본 연구에서는 MFSFET (Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET) 소자의 모델링을 바탕으로 adaptive learning 회로를 설계하고, 그 수치적인 결과를 분석하였다. Adaptive learning 회로에서 출력주파수는 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항과 캐패시턴스에 반비례하는 특성을 보여주었다. Short pulse 수에 따른 포화드레인 전류곡선은 강유전체의 분극반전 특성과 유사함을 확인할 수 있었고, 이는 강유전체 분극이 MFSFET 소자의 드레인 전류조절에 핵심적인 요소로 작용한다는 사실을 의미한다. 다음으로 MFSFET 소자의 드레인 전류조절에 핵심적인 요소로 작용한다는 사실을 의미한다. 다음으로 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항으로부터 dimensionality factor 와 adaptive learning 회로의 펄스 수에 따른 출력주파수 변화를 분석하였다. 이 특성으로부터, adaptive learning 회로의 주파수변조 특성 즉, 입력펄스의 진행에 따라 출력펄스의 점진적인 주파수 변화를 의미하는 adaptive learning 특성을 명화하게 확인할 수 있었고, 뉴럴 네트워크에서 본 회로가 뉴런의 시넵스 부분에 효과적으로 사용될 수 있음을 입증하였다.
스마트 센서 시스템에 압전 에너지 하베스터를 적용하기 위해서는 AC-DC 정류기를 비롯한 에너지 하베스트 인터페이스 회로가 필수적이다. 본 논문에서는 기본적인 회로인 Full Bridge Rectifier(: FBR) 회로와 동기식 압전 에너지 하베스트 인터페이스 회로의 성능을 보드레벨 시뮬레이션으로 비교하였다. 그 결과, 동기식 압전 에너지 하베스트 인터페이스 회로 중 하나인 Synchronous Electric Charge Extraction(: SECE) 회로가 FBR에 비해 출력 전력이 약 4 배 이상 더 컸고, 부하 변동에도 변화가 거의 없었다. 그리고, 출력 전압이 40V 이상인 압전 에너지 하베스터용 SECE 회로에 필수적인 고전압 비교기를 0.35 um BCD 공정으로 설계하였다. 설계한 고전압 비교기를 적용한 SECE 회로는 출력 전력이 FBR 회로 보다 427 % 향상됨을 검증하였다.
In this paper, a high voltage current sensing circuit for boost converter is designed and verified by Cadence SPECTRE simulations. The current mirror pair, power and sensing metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) with size ratio of K, is used in our on-chip current sensing circuit. Very low drain voltages of the current mirror pair should be matched to give accurate current sensing, so a folded-cascode opamp with a PMOS input pair is used in our design. A high voltage high side lateral-diffused MOS transistor (LDMOST) switch is used between the current sensing circuit and power MOSFET to protect the current sensing circuit from the high output voltage. Simulation results using 0.35 ${\mu}m$ BCD process show that current sensing is accurate and the pulse frequency modulation (PFM) boost converter using the proposed current sensing circuit satisfies with the specifications.
Voltage circuit breakers are widely used in power distribution systems to interrupt fault current rapidly and to assure the reliability of the power supply. Power distribution system requires the transformer with higher capacity than ever, but this ever, but this may be the cause. of the increasing of short circuit current in contrast to conventional one when short-circuit accident is occurred. Therefore molded case circuit breaker improved in aspects of interrupting capacity of short circuit current in this system is needed. By using the proposed methods in this paper, such as new arc quenching structure of grid would contribute to minimizing the MCCB, realization of high interrupting performance and reducing the design time and development cost.
Power transformer is one of the major and key apparatus in electric power system. Monitoring and diagnosis of transformer fault is necessary for improving the life period of transformer. The failures caused by short circuits are one of the causes of transformer outages. The short circuit currents induce excessive forces in the transformer windings which result in winding deformation affecting the mechanical and electrical characteristics of the winding. In the present work, a transformer producing only the radial flux under short circuit is considered. The corresponding axial displacement profile of the windings is computed using Finite Element Method based transient structural analysis and thus obtained displacements are compared with the experimental result. The change in inter disc capacitance and mutual inductance of the deformed windings due to different short circuit currents are computed using Finite Element Method based field analyses and the corresponding Sweep Frequency Responses are computed using the modified electrical equivalent circuit. From the change in the first resonant frequency, the winding movement can be quantified which will be useful for estimating the mechanical withstand capability of the winding for different short circuit currents in the design stage itself.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제4권1호
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pp.30-36
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2004
We determined equivalent circuit parameters of a 1.5 cell S-band RF gun cavity from the resonant characteristics of its decoupled cavities(half cell and full cell) using the code SUPERFISH. Equivalent circuit parameters of the 1.5 cell RF gun cavity resonated in the 0-mode were obtained easily from the circuit parameters of each decoupled cavities. In order to obtain equivalent circuit parameters for the $\pi$ -mode cavity, we calculated the differences of the resonant frequencies and the equivalent resistances between the 0- and $\pi$ -modes with slight variations of the radius and thickness of the coupling iris. From those differences, we obtained R/Q value and equivalent resistance of the $\pi$ -mode, which are directly related to the equivalent circuit parameters of the coupled cavity. Using calculated R/Q value, we can express equivalent inductance, capacitance and resistances of the RF gun cavity resonated in the $\pi$ -mode, which can be useful for analyzing coupled cavities in a steady state.
본 논문에서는 로렌츠 카오스 회로를 곱셈기, 커패시터, 연산증폭기, 제어저항 등을 이용하여 설계하였다. 제안하는 회로는 SPICE 프로그램을 통하여 시간파형, 주파수 특성, 위상특성 등을 해석하였고, 로렌츠 하드웨어를 구현하여서 시간파형, 주파수 특성, 위상특성, 분기도 특성을 측정하였다. 측정결과, $500k{\Omega}$ 가변 제어 저항의 조건에 따라, 로렌츠 회로는 제어저항의 특정 영역 ($10{\sim}100k{\Omega}$)에서 카오스 신호가 생성됨을 확인하였다. SPICE 모의실험 결과와 일치함을 보였고, 하드웨어의 가변저항을 변화주면서 분기도 특성을 측정하여서 저항 변화에 따라 카오스와 주기적인 분기도 형태를 나타내는 것을 확인하였다.
본 연구에서는 팔뚝 전자혈압계의 코로트코프 음을 디지털로 검출하는 신호검출회로 장치를 개발하였다. 본 연구에서 개발한 혈압계의 코로트코프 음 신호검출회로를 실험하기 위하여 기존의 팔뚝 전자혈압계 (Model: SE-7000, Korea)와 개발한 전자회로의 수축기 혈압과 이완기 혈압을 측정하여 비교 분석하였다. 실험을 위한 장비는 암형 커프, 청진기, 증폭기 및 A/D보드장착 PC 등으로 구성하였다. 본 연구 결과에서 코로트코프 음 신호는 기존의 팔뚝 전자혈압계에서 검출하는 오실로메트릭 신호 검출 패턴과 비슷한 경향을 보였다. 수은 혈압계와 차이에 의한 결과에서 코로트코프 음과 오실로메트릭 신호를 비교하면 수축기 혈압은 $6.75{\pm}2.02mmHg$로 나타났고, 이완기 혈압은 $7.24{\pm}3.40mmHg$ 로 나타났다. 코로트코프 음 신호를 이용한 혈압 측정치가 정밀하게 검출된다면, 기존의 팔뚝 전자혈압계를 정밀하게 검출 가능할 것으로 판단된다.
Kim, Jung-Hwan;Kong, Jae-Sung;Suh, Sung-Ho;Lee, Min-Ho;Shin, Jang-Kyoo;Park, Hong-Bae;Choi, Chang-Auck
ETRI Journal
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제27권5호
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pp.539-544
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2005
An analog CMOS vision chip for edge detection with power consumption below 20mW was designed by adopting electronic switches. An electronic switch separates the edge detection circuit into two parts; one is a logarithmic compression photocircuit, the other is a signal processing circuit for edge detection. The electronic switch controls the connection between the two circuits. When the electronic switch is OFF, it can intercept the current flow through the signal processing circuit and restrict the magnitude of the current flow below several hundred nA. The estimated power consumption of the chip, with $128{\times}128$ pixels, was below 20mW. The vision chip was designed using $0.25{\mu}m$ 1-poly 5-metal standard full custom CMOS process technology.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제12권1호
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pp.99-106
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2012
For CMOS technology of 65 nm and beyond, the gate leakage current can not be negligible anymore. In this paper, the impact of the gate leakage current in ring voltage-controlled oscillator (VCO) on phase-locked loop (PLL) is analyzed and modeled. A voltage -to-voltage (V-to-V) circuit is proposed to reduce the voltage ripple on $V_{ctrl}$ induced by the gate leakage current. The side effects induced by the V-to-V circuit are described and optimized either. The PLL design is based on a standard 65 nm CMOS technology with a 1.8 V power supply. Simulation results show that 97 % ripple voltage is smoothed at 216 MHz output frequency. The RMS and peak-to-peak jitter are 3 ps and 14.8 ps, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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