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2002
Characteristics of interconnect lines considering underlayer geometries of a silicon substrate and crossing metal lines are experimentally analyzed through elaborately devised patterns. In this work, test patterns for transmission lines having several kinds of underlayer geometries were devised, and the signal characteristics and responses are measured by S-parameter and time domain reflection meter (TDR). The patterns were designed and fabricated with a deep-submicron CMOS DRAM technology having 1 Tungsten and 2 Aluminum metals. From the analysis of measured results on the patterns, it is founded that the effects of underlayter line structures on line parameters (especially line capacitance and resistance) and signal distortions occurred from them cannot be negligible. The results provide useful and insightful understanding in the skew balance of package leads and global signal lines such as high-speed clock and data lines.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.10
no.1
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pp.66-77
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2010
Improvement in breakdown voltage ($BV_{ds}$) and speed of the device are the key issues among the researchers for enhancing the performance of HEMT. Increased speed of the device aspires for shortened gate length ($L_g$), but due to lithographic limitation, shortening $L_g$ below sub-micrometer requires the inclusion of various metal-insulator geometries like T-gate onto the conventional architecture. It has been observed that the speed of the device can be enhanced by minimizing the effect of upper gate electrode on device characteristics, whereas increase in the $BV_{ds}$ of the device can be achieved by considering the finite effect of the upper gate electrode. Further, improvement in $BV_{ds}$ can be obtained by applying field plates, especially at the drain side. The important parameters affecting $BV_{ds}$ and cut-off frequency ($f_T$) of the device are the length, thickness, position and shape of metal-insulator geometry. In this context, intensive simulation work with analytical analysis has been carried out to study the effect of variation in length, thickness and position of the insulator under the gate for various metal-insulator gate geometries like T-gate, $\Gamma$-gate, Step-gate etc., to anticipate superior device performance in conventional HEMT structure.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.11
no.4
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pp.47-52
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2011
Nano-scale power splitter based on Si plasmonic waveguides are designed by utilizing the multimode interference (MMI) coupler. Effective dielectric method and longitudinal modal transmission-line theory are used for simulating the light propagation and optimizing the structural parameters at 3-D guiding geometry. The designed $1{\times}2$ 50:50 MMI power splitter has a nano-scale size of only $800nm{\times}850nm$. In order to achieve a variable power splitting ratio, a $2{\times}2$ MMI coupler is designed and the corresponding power splitting ratio can be tuned in the range of 78.5%:15.5%~5.5%:86.6%. Also, it is shown that it has a large bandwidth of $1.5{\mu}m{\sim}1.7{\mu}m$. In this range, the transmission is over 0.8.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2017.05a
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pp.797-802
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2017
This paper describes the scale effect of hybrid rocket motor which has blow-down oxidizer supply system. ResuIts show that the scale effect on regression rate is negligible using presently accessible scaling relation for $LN_2O$/PE propellant combination amid the absence of exactly proven scaling relation. It was also found that the characteristic velocity efficiency increases as motor scale increases. However, the characteristic velocity efficiency includes complicated parameters such as post-chamber configuration or geometry which can affect the entire flow field. It is therefore hard to conclude that the increase of efficiency is solely due to the enlargement of motor scale nor draw any conclusion on the scale effect which require a profound understanding of hybrid rocket scaling rules.
The pumping of coolant in a liquid metal fast reactor may be performed with an annular linear induction electro-magnetic (EM) pump. Linear induction pumps use a traveling magnetic field wave created by poly-phase currents, and the induced currents and their associated magnetic field generate a Lorentz force, whose effect can be the pumping of the liquid metal. The flow behaviors in the pump are very complex, including a time-varying Lorentz force and pressure pulsation, because an induction EM pump has time-varying magnetic fields and the induced convective currents that originate from the flow of the liquid metal. These phenomena lead to an instability problem in the pump arising from the changes of the generated Lorentz forces along the pump's geometry. Therefore, a magneto-hydro-dynamics (MHD) analysis is required for the design and operation of a linear induction EM pump. We have developed a time-harmonic 2-dimensional axisymmetry MHD analysis method based on the Maxwell equations. This paper describes the analysis and numerical method for obtaining solutions for some MHD parameters in an induction EM pump. Experimental test results obtained from an induction EM pump of CLIP-150 at the STC "Sintez," D.V. Efremov Institute of Electro-physical Apparatus in St. Petersburg were used to validate the method. In addition, we investigated some characteristics of a linear induction EM pump, such as the effect of the convective current and the double supply frequency (DSF) pressure pulsation. This simple model overestimated the convective eddy current generated from the sodium flow in the pump channel; however, it had a similar tendency for the measured data of the pump performance through a comparison with the experimental data. Considering its simplicity, it could be a base model for designing an EM pump and for evaluating the MHD flow in an EM pump.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.12
no.1
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pp.143-152
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2001
A method for miniaturization of microstrip patch antenna without degrading its radiation characteristics is investigated in this paper. It involves perforating the patch to form a microstrip square-ring antenna, and it's BW enhancement is investigated numerically and experimentally. A ring geometry introduces additional parameters to the antenna, and those are used to control impedances, resonance frequencies, and bandwidths. For a single square ring antenna, an increase of the size of perforation increases its input impedance, decreases the resonance frequency, and bandwidths. But it affects little on directivity of the antenna. To match the antenna to a transmission line and also enhance its bandwidth, the ring is stacked by a square patch or another square ring. Also numerically simulated results by the IE3D, and experimental data are compared for proof.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.16
no.1
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pp.21-25
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2009
By using Si CMOS process, small RFID tag antenna were fabricated on Si substrate and their electrical properties were evaluated. Firstly, tag antenna pattern and the electromagnetic properties were simulated with HFSS. The frequency was 13.56 MHz, the line-width and line-gap were modeled in the range of $50{\sim}200{\mu}m$. S parameters, SRF, and Q value were calculated from geometry. When the line-width and line-gap were $100{\mu}m$ and $100 {\mu}m$, respectively and the loop-turn was 10, the SRF was 80 MHZ and the Q value was ca. 9. When the microstrip antenna pattern of aluminum $2{\mu}m$ was fabricated by using DC sputtering, Vpp of ca. 4.3 V was obtained when the reader and tag were closely contacted.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.380-381
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2007
This paper reports on the deposition conditions and properties of ITO films used as electrode layer in a organic light emitting diodes on a PET substrate. The deposition technique employed was specially designed roll-to-roll sputtering. The oxide was deposited at room temperature in an argon and oxygen plasma on a transparent conducting ITO layer on a PET film. The influence of deposition parameters such as DC power, working pressure and oxygen partial pressure has been investigated, in order to obtain the best compromise between a high deposition rate and adequate electro-optical properties. Electrical and optical properties of ITO films were analyzed by Hall measurement examinations with van der pauw geometry at room temperature and UV/Vis spectrometer analysis, respectively. In addition, the structural properties and surface smoothness were measured by x-ray diffraction and scaning electron microscopy, respectively. From optimized ITO films grown by roll-to-roll sputter system, good electrical$(6.44{\times}10^{-4}\;{\Omega}-cm)$ and optical(above 86 % at 550 nm) properties were obtained. Also, the ITO films exhibited amorphous structure and very flat surface beacause of low deposition temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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