• 제목/요약/키워드: generalized scaling

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나노 구조 MOSFET의 문턱전압 변화를 최소화하기 위한 스케일링 이론 (Scaling theory to minimize the roll-off of threshold voltage for nano scale MOSFET)

  • 김영동;김재홍;정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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    • pp.494-497
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    • 2002
  • 본 논문에서는 halo doping profile을 갖는 나노구조 LDD MOSFET의 문턱전압에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내었다. 소자 크기는 generalized scaling을 사용하여 100nm에서 40nm까지 스케일링하였다. Van Dort Quantum Correction Model(QM)을 사용하여 정전계 스케일링과 정전압 스케일링에 대한 문턱 전압과 각각의 게이트 oxide 두께에 대한 direct tunneling 전류를 조사하였다. 게이트 길이가 감소할 때 정전계 스케일링에서는 문턱전압이 감소하고, 정전압 스케일링에서는 문턱전압이 증가하는 것을 알 수 있었고, 게이트 oxide두께가 감소할 때 direct tunneling 전류는 증가함을 알 수 있었다. 감소하는 채널 길이를 갖는 MOSFET 문턱전압에 대한 roll-off 특성을 최소화하기 위해 generalized scaling에서 $\alpha$값은 1에 가깝게 되는 것을 볼 수 있었다.

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나노 구조 MOSFET에서의 일반화된 스케일링의 응용 (Application of Generalized Scaling Theory for Nano Structure MOSFET)

  • 김재홍;김근호;정학기;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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    • pp.275-278
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    • 2002
  • MOSFET의 게이트 길이가 50nm이하로 작아지면 소자를 설계함에 있어 고려해야 하는 많은 문제점들이 존재하게 된다. 본 논문에서는 MOSFET 소자에 대한 문턱 전압 특성을 조사하였다. 소자에 대한 스케일링은 generalized scaling을 사용하였고 게이트 길이 100nm에서 30nm까지 시뮬레이션 하였다. 이때 나노 구조 MOSFET에 대한 스케일링의 한계를 볼 수 있었다. 문턱 전압을 구하는 방법으로는 선형 추출 방법을 사용하였다.

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Development of a generalized scaling law for underwater explosions using a numerical and experimental parametric study

  • Kim, Yongtae;Lee, Seunggyu;Kim, Jongchul;Ryu, Seunghwa
    • Structural Engineering and Mechanics
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    • 제77권3호
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    • pp.305-314
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    • 2021
  • In order to reduce enormous cost of real-scale underwater explosion experiments on ships, the mechanical response of the ships have been analyzed by combining scaled-down experiments and Hopkinson's scaling law. However, the Hopkinson's scaling law is applicable only if all variables vary in an identical ratio; for example, thickness of ship, size of explosive, and distance between the explosive and the ship should vary with same ratio. Unfortunately, it is infeasible to meet such uniform scaling requirement because of environmental conditions and limitations in manufacturing scaled model systems. For the facile application of the scaling analysis, we propose a generalized scaling law that is applicable for non-uniform scaling cases in which different parts of the experiments are scaled in different ratios compared to the real-scale experiments. In order to establish such a generalized scaling law, we conducted a parametric study based on numerical simulations, and validated it with experiments and simulations. This study confirms that the initial peak value of response variables in a real-scale experiment can be predicted even when we perform a scaled experiment composed of different scaling ratios for each experimental variable.

미세 구조 MOSFET에서 문턱전압 변화를 최소화하기 위한 최적의 스켈링 이론 (Scaling theory to minimize the roll-off of threshold voltage for ultra fine MOSFET)

  • 정학기;김재홍;고석웅
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.719-724
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    • 2003
  • 본 논문은 halo doping profile을 갖는 나노구조 LDD MOSFET의 문턱전압에 대하여 연구하였다. 소자의 크기는 일반화된 스켈링 이론을 사용하여 100nm 에서 40m까지 스켈링하였다. Van Dort Quantum Correction Model(QM) 모델을 정전계 스켈링 이론과 정전압 스켈링 이론에 적용하여 문턱전압을 조사하였으며, gate oxide 두께의 변화 따른 direct tunneling current를 조사하였다. 결과적으로 게이트 길이가 감소됨에 따라 문턱전압이 정전계 스켈링에서는 감소하고 정전압 스켈링에서는 증가함을 알았고 direct tunneling current는 gate oxide 두께가 감소함에 따라 증가됨을 알았다. 또한 채널 길이의 감소에 따른 MOSFET의 문턱전압에 대한 roll-off특성을 최소화하기 위하여 일반화된 스켈링에서 $\alpha$값은 거의 1 이여야 함을 알았다.

일반배낭문제의 완전다항시간근사해법군의 존재조건 (About fully Polynomial Approximability of the Generalized Knapsack Problem)

  • 홍성필;박범환
    • 한국경영과학회지
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    • 제28권4호
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    • pp.191-198
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    • 2003
  • The generalized knapsack problem or gknap is the combinatorial optimization problem of optimizing a nonnegative linear function over the integral hull of the intersection of a polynomially separable 0-1 polytope and a knapsack constraint. The knapsack, the restricted shortest path, and the constrained spanning tree problem are a partial list of gknap. More interesting1y, all the problem that are known to have a fully polynomial approximation scheme, or FPTAS are gknap. We establish some necessary and sufficient conditions for a gknap to admit an FPTAS. To do so, we recapture the standard scaling and approximate binary search techniques in the framework of gknap. This also enables us to find a weaker sufficient condition than the strong NP-hardness that a gknap does not have an FPTAS. Finally, we apply the conditions to explore the fully polynomial approximability of the constrained spanning problem whose fully polynomial approximability is still open.

Generalized Cylinder based on Linear Interpolation by Direction Map

  • Kim, Hyun;Kim, Hyoung-Sun;Lee, Joo-Haeng
    • International Journal of CAD/CAM
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    • 제3권1_2호
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    • pp.77-83
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    • 2003
  • We propose two algorithms to generate (1) polygonal meshes and (2) developable surface patches far generalized cylinders defined by contours of discrete curves. To solve the contour blending problem of generalized cylinder, the presented algorithms have adopted the algorithm and related properties of LIDM (linear interpolation by direction map) that interpolate geometric shapes based on direction map merging and group scaling operations. Proposed methods are fast to compute and easy to implement.

SHIFTING AND MODULATION FOR THE CONVOLUTION PRODUCT OF FUNCTIONALS IN A GENERALIZED FRESNEL CLASS

  • Kim, Byoung Soo;Park, Yeon Hee
    • Korean Journal of Mathematics
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    • 제26권3호
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    • pp.387-403
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    • 2018
  • Shifting, scaling and modulation proprerties for the convolution product of the Fourier-Feynman transform of functionals in a generalized Fresnel class ${\mathcal{F}}_{A1,A2}$ are given. These properties help us to obtain convolution product of new functionals from the convolution product of old functionals which we know their convolution product.

SHIFTING AND MODULATION FOR FOURIER-FEYNMAN TRANSFORM OF FUNCTIONALS IN A GENERALIZED FRESNEL CLASS

  • Kim, Byoung Soo
    • Korean Journal of Mathematics
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    • 제25권3호
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    • pp.335-347
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    • 2017
  • Time shifting and frequency shifting proprerties for the Fourier-Feynman transform of functionals in a generalized Fresnel class ${\mathcal{F}}_{A_1,A_2}$ are given. We discuss scaling and modulation proprerties for the Fourier-Feynman transform. These properties help us to obtain Fourier-Feynman transforms of new functionals from the Fourier-Feynman transforms of old functionals which we know their Fourier-Feynman transforms.

소모계에서 축척지수의 성질에 관한 고찰 (On the Properties of Scaling Exponents for the Dissipative System)

  • 김경식;신상열;김시용;시천방언
    • 수산해양기술연구
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    • 제29권2호
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    • pp.162-167
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    • 1993
  • Wilbrink 본뜨기에서 모우드 라킹 현상과 소모적 궤적의 두 경우에 대한 일반화차원 D 하(n)을 수치 해석적으로 계산하였다. 투닝변수 z=0.03, 소모변수 b=0.9, k 하(d)=0.272313668의 값으로 주어진 소모적 Wilbrink 본뜨기에서 모우드 라킹현상의 경우에는 n~20일 때 D 하(-20) =0.924202의 값을 갖으며, 소모적궤적에서는 D 하(-20) =0.63292와 D 하(+20) =1.89877의 값으로 주어진다. 이때의 값들은 n$\longrightarrow$$\infty$감에 따라 Circle 본뜨기의 D 하($\pm$$\infty$) 값들과 근사적으로 일치한다.

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