• 방사선산업학회지
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• 제5권2호
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• pp.101-106
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• 2011

The separation of germanium and gallium ion with metal oxide was introduced into the development of $^{68}Ge/^{68}Ga$ generator. Germanium and gallium within mixed solution were respectively separated by using a liquid-liquid extraction and a column chromatographic method. The separation of Ge within high concentrated hydrochloric and sulfuric acid was conducted by the extraction to $CCl_4$ and the back-extraction to 0.05 M HCl. An optimum condition of the extraction by $CCl_4$ was in 5~7 M HCl and efficiency was around 80%. The gallium was selectively separated by using $Al_2O_3$ among metal oxides as sorbents from the mixed solution in 0.04~0.10 M HCl condition.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권3호
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• pp.308-310
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• 2022

Ultrawide bandgap gallium oxide (Ga₂O₃) semiconductors are known to have excellent photocatalytic properties due to their high redox potential. In this study, CO₂ reduction is demonstrated using nanostructured Ga₂O₃ photocatalyst under ultraviolet (254 nm) light source conditions. After the CO₂ reduction, C₂H₄ remained as a by-product in this work. Nanostructured Ga₂O₃ photocatalyst also showed an excellent endurance characteristic. Photogenerated electron-hole pairs boosted the CO₂ reduction to C₂H₄ via nanostructured Ga₂O₃ photocatalyst, which is attributed to the ultrawide and almost direct bandgap characteristics of the gallium oxide semiconductor. The findings in this work could expedite the realization of CO₂ reduction and a simultaneous C₂H₄ production using a low cost and high performance photocatalyst.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제6권2호
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• pp.79-87
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• 2014

PURPOSE. The aim of this study was to determine the efficiency of Erbium, Chromium: Yttrium-Scandium-Gallium-Garnet laser in different output powers for removing permanent resin cement residues and therefore its influence on microshear bond strength compared to other cleaning methods. MATERIALS AND METHODS. 90 extracted human molars were sectioned in 1 mm thickness. Resin cement was applied to surface of sliced teeth. After the removal of initial cement, 6 test groups were prepared by various dentin surface treatment methods as follows: no treatment (Group 1), ethylene diamine tetra acetic acid application (Group 2), Endosolv R application (Group 3), 1.25 W Erbium, Chromium:Yttrium-Scandium-Gallium-Garnet laser irradiation (Group 4), 2 W Erbium, Chromium:Yttrium-Scandium-Gallium-Garnet laser irradiation (Group 5) and 3.5 W Erbium, Chromium:Yttrium-Scandium-Gallium-Garnet laser irradiation (Group 6). The topography and morphology of the treated dentin surfaces were investigated by scanning electron microscopy (n=2 for each group). Following the repetitive cementation, microshear bond strength between dentin and cement (n=26 in per group) were measured with universal testing machine and the data were analyzed by Kruskal Wallis H Test with Bonferroni correction (P<.05). Fracture patterns were investigated by light microscope. RESULTS. Mean microshear bond strength ${\pm}$ SD (MPa) for each group was $34.9{\pm}17.7$, $32.1{\pm}15.8$, $37.8{\pm}19.3$, $31.3{\pm}12.7$, $44.4{\pm}13.6$, $40.2{\pm}13.2$ respectively. Group 5 showed significantly difference from Group 1, Group 2 and Group 4. Also, Group 6 was found statistically different from Group 4. CONCLUSION. 2 W and 3.5 W Erbium, Chromium: Yttrium-Scandium-Gallium-Garnet laser application were found efficient in removing resin residues.

• 대한화학회지
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• 제24권4호
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• pp.302-309
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• 1980

니트로벤젠 및 1,2,4-트리클로로벤젠에서의 n-브롬화프로필의 溶解度를 19, 25, 40^{\circ}C$에서 브롬화갈륨이 있을 때와 없을 때에 각각 측정하여 보았다. 브롬화갈륨이 존재하지 않을때에 니트로벤젠에서의 n-브롬화프로필의 溶解度가 1,2,4-트리클로로벤젠에서보다 더 큰 점은 n-브롬화프로필과 니트로벤젠과의 상호작용이 1,2,4-트리클로로벤젠보다 더 강하다는 것을 나타낸다. 브롬화갈륨이 존재할 때에는 溶液內에서 n-브롬화프로필과 브롬화갈륨의 1:1 complex, $n-C_3H_7Br\cdotGaBr_3$가 형성된다. 이 complex의 instability constant K를 계산하였다. $$n-C_3H_7Br\cdotGaBr_3 \rightleftarrows n-C_3H_7Br ＋ \frac{1}{2Ga_2Br_6 }$$또한 이 complex의 解離에 대한 엔탈피, 자유에너지 및 엔트로피도 산출하였다. 브롬화갈륨과 브롬화알킨간의 complex의 안정도는 이들 알킬이온의 안정도와 상대적인 관계가 있다고 본다.

• 대한화학회지
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• 제15권5호
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• pp.228-235
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• 1971

니트로벤젠 및 1,2,4-트리클로로벤젠에서의 n-브롬화부틸의 溶解度를 $19^{\circ},\;25^{\circ},\;40^{\circ}C$에서 브롬화갈륨이 있을때와 없을때에 각각 測定하여 보았다. 브롬화갈륨이 存在하지 않을때에 니트로벤젠에서의 n-브롬화부틸의 溶解度가 1,2,4-트리클로로벤젠 보다 더 큰점은 n-브롬화부틸과 니트로벤젠과의 相互作用이 1,2,4-트리클로로벤젠 보다 더 강하다는 것을 나타낸다. 브롬화갈륨이 存在할 때에는 溶液內에서 n-브롬화부틸과 브롬화갈륨의 1:1 complex, $n-C_4H_9Br{\cdot}GaBr_3$가 형성된다. 이 complex의 instability constant K를 計算하였다. $n-C_4H_9Br{\cdot}GaBr_3{\\rightleftharpoons}n-C_4H_9Br+\frac{1}{2}Ga_2Br_6$ 또한 이 complex의 解離에 대한 엔탈피, 자유에너지 및 엔트로피도 산출하였다.

• 공업화학
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• 제18권1호
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• pp.58-63
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• 2007

본 연구는 농업용 필름을 제조하는데 사용되는 LDPE, LLDPE 및 EVA공중합체로 구성된 혼합물의 접촉 열분해 반응에 있어서 HZSM-5 촉매에 Ga을 첨가했을 경우 기체 및 액상 생성물의 수율, 탄소 수 분포 등에 미치는 영향을 조사하는 것을 목적으로 한다. Ga/HZSM-5를 사용한 결과, HZSM-5에 비해 방향족 화합물의 생성이 증가함을 알 수 있었다. 특히 기상 반응을 수행했을 때 더 많은 방향족 화합물을 얻을 수 있었다. 또한 촉매 양을 증가시키고 촉매층 온도를 $500^{\circ}C$ 이상으로 유지한 결과 더 높은 방향족 수율이 얻어졌다. 생성물의 탄소 수 분포는 Ga 첨가에 의해 별로 영향을 받지 않았다.

• 분석과학
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• 제6권1호
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• pp.131-139
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• 1993

아연광 중 미량으로 존재하는 갈륨 및 인듐을 유도결합 플라스마 원자방출분광법(ICP-AES)으로 분석할 때 간섭하는 아연 및 다른 이온들과 특히 Fe(III) 이온으로부터 이들을 분리하는 방법에 대해 연구하였다. 갈륨과 인듐을 tributyl phosphate(TBP)로 용매추출하였는데 이때 영향을 주는 산농도, 다른 이온들의 간섭, 수용액상/유기상의 비율, TBP의 농도 및 탈거율 등에 대하여 조사하였다. 갈륨과 인듐이 함유되어 있는 아연광을 녹인 5N 염산용액에서 100% TBP로 추출하여 아연 및 기타 간섭이온들로부터 분리하였으며, 이때 철(III)이온은 hydroxylamine hydrochloride를 사용하여 Fe(II)로 환원시켜 coetraction되는 것을 방지하였다. 유기상으로부터 갈륨과 인듐의 탈거는 0.02N 염산용액으로 역추출하여 이루어졌으며 이 용액을 ICP-AES로 측정하여 이들을 정량하였다. 전체적으로 추출률이 95% 이상으로 정량적이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.166-166
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• 2010

Recently, TFTs based on amorphous oxide semiconductors (AOSs) such as ZnO, InZnO, ZnSnO, GaZnO, TiOx, InGaZnO(IGZO), SnGaZnO, etc. have been attracting a grate deal of attention as potential alternatives to existing TFT technology to meet emerging technological demands where Si-based or organic electronics cannot provide a solution. Since, in 2003, Masuda et al. and Nomura et al. have reported on transparent TFTs using ZnO and IGZO as active layers, respectively, much efforts have been devoted to develop oxide TFTs using aforementioned amorphous oxide semiconductors as their active layers. In this thesis, I report on the performance of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer at room temperature. $SiO_2$ was employed as the gate dielectric oxide. The amorphous indium gallium zinc oxides were deposited by RF magnetron sputtering. The carrier concentration of amorphous indium gallium zinc oxide was controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. Devices are realized that display a threshold voltage of 1.5V and an on/off ration of > $10^9$ operated as an n-type enhancement mode with saturation mobility with $9.06\;cm^2/V{\cdot}s$. The devices show optical transmittance above 80% in the visible range. In conclusion, the fabrication and characterization of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer were reported. The operation of the devices was an n-type enhancement mode with good saturation characteristics.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권6호
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• pp.220-225
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• 2020

반응부, 이송부, 포집부로 이루어진 기상합성장치를 구축하여 Oxide TFT의 대표적인 물질인 IGZO 반도체용 타겟의 기초 소재인 산화갈륨 나노분말을 기상합성법으로 제조하였다. 반응부에서 갈륨 금속을 증발시켜 1150℃ 이상의 온도에서 산화갈륨 나노분말이 만들어지는 것을 확인하였다. 갈륨 금속은 증발 즉시 반응부에서 산화갈륨 나노분말로 합성되었으며, 반응부의 온도가 증가함에 따라 높은 결정도와 큰 입자 크기를 보였다. 또한, 합성된 산화갈륨 나노분말은 구형의 모양을 가지면서 매우 낮은 응집성을 가졌다. 기상합성법으로 얻은 산화갈륨 나노분말을 상용 산화인듐, 산화아연 분말(몰비 = 1 : 1 : 1)과 혼합하여 소결을 시행한 결과, 소결온도 1450℃에서 5.83 g/㎤의 최대밀도를 얻어 같은 조건하에서 상용 산화갈륨 분말을 이용해 만든 IGZO 소결체(5.61 g/㎤)보다 높은 밀도를 얻음을 볼 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권2호
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• pp.109-112
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• 2016

We demonstrated an alternative electrically controlled birefringence liquid crystal (ECB-LC) system with ion beam (IB)-irradiated yttrium gallium oxide (YGaO) alignment films using a sol-gel process. The surface roughness of the films was dependent on the annealing temperature; aggregated particles on surface were observed at lower annealing temperatures, whereas a smooth surface could be obtained with higher annealing temperatures. Higher transmittance in the visible region was observed at higher annealing temperatures. The film had an amorphous crystallographic state irrespective of the annealing temperature. Furthermore, ECB-LC cell with our IB-irradiated YGaO film yielded faster response time when compared to ECB-LC cell with rubbed polyimide. Considering the fast response time and high transmittance, the IB-irradiated YGaO-base LC system is a powerful alternative application for the liquid crystal display industry.