Self-assembled monolayer(SAM)로 변형된 금 전극 위로 폴리피롤의 전기화학적 석출 과정을 수용액 상태에서 in-situ EQCM (Electrochemical Quartz Crystal Microbalance)과 ex-situ AFM (Atomic Force Microscopy)을 이용하여 조사하였다. 금 전극에서 cyclic voltammetry로 살펴본 폴리머의 석출은 산화 제한 전위 (anodic limiting potential) 값에 매우 의존적이었으며 주사 횟수에는 의존하지 않았다. 제한 산화 전위가 0.8V (vs Ag | ArCl) 이상일 때 폴리머의 석출은 크게 증가하였다. 그리고 주사 횟수가 증가하면서 질량의 비이상적 변화가 관찰되었는데 이것은 폴리피롤 필름의 rearrangement가 원인이라고 생각된다. 1-dodecanethiol SAM 전극과 thiophene SAM전극에서는 폴리머가 3차원적으로 성장하며 필름의 rearrangement를 수반하였지만 BPUS $(Bis(\omega(N-pyrrolyl)-n-undecyl)disulfide)$ SAM 전극에서는 2차원적인 layer-by-layer 성장을 하고 필름의 rearrangement는 관찰되지 않았다. 폴리머가 급격하게 전극 면으로 석출되면 사슬 모양과 도너츠 모양의 폴리머를 만들며, 정류 상태에 이르면서 주름잡힌 폴리머 필름이 생성되는 것이 원자 힘 현미경 (Atomic Force Microscopy) 이미지로 관찰되었다.
We report the epitaxial growth of MgO and CoFe/MgO on Ge (001) substrates using molecular beam epitaxy. It was found that the epitaxial growth of a MgO film on Ge could be realized at a low growth temperature of $125{\pm}5^{\circ}C$ and the MgO matches the Ge with a cell ratio of $\sqrt{2}$:1 which renders MgO rotated by $45^{\circ}$ relative to Ge. In-situ and ex-situ structural characterizations reveal the epitaxial crystal growth of bcc CoFe/MgO on Ge with the in-plane crystallographic relationship of CoFe(001)[100] || MgO(001)[110] || Ge(001)[100], exhibiting sharp interfaces in the (001) matching planes. The saturation magnetization of the sample is $1430{\pm}20$ emu/cc, which is comparable to the value of bulk CoFe.
Chen, Xiaochi;Huo, Yijie;Cho, Seongjae;Park, Byung-Gook;Harris, James S. Jr.
IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
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제3권5호
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pp.331-337
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2014
Ge is becoming an increasingly popular semiconductor material with high Si compatibility for on-chip optical interconnect technology. For a better manifestation of the meritorious material properties of Ge, its surface treatment should be performed satisfactorily before the electronic and photonic components are fabricated. Ex-situ rapid thermal annealing (RTA) processes with different gases were carried out to examine the effects of the annealing gases on the thin-film quality of Ge grown epitaxially on Si substrates. The Ge-on-Si samples were prepared in different structures using the same equipment, reduced-pressure chemical vapor deposition (RPCVD), and the samples annealed in $N_2$, forming gas (FG), and $O_2$ were compared with the unannealed (deposited and only cleaned) samples to confirm the improvements in Ge quality. To evaluate the thin-film quality, room-temperature photoluminescence (PL) measurements were performed. Among the compared samples, the $O_2$-annealed samples showed the strongest PL signals, regardless of the sample structures, which shows that ex-situ RTA in the $O_2$ environment would be an effective technique for the surface treatment of Ge in fabricating Ge devices for optical computing systems.
The orientational cross-over phenomena in an RF sputtering growth of TiN films were studied in an in-situ, real-time synchrotron x-ray scattering experiment. For the films grown with pure Ar sputtering gas, the cross-over from the more strained (002)-oriented grains to the less strained (111)-oriented grains occurred as the film thickness was increased. As the sputtering power was increased, the cross-over thickness, at which the growth orientation changes from the <002> to the <111> direction, was decreased. The addition of $N_2$ besides Ar as sputtering gas suppressed the cross-over, and consequently resulted in the (002) preferred orientation without exhibiting the cross-over. We attribute the observed cross-over phenomena to the competition between the surface and the strain energy. The x-ray powder diffraction, the x-ray reflectivity, and the ex-situ AFM surface topology study consistently suggest that the microscopic growth front was in fact always the (002) planes. In the initial stage of growth, the (002) planes were aligned to the substrate surface to minimize the surface energy. At later stages, however, the (002) growth front tilted away from the surface by about $60^{\circ}$ to relax the strain, which caused the cross-over of the preferred growth direction to the <111> direction.
국내 민수용으로 유통되고 있는 20여종의 무반사 안경렌즈들을 선정하여 광학적 특성을 분석하였다. 분광광도계를 사용하여 측정한 반사특성과 투과특성을 렌즈의 굴절력, 각 무반사층들 및 렌즈기층에 의한 영향과 연결시켜 분석하였다. 흡수단 근방에서의 겉보기 흡수스펙트럼은 기층물질에 따라 결정되며 400-700nm의 파장대역에서 대부분의 시료들의 겉보기 흡수스펙트럼과 반사스펙트럼은 강한 양의 상관관계를 보여준다. 예외적으로 기층에 의한 흡수가 큰 렌즈들은 상관관계가 약해지며 이와 같은 기층에 의한 흡수는 무반사 특성에 부정적인 효과를 가진다. 또한 국내에서 제작되는 $SiO_2/TiO_2/SiO_2/ZrO_2/Cr$ 다층박막층을 c-Si 기층위에 성장시키면서 각 단계별로 ex-situ 분광타원해석법으로 분석하여 $TiO_2$ 박막과 $ZrO_2$ 박막의 조밀도가 80% 정도에 불과하며 박막이 두꺼원 짐에 따라 박막에 수직한 방향으로 균일하지 않음을 확인하였다. 마지막으로 실시간, in-suti 측정을 바탕으로하여 엄밀한 사양이 요구되는 다층박막, 초격자박막 등을 재현성있게 성장시킬 수 있는 가능성에 대해 토의하였다.
Understanding of the detailed reaction mechanisms during MOVPE and ALE is essential to further improve the properties of the grown crystals and the controllability of the growth parameters. The unified models for the detailed reaction paths are not available at this stage. The study, however, has been advanced to the extent that consensus on some of the reaction paths can be drawn from the scattered data. Metalakyls such as TMGa and TMIn seem to nearly fully decompose in the gas phase through homogeneous reaction at the typical MOVPE growth temperature. Hydrides such as AsH3 and PH3, on the contrary. seem to decompose heterogeneously onthe substrate surfaces as well as homogeneously in the gas phase. However, at lower temperatures, where ALE crystals are typically grown, the growth process is strongly dependent on the surface reactions. It seems that steric hindrance effects which the radicals reaching the substrate exhibit on the surface the growth rate a function of the metalalkyle supply durations. In addition, dydrogens released from hydrides seem to play an essential role in removing carbons leberated from the metalalkyls. High growth temperatures also seem to be effective in desorbing carbons from surface. The understanding of the reaction mechanisms was possible though diverse appraaches utilizing many ex-situ and in-situ diagnostic techniques and genuine experimental designs. It is the purpose of this paper to review and discuss many of these efforts and to draw some possible conclusions from them.
Understanding of the detailed reaction mechanisms during MOVPE and ALE is essential to further improve the properties of the grown crystals and the controllability of the growth parameters. The unified models for the detailed reaction paths are not available at this stage. The study, however, has been advanced to the extent that consensus on some of the reaction paths can be drawn from the scattered data. Metalakyls such as TMGa and TMIn seem to nearly fully decompose in the gas phase through homogeneous reaction at the typical MOVPE growth temperature. Hydrides such as AsH3 and PH3, on the contrary. seem to decompose heterogeneously onthe substrate surfaces as well as homogeneously in the gas phase. However, at lower temperatures, where ALE crystals are typically grown, the growth process is strongly dependent on the surface reactions. It seems that steric hindrance effects which the radicals reaching the substrate exhibit on the surface the growth rate a function of the metalalkyle supply durations. In addition, dydrogens released from hydrides seem to play an essential role in removing carbons leberated from the metalalkyls. High growth temperatures also seem to be effective in desorbing carbons from surface. The understanding of the reaction mechanisms was possible though diverse appraaches utilizing many ex-situ and in-situ diagnostic techniques and genuine experimental designs. It is the purpose of this paper to review and discuss many of these efforts and to draw some possible conclusions from them.
The effective water management in a polymer electrolyte membrane fuel cell (PEMFC) is one of the key strategies for improving cell performance and durability. In this work, an ex situ measurement was carried out to understand the water droplet behavior on the surface of gas diffusion layer (GDL) as a fundamental study for establishing novel water management. For that purpose, simplified cell including one rib and two flow channels was designed and fabricated. Using this ex situ device, the water droplet emergence through the GDL of the PEMFC was emulated to understand liquid water transport through the porous diffusion medium. Through the visualization experiment, the emergence and growth of water droplets at the channel/GDL interface are mainly observed with the surface characteristics of GDL (SGL 10BA, 24BA) and rib when the liquid water passes through the GDL and is expelled to the flow channel. It is expected that the results obtained from this study can contribute to the better understanding on the water droplet behavior (emergence and removal) in the flow channels of PEMFC.
Thapa, Bir Bahadur;Thakuri, Laxmi Sen;Joshi, Pusp Raj;Chand, Krishna;Rajbahak, Sabari;Sah, Anil Kumar;Shrestha, Resha;Paudel, Mukti Ram;Park, So Young;Pant, Bijaya
Journal of Plant Biotechnology
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제47권4호
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pp.330-336
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2020
Ex-situ conservation of the ornamental and medicinal orchid, Coelogyne stricta, was performed by mass propagation using seed culture. Propagation stages were optimized using full- and half-strength solidified MS medium with different phytohormones. Maximum seed germination (88 ± 0.5% over 6 weeks of culture) was achieved on half-strength MS medium supplemented with 15% coconut water. Maximum shoot numbers were found on full-strength MS medium supplemented with 1 mg/L BAP, 2 mg/L Kinetin, and 10% coconut water, while the longest root was developed on full-strength MS medium with 1.5 mg/L IBA. A 2:1:1 combination of coco-peat, pine bark, and sphagnum moss was found to be a suitable potting mixture resulting in 80% seedling survivability. The cytotoxic activity of extracts of both wild plants and in vitro-developed protocorms was determined using an MTT (3-(4, 5-dimethylthiazol-2-yl)-2, 5-diphenyltetrazolium bromide) assay on a cervical cancer cell line. The wild plant extract inhibited the growth of 41.99% of cells, showing that this extract has moderate cytotoxic activity toward cervical cancer cells.
Hai, N.T.M.;Huemann, S.;Hunger, R.;Jaegermann, W.;Broekmann, P.;Wandelt, K.
Corrosion Science and Technology
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제6권4호
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pp.198-205
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2007
The initial stages of electrochemical oxidative CuI film formation on Cu(111), as studied by means of Cyclic Voltammetry (CV), in-situ Scanning Tunneling Microscopy (STM) and ex-situ Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy (SXPS), indicate a significant acceleration of copper oxidation in the presence of iodide anions in the electrolyte. A surface confined supersaturation with mobile CuI monomers first leads to the formation of a 2D-CuI film via nucleation and growth of a Cu/I-bilayer on-top of a pre-adsorbed iodide monolayer. Structurally, this 2D-CuI film is closely related to the (111) plane of crystalline CuI (zinc blende type). Interestingly, this film causes no significant passivation of the copper surface. In an advanced stage of copper dissolution a transition from the 2D- to a 3D-CuI growth mode can be observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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