Si-strained layer를 가지는 Silicon-Germanium on Insulator MOSFET에서의 이동도 개선 효과 (Improvement of carrier mobility on Silicon-Germanium on Insulator MOSFEI devices with a Si-strained layer)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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- pp.7-8
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- 2006