This paper describes the characteristics of polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators. The polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam resonators with $60{\sim}100{\mu}m$ lengths, $10{\mu}m$ width, and $0.4{\mu}m$ thickness were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonant frequency was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the $60{\sim}100{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at $373.4{\sim}908.1\;kHz$. The resonant frequencies of doubly clamped beam with lengths were higher than simulated results because of tensile stress. Therefore, polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.
This paper describes the characteristics of polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators. The polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam resonators with 60 ~ 100 ${\mu}m$ lengths, $10\;{\mu}m$ width, and $0.4\;{\mu}m$ thickness were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonant frequency was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the 60 ~ 100 ${\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at 373.4 ~ 908.1 kHz. The resonant frequencies of doubly clamped beam with lengths were higher than simulated results because of tensile stress. Therefore, polycrystalline 3C-SiC doubly clamped beam micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.
This paper describes the temperature characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonators. The 1.2 ${\mu}m$ and 0.4 ${\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilever and doubly clamped beam resonators with 60 ~ 100 ${\mu}m$ lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at temperature range of $25{\sim}200^{\circ}C$. The TCF(Temperature Coefficient of Frequency) of 60, 80 and 100 ${\mu}m$ long cantilever resonators were -9.79, -7.72 and -8.0 $ppm/^{\circ}C$. On the other hand, TCF of 60, 80 and 100 ${\mu}m$ long doubly clamped beam resonators were -15.74, -12.55 and -8.35 $ppm/^{\circ}C$. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable with RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications in harsh environments.
This paper describes the temperature characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonators. The $1.2{\mu}m$ and $0.4{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilever and doubly clamped beam resonators with $60{\sim}100{\mu}m$ lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at temperature range of $25{\sim}200^{\circ}C$. The TCF(Temperature Coefficient of Frequency) of 60, 80 and 100 On long cantilever resonators were -9.79, -7.72 and -8.0 ppm/$^{\circ}C$. On the other hand, TCF of 60, 80 and $100{\mu}m$ long doubly clamped beam resonators were -15.74, -12.55 and -8.35 ppm/$^{\circ}C$. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable with RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications in harsh environments.
This paper describes the characteristics of poly 3C-SiC micro resonators with $3{\times}10^{17}{\sim}1{\times}10^{19}cm^{-3}$ doping concentrations. The 1.2 ${\mu}m$ thick cantilever and the 0.4 ${\mu}m$ thick doubly clamped beam resonators with different lengths were fabricated using poly 3C-SiC thin films. The characteristics of poly 3C-SiC micro resonators were evaluated by quartz and a laser vibrometer in vacuum at room temperature. The resonant frequencies of micro resonators decreased with doping concentrations owing to reduction in the Young's modulus of poly 3C-SiC thin films. It was confirmed that the resonant frequencies of poly 3C-SiC resonators are controllable by doping concentrations. Therefore, poly 3C-SiC resonators could be applied to MEMS devices and bio/chemical sensor applications.
We describe the fabrication and characterization of a doubly clamped multi-walled carbon nanotube (MWNT). The device was assembled by an application of electric field in solution. The MWNT was clamped on end of metal trench electrodes in solution and deposited with additional platinum (Pt) on edge of electrode for firmly suspending the MWNT by focused ion beam (FIB). The MWNTs range of diameter and length were 100 to 150 nm and 1.5 to $2{\mu}m$, respectively. Electrical characteristics of fabricated devices were measured by I-V curve and impedance analysis. The mechanical deformation was observed by resistivity in high air pressure. Resonant frequency around 6.8 MHz was detected and resistivity was linearly varied according to the magnitude of air pressure. This device could have potential applications in nanoelectronics and various sensors.
We describe a method for the detection of nanometer scale displacements of nanoelectromechanical resonators. We also present an analysis of the mechanical motion of these devices. We evaluate the effectiveness of the detection technique by detecting displacements from a series of nanomechanical doubly clamped beam resonators with decreasing dimensions.
In an electro statically actuated nanoelectromechanical system (NEMS) resonator, it is shown that both the resonance frequency and the resonance quality (Q) factor can be manipulated. How much the frequency and quality factor can be tuned by excitation voltage and resistance on a doubly-clamped beam resonator is addressed. A mathematical model for investigating the tuning effects is presented. All results are shown based on the feasible dimension of the nanoresonator and appropriate external driving voltage, yielding up to 20 MHz resonance frequency. Such parameter tuning could prove to be a very convenient scheme to actively control the response of NEMS for a variety of applications.
In this paper, a new semi-analytical solution for estimating the pull-in parameters of electrically actuated functionally graded (FG) nanobeams is proposed. All the bulk and surface material properties of the FG nanoactuator vary continuously in thickness direction according to power law distribution. Here, the modified couple stress theory (MCST) and Gurtin-Murdoch surface elasticity theory (SET) are jointly employed to capture the size effects of the nanoscale beam in the context of Euler-Bernoulli beam theory. According to the MCST and SET and accounting for the mid-plane stretching, axial residual stress, electrostatic actuation, fringing field, and dispersion (Casimir or/and van der Waals) forces, the nonlinear nonclassical equation of motion and boundary conditions are obtained derived using Hamilton principle. The proposed semi-analytical solution is derived by employing Galerkin method in conjunction with the Particle Swarm Optimization (PSO) method. The proposed solution approach is validated with the available literature. The freestanding behavior of nanoactuators is also investigated. A parametric study is conducted to illustrate the effects of different material and geometrical parameters on the pull-in response of cantilever and doubly-clamped FG nanoactuators. This model and proposed solution are helpful especially in mechanical design of micro/nanoactuators made of FGMs.
This paper describes the fabrication and characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC microresonators with $3{\times}10^{17}{\sim}1{\times}10^{19}cm^{-3}$ in-situ N-doping concentrations. In this work, the crystallinity, carrier concentration and surface morphology of the grown thin films were evaluated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). The 1.2 ${\mu}m$ thick cantilvers and the 0.4 ${\mu}m$ thick doubly-clamped beam microresonators with various lengths were implemented using in-situ doping poly 3C-SiC thin films. The characteristics of the poly 3C-SiC microresonators were evaluated using quartz and a laser vibrometer under vacuum at room temperature. The resonant frequencies of the SiC microresonators decreased with doping concentrations owing to the reduction of the Young's modulus of the poly 3C-SiC thin films. It was confirmed that the resonant frequencies of the poly 3C-SiC microresonators are controllable by adjusting the doping concentrations.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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