Replacement resorption is followed by the delayed replantation of an avulsed tooth. Currently no effective treatment is substantiated for replacement resorption. The purpose of this study was to investigate the effect of stannous fluoride, bisphosphonate (etidronate disodium) and gallium nitrate, which have been shown to reduce dentin resorption, on human dentin. Osteoclasts were collected from tibeas of chick embryo. The cells were well agitated to prevent adhesion and seeded onto the sliced human dentin wafers which had been soaked in either culture media (control), or several different concentrations of stannous fluoride, etidronate disodium (l-hydroxyethylidene -1,1-bisphosphonate disodium), and gallium nitrate. Resorption was measured by counting the number of resorptive pit produced by the cells. Results are as follows. Stannous fluoride and etidronate disodium showed statistically significant reduction of dentin resorption(p<0.05) but the effect of stannous fluoride seemed to be its high cytotoxicity. Etidronate disodium did not show cytotoxicities in all experimented concentrations. Gallium nitrate did not show differences in resorption either between different concentrations or from the control group.
Gallium nitride (GaN) powders were prepared by calcining a gallium(III) nitrate salt in flowing ammonia in the temperature ranging from 500 to 1050 $^{\circ}C$. The process of conversion of the salt to GaN was monitored by X-ray diffraction and $^{71}Ga$ MAS (magic-angle spinning) NMR spectroscopy. The salt decomposed to ${\gamma}-Ga_2O_3$ and then converted to GaN without ${\gamma}-{\beta}Ga_2O_3$ phase transition. It is most likely that the conversion of ${\gamma}-Ga_2O_3$ to GaN does not proceed through $Ga_2O$ but stepwise via amorphous gallium oxynitride ($GaO_xN_y$) as intermediates. The GaN nanowires and microcrystals were obtained by calcining the pellet containing a mixture of ${\gamma}-Ga_2O_3$ and carbon in flowing ammonia at 900 $^{\circ}C$ for 15 h. The growth of the nanowire might be explained by the vapor-solid (VS) mechanism in a confined reactor. Room-temperature photoluminescence spectra of as-synthesized GaN powders obtained showed the emission peak at 363 nm.
Europium-activated Ga$_2$O$_3$powders were prepared by modified "Pechini method" from mixed aqueous solutions of gallium nitrate, europium nitrate, ethylene glycol and citric acid. The formation process and structure of the phosphor powders were investigated by means of TG/DTA, XRD and SEM. It has been found that the phosphor powders were amorphous up to 50$0^{\circ}C$ and changed into crystalline $\beta$-Ga$_2$O$_3$phase above $600^{\circ}C$. The resulting nano-sized powders were obtained. Red luminescence in emission spectra were observed at room temperature.
In this research, a precipitation method was used to synthesize ${\beta}-Ga_2O_3$ powders with various particle morphologies and sizes under varying precipitation conditions, such as gallium nitrate concentration, pH, and aging temperature, using ammonium hydroxide and ammonium carbonate as precipitants. The obtained powders were characterized in detail by XRD, SEM, FT-IR, and TG-DSC. From the TG-DSC result, GaOOH phase was transformed to ${\beta}-Ga_2O_3$ at around $742^{\circ}C$, and weight loss percent was about 14 % when $NH_4OH$ was used as a precipitant. Also, ${\beta}-Ga_2O_3$ formed at $749^{\circ}C$ and weight loss percent was about 15 % when $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant. XRD results showed that the obtained $Ga_2O_3$ had pure monoclinic phase in both cases. When $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant, the particle shape changed and became irregular. The range of particle size was about $500nm-4{\mu}m$ based on various concentrations of gallium nitrate solution with $NH_4OH$. The particle size was increased from $1-2{\mu}m$ to $3-4{\mu}m$ and particle shape was changed from spherical to bar type by increasing aging temperature over $80^{\circ}C$.
It is well known that iron is critical for bacterial growth and pathogenic virulence. Due to chemical similarity, $Ga^{3+}$ competes with $Fe^{3+}$ for binding to compounds that usually bind $Fe^{3+}$, thereby interfering with various essential biological reactions. In our present study, gallium(III) nitrate [$Ga(NO_3)_3$] could repress the growth of V. splendidus Vs without complete inhibition. In the presence of $Ga(NO_3)_3$, the secretion of homogentisic acid-melanin (HGA-melanin) in V. splendidus Vs cells could be increased by 4.8-fold, compared to that in the absence of $Ga(NO_3)_3$. HGA-melanin possessed the ability to reduce $Fe^{3+}$ to $Fe^{2+}$. In addition, HGA-melanin increased the mRNA levels of feoA and feoB, genes coding Fe2+ transport system proteins to 1.86- and 6.1-fold, respectively, and promoted bacterial growth to 139.2%. Similarly, the mRNA expression of feoA and feoB was upregulated 4.11-fold and 2.71-fold in the presence of $640{\mu}M$$Ga(NO_3)_3$, respectively. In conclusion, our study suggested that although $Ga(NO_3)_3$ could interfere with the growth of V. splendidus Vs, it could also stimulate both the production of $Fe^{3+}$-reducing HGA-melanin and the expression of feoA and feoB, which facilitate $Fe^{2+}$ transport in V. splendidus Vs.
Europium-activated $Ga_2$$O_3$ phosphor powders were prepared by Pechini method from the mixed aqueous solutions of gallium(III) nitrate, europium(III) nitrate, ethylene glycol and citric acid. The phase formation process and particle shape of the powders obtained were investigated by means of TG/DTA, XRD and SEM. It was found that the powders were amorphous or ${\gamma}$-$Ga_2$$O_3$-like phase up to $500^{\circ}C$ and then transformed into $\beta$- $Ga_2$$O_3$ phase above $600 ^{\circ}C$. The powders calcined below $1000^{\circ}C$ were spherical and nanometer-sized. Photoluminescence spectra measured at room temperature showed that the highest luminescence intensity was obtained for the sample synthesized under the conditions of 2 mol% Eu concentration and heat treatment at $1000^{\circ}C$.
GaN는 상온에서 3.4 eV의 넓은 밴드갭을 갖는 직접천이형 반도체로 우수한 전기적/광학적 특성 및 화학적 안정성으로 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 등과 같은 광전소자 응용을 위한 소재로 많은 연구가 진행되어왔다. 특히, GaN 나노구조의 경우 낮은 결함밀도, 빠른 구동 및 고집적 특성 등을 가지기 때문에 효과적으로 소자의 광학적/전기적 특성을 향상시킬 수 있어 나노구조 성장을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근에는 Metal organic vapor deposition (MOCVD), hot filament chemical vapor deposition (CVD), molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 등 다양한 방법을 통해 성장된 GaN 나노구조가 보고되고 있다. 하지만 고가 장비 사용 및 높은 공정 온도, 복잡한 공정과정이 요구되며 크기조절, 조성비, 도핑 등과 같은 해결되어야 할 문제가 여전히 남아있다. 본 연구에서는 나노구조를 형성하기 위하여 보다 간단한 방법인 전기화학증착법을 이용하여 GaN 나노구조를 ITO 및 FTO가 증착된 전도성 glass 기판 위에 성장하였고 성장 메커니즘 및 그 특성을 분석하였다. GaN 나노구조는 gallium nitrate와 ammonium nitrate가 혼합된 전해질 용액에 Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판을 1cm의 거리를 유지하도록 담가두고 일정한 전압을 인가하여 성장시켰다. Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판은 각각 상대전극 (counter electrode) 및 작업전극 (working electrode)으로 사용되었고 전해질 용액의 농도, 인가전압, 성장시간 등의 다양한 조건을 통하여 GaN 나노구조를 성장하고 분석하였다. 성장된 GaN 나노구조 및 형태는 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)를 이용하여 분석하였고, energy dispersive X-ray (EDX) 분석을 통하여 정량 및 정성적 분석을 수행하였다. 그리고 성장된 GaN 나노구조의 결정성을 조사하기 위해 X-ray diffraction (XRD)을 측정 및 분석하였다. 또한, photoluminescence (PL) 분석으로부터 GaN 나노구조의 광학적 특성을 분석하였다.
Zinc gallate $(ZnGa_2O_4)$ thin film phosphors have been formed on ITO glass substrates by a sol-gel spinning coating method. For the formation of the film phosphors, the starting materials of zinc acetate dihydrate, gallium nitrate hydrate and 2-methoxyethanol as a solution were used. The thin films deposited were firstly dried at $100^{\circ}C$ and fired at $500^{\circ}C\;or\;600^{\circ}C$ for 30 min and then, annealed $500^{\circ}C\;or\;600^{\circ}C$ at for 30 min under an annealing atmosphere of 3% $H_2/Ar$. The thin films deposited on ITO glass plates showed the (220), (222), (400), (422), (511), and (440) peaks of spinel structure as well as the (311) peak indicating a standard powder diffraction pattern. The surface morphologies of the thin film phosphors were observed with a firing and an annealing condition. The $ZnGa_2O_4$ film phosphors showed the blue emission spectra around 410 nm as well as the emission spectra in the UV region (360-380 nm).
Vertically aligned Zinc Oxide rod arrays were grown by the self-assembly hydrothermal process on the GaN epitaxial layer which has a same lattice structure with ZnO. Zinc nitrate and DETA solutions are used in the hydrothermal process. The $(HfO_2)$ thin film was deposited on GaN and the patterning was made by the photolithography technique. The selective growth of ZnO rod was achieved with the patterned GaN substrate. The fabricated ZnO rods are single crystal, and have grown along hexagonal c-axis direction of (002) which is the same growth orientation of GaN epitaxial layer. The density and the size of ZnO rod can be controlled by the pattern. The optical property of ordered array of vertical ZnO rods will be discussed in the present work.
Calcium hydroxide (CH) is the gold-standard intracanal dressing for teeth subjected to traumatic avulsion. A common complication after the replantation of avulsed teeth is root resorption (RR). The current review was conducted to compare the effect of CH with that of other intracanal medications and filling materials on inflammatory RR and replacement RR (ankylosis) in replanted teeth. The PubMed and Scopus databases were searched through June 2018 using specific keywords related to the title of the present article. The materials that were compared to CH were in 2 categories: 1) mineral trioxide aggregate (MTA) and endodontic sealers as permanent filling materials for single-visit treatment, and 2) Ledermix, bisphosphonates, acetazolamide, indomethacin, gallium nitrate, and enamel matrix-derived protein (Emdogain) as intracanal medicaments for multiple-visit management of avulsed teeth prior to the final obturation. MTA can be used as a single-visit root filling material; however, there are limited data on its efficacy due to a lack of clinical trials. Ledermix and acetazolamide were comparable to CH in reducing RR. Emdogain seems to be an interesting material, but the data supporting its use as an intracanal medication remain very limited. The conclusions drawn in this study were limited by the insufficiency of clinical trials.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.