CdS thin films have been widely used as a buffer layer of CIGS semiconductor solar cells to reduce the lattice mismatch between transparent electrode and absorber layer. In order to prepare the CdS films with high transparency and low resistivity, they were deposited by varying Cd concentration with the constant S concentration in the solution using chemical bath deposition method. They were analyzed in terms of structural, optical and electrical properties of CdS films according to the $[S^{2-}]/[Cd^{2+}]$ ratio. In the case of Cd concentration higher than S concectration, CdS thin films were formed mainly by cluster- by-cluster formation due to the homogeneous reaction between Cd and S in the solution. Therefore the grain size increased and the transmittance decreased. On the other hand, in the case of Cd concentration lower than S concentration, CdS films were formed by heterogeneous reaction on the substrate rather than in the solution. The CdS films have the grains with the uniform circular shape of a few hundreds ${\AA}$. As the Cd concentration increased in the solution, the $[S^{2-}]/[Cd^{2+}]$ ratio decreased and the resistivity decreased by the increase in the carrier concentration due to the formation S vacancy by the excess Cd.
B.I. Lee;S.H. Oh;E.J. Woo;G. Khang;S.Y. Lee;M.H. Cho;O. Kwon;J.R. Yoon;J.K. Seo
Journal of Biomedical Engineering Research
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v.23
no.4
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pp.269-279
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2002
When we inject a current into an electrically conducting subject such as a human body, voltage and current density distributions are formed inside the subject. The current density within the subject and injection current in the lead wires generate a magnetic field. This magnetic flux density within the subject distorts phase of spin-echo magnetic resonance images. In Magnetic Resonance Current Density Imaging (MRCDI) technique, we obtain internal magnetic flux density images and produce current density images from $\bigtriangledown{\times}B/\mu_\theta$. This internal information is used in Magnetic Resonance Electrical Impedance Tomography (MREIT) where we try to reconstruct a cross-sectional resistivity image of a subject. This paper describes numerical techniques of computing voltage. current density, and magnetic flux density within a subject due to an injection current. We use the Finite Element Method (FEM) and Biot-Savart law to calculate these variables from three-dimensional models with different internal resistivity distributions. The numerical analysis techniques described in this paper are used in the design of MRCDI experiments and also image reconstruction a1gorithms for MREIT.
Twin stone pagodas of the ruins of Kamunsa temple at Kyongju city, Kyungsangbukdo
were believed to be built in 682 during the Unified Shilla Kingdom. The 13.4-m-high granodiolite pagodas with the base of 6.78 m x 4.4 m are the largest three-story stone pagoda in Korea. The western pagoda which was re-organized in 1959 is observed to be on the process of severe weathering. Also, some stone contacts are represented by the shape of sharp chevron, which is probably caused by the uneven loading due to the structural unbalance. For the structure-safety diagnosis of the western pagoda, it is necessary to understand its site characteristics and surrounding subsurface environment. Combined geophysical survey such as seismic and resistivity methods was carried out around the western pagoda. The range of 55∼350 Ωm is shown around the pagoda from the electrical resistivity mapping by the Wenner method. The higher resistivities occur the southwestern area, while the lower (<100 Ωm) values indicating the weaker subsurface appear to be on the northeastern area. This result coincides with the measurement of a leaning angle of the pagoda. Along 6 seismic lines, about 3-m-thick uppermost section around the pagoda shows the P-wave velocity of 200∼700 m/s from the refraction survey. Based on the integrated geophysical survey, the foundation
of the pagoda is estimated to be in the form of 11-m-side square down to the depth of 3 m.
Park, Samgyu;Shin, Seung Wook;Son, Jeong-Sul;Cho, Seong-Jun
Geophysics and Geophysical Exploration
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v.19
no.4
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pp.212-219
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2016
The development of more advanced geophysical exploration techniques is necessary because the orebodies as yet discovered are increasingly changing in characteristics from shallow/high-grade to deep/low-grade. In this work, laboratory measurement of physical properties of rock samples and a field survey and interpretation of spectral induced polarization (SIP) have been conducted in a skarn metallic deposit, Gagok mine. The purpose of this study is that the applicability of SIP in the exploration of skarn metallic deposits is verified by the comprehensive interpretation between SIP characteristics of rocks obtained from the laboratory measurements and inverted survey results from the field data. In order to understand the SIP characteristics of each lithology, the data of eighty nine rock samples utilized in the previous studies were revaluated. The field survey was carried out using frequency of 0.25 Hz along a survey line designed for intersecting lithological boundaries and evaluating mineralized zones. The mineralized rocks were more conductive (low-resistivity) and capacitive (high-chargeability or strong-phase) than other rocks. Thus, SIP can be one of the very useful tools for the mineral exploration of the skarn deposits.
Kim, Hyeong-Sin;Moon, Seong-Woo;Leem, Kookmook;Seo, Yong-Seok
The Journal of Engineering Geology
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v.31
no.3
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pp.381-393
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2021
Physical, mechanical, hydraulic, and geophysical tests were applied to validate methods of inspecting the effectiveness of grouting on an agricultural reservoir dam. Data obtained from series of in situ and laboratory tests considered four stages: before grouting; during grouting; immediately after grouting; and after aging the grouting for 28 days. The results of SPT and triaxial tests, including the unit weight, compressive strength, friction angle, cohesion, and N-value, indicated the extent of ground improvement with respect to grout injection. However, they sometimes contained errors caused by ground heterogeneity. Hydraulic conductivity obtained from in situ variable head permeability testing is most suitable for identifying the effectiveness of grouting because the impermeability of the ground increased immediately after grouting. Electric resistivity surveying is useful for finding a saturated zone and a seepage pathway, and multichannel analysis of surface waves (MASW) is suitable for analyzing the effectiveness of grouting, as elastic velocity increases distinctly after grouting injection. MASW also allows calculation from the P- and S- wave velocities of dynamic properties (e.g., dynamic elastic modulus and dynamic Poisson's ratio), which can be used in the seismic design of dam structures.
Hyun-Bae Park;Seong-Woo Moon;Sejeong Ju;Jeungeum Lee;Yong-Seok Seo
The Journal of Engineering Geology
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v.34
no.1
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pp.1-12
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2024
South Korea's mining industry was actively developed until 1980, but subsequent declining profitability forced many mines to close. Most of the abandoned mines are susceptible to persistent subsidence because of the length of time since mining ceased. Accurate prediction of the locations and times of subsidence is difficult; therefore, this study aims to apply continuum analysis to past cases of subsidence to establish a method of predicting the location and magnitude of future subsidence. The study area is an area of ○○ mining located between the Yangsan fault zone and the Moryang fault zone, in which three subsidence events occurred between 2005 and 2009. Drilling surveys and electrical resistivity surveys were performed at subsidence sites determined the distribution of strata, and through laboratory tests obtained the physico-mechanical properties of the rock. Numerical analysis of the results found that the plastic status area includes the areas of actual subsidence and that continuum analysis can also be used to predict the location and magnitude of subsidence caused by mine goaf.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.24
no.2
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pp.49-53
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2017
We study on the change of electrical properties of two-dimensional (2D) $SnSe_2$ materials with respect to Cl doping as $SnSe_{1.994}Cl_{0.006}$ under a high temperature condition. (300~450 K) By the simple solid-state reaction method, non-and Cl-doped 2D $SnSe_2$ materials are successfully synthesized with negligible impurities as confirmed by X-ray diffraction. From the temperature dependence of resistivity, it is observed that the conduction mechanism is changed from hopping to degenerate conduction with Cl doping. By Hall effect measurement, an increase on electron carrier concentration from ${\sim}7{\times}10^{16}$ to ${\sim}3{\times}10^{18}cm^{-3}$ with Cl doping verifies that Cl is an effective electron donor which results in the encouraged carrier concentration. Detailed analysis for temperature dependent Hall mobility reveals that the electrical transports in high temperature regime are governed by the grain boundary-controlled mechanism for non-doped $SnSe_2$, which is effectively suppressed by Cl-doping as entering metallic transport regime.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.16
no.3
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pp.443-450
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2021
After selecting a PES substrate with excellent thermal stability and optical properties among plastic substrates, a SiO2 thin film was deposited as a buffer layer to a thickness of 20nm by plasma-enhanced chemical vapor deposition to compensate for the high moisture absorption. Then, the ITZO thin film was deposited by a RF magnetron sputtering method to investigate electrical and optical properties according to RF power. The ITZO thin film deposited at 50W showed the best electrical properties such as a resistivity of 8.02×10-4 Ω-cm and a sheet resistance of 50.13Ω/sq.. The average transmittance of the ITZO thin film in the visible light region(400-800nm) was relatively high as 80% or more when the RF power was 40 and 50W. Figure of Merits (ΦTC and FOM) showed the largest values of 23.90×10-4 Ω-1 and 5883 Ω-1cm-1, respectively, in the ITZO thin film deposited at 50W.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.27
no.4
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pp.25-37
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2020
In this study, hybridization of graphene oxide and metal was carried out by the functional groups containing oxygen and thermal treatment for reduction in order to enhance the electrical conductivity and magnetic properties of graphene materials. Graphene-metal hybrid materials were synthesized using the oxygen-containing functional groups (-OH, -COOH and so on) on the surface of graphene oxide by replacing them with metal ions via ion exchange method as well as thermal reduction. The metals used in this study were Fe, Ag, Ni, Zn, and Fe/Ag, and it was confirmed that metal particles of uniform size were well dispersed on the graphene surface through SEM, TEM, and EDS. All of the metal particles on the graphene surface had an oxide-crystalline structure. To check the electrical properties, sheet resistance of the rGO-metal hybrid sample was measured on the PET film made by the dip-coating, and the specific resistance was calculated by measuring the thickness of the specimen through SEM. As a result, the specific resistance was in the range of 2.14×10-5 and 3.5×10-3 ohm/cm.
Kim, Jae-Won;Jeong, Myeong-Hyeok;Jang, Eun-Jung;Park, Sung-Cheol;Cakmak, Erkan;Kim, Bi-Oh;Matthias, Thorsten;Kim, Sung-Dong;Park, Young-Bae
Korean Journal of Materials Research
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v.20
no.6
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pp.319-325
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2010
3-D IC integration enables the smallest form factor and highest performance due to the shortest and most plentiful interconnects between chips. Direct metal bonding has several advantages over the solder-based bonding, including lower electrical resistivity, better electromigration resistance and more reduced interconnect RC delay, while high process temperature is one of the major bottlenecks of metal direct bonding because it can negatively influence device reliability and manufacturing yield. We performed quantitative analyses of the interfacial properties of Al-Al bonds with varying process parameters, bonding temperature, bonding time, and bonding environment. A 4-point bending method was used to measure the interfacial adhesion energy. The quantitative interfacial adhesion energy measured by a 4-point bending test shows 1.33, 2.25, and $6.44\;J/m^2$ for 400, 450, and $500^{\circ}C$, respectively, in a $N_2$ atmosphere. Increasing the bonding time from 1 to 4 hrs enhanced the interfacial fracture toughness while the effects of forming gas were negligible, which were correlated to the bonding interface analysis results. XPS depth analysis results on the delaminated interfaces showed that the relative area fraction of aluminum oxide to the pure aluminum phase near the bonding surfaces match well the variations of interfacial adhesion energies with bonding process conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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