• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.110-113
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• 2002

Organic EL has been expected to adopt to a new styles of technology that make flat display after Tang & Vanslyke made good electric luminescence device in late 1980s. Their studies based on multi layer structure that consists of emitting layer and carrier transporting layer using proper organic material. In this study. we made multi layer device using $Eu(TTA)_3(phen)$ as a luminescence material by PVD and investigate luminous properties of each device. But oxidization of organic layer by ITO. energy walls in both pole interface. contaminations of ITO surface, importance of protecting membrane, diffusive dimming of light to cathode organic layer. these causes of degradations are common facts of a macromolecule and micromolecule. We think these degradation caused by the impact of heat and electro-chemical factor, bulk effect and interface phenomenon. and raise a question.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권4호
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• pp.192-199
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• 2014

The electronic property of graphene was investigated by hydrazine treatment. Hydrazine ($N_2H_4$) highly increases electron concentrations and up-shifts Fermi level of graphene based on significant shift of Dirac point to the negative gate voltage. We have observed contact resistance and channel length dependent mobility of graphene in the back-gated device after hydrazine monohydrate treatment and continuously monitored electrical characteristics under Nitrogen or air exposure. The contact resistance increases with hydrazine-treated and subsequent Nitrogen-exposed devices and reduces down in successive Air-exposed device to the similar level of pristine one. The channel conductance curve as a function of gate voltage in hole conduction regime keeps analogous value and shape even after Nitrogen/Air exposure specially whereas, in electron conduction regime change rate of conductance along with the level of conductance with gate voltage are decreased. Hydrazine could be utilized as the highly effective donor without degradation of mobility but the stability issue to be solved for future application.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권6호
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• pp.727-736
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• 1995

This paper examines the characteristics and physical properties of the scaled MONOS nonvolatile memory device for low programming voltage EEPROM. The capacitor-type MONOS memory devices with the nitride thicknesses ranging from 41.angs. to 600.angs. have been fabricated. As a result, the 5V-programmable MONOS device has been obtained with a 20ms programming time by scaling the nitride thickness to 57.angs. with a tunneling oxide thickness of 19.angs. and a blocking oxide thickness of 20.angs.. Measurement results of the quasi-static C-V curves indicate, after 10$\^$6/ write/erase cycles, that the devices are degraded due to the increase of the silicon-tunneling oxide interface traps. The 10-year retention is impossible for the device with a nitride less than 129.angs.. However, the MONOS memory device with 10-year retentivity has been obtained by increasing the blocking oxide thickness to 47.angs.. Also, the memory traps such as the nitride bulk trap and the blocking oxide-nitride interface trap have been investigated by measuring the maximum flatband voltage shift and analyzing through the best fitting method.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제44권2호
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• pp.1-7
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• 2007

CMOS 소자의 높은 주파수 특성의 증가로 인하여 높은 주파수 범위에서의 RF와 아날로그 회로 설계가 가능하게 되었다. RF와 아날로그 회로 설계는 실수와 허수의 쌓인 S-파라미터의 특성 분석으로 가능하다. 높은 성능을 활용한 CMOS 기술들은 신뢰도와 밀접한 관계가 있으며, 소자의 열화로 인한 S-파라미터의 변화가 소신호 모델 파라미터들에 미치는 영향을 정확하게 분석하는데 매우 중요하다. S-파라미터의 열화로 인한 다양한 물리적인 현상들 특히 트랜스컨덕턴스와 게이트 커패시턴스의 성능 저하를 자세히 분석하였다. 측정에 사용된 H-gate와 T-gate 소자의 S-파라미터를 0.5GHz에서 40GHz 주파수 범위에서 측정하였으며, 소자의 모든 내부와 외부 파라미터들은 포화영역인 하나의 전압 조건에서 추출하였다. 이 논문은 게이트 구조가 다른 소자에 스트레스를 인가하여 소신호 등가 모델을 추출하였으며, 파라미터들의 변화를 비교 분석한 것이다.

• Corrosion Science and Technology
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• 제6권5호
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• pp.261-268
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• 2007

Embedded sensors were used as an in-situcorrosion-sensing device for aircraft and vehicular structures protected by organic coatings. Results are presented changes associated with a standard Airforce aircraft coating and a standard Army vehicle coating were monitored by embedded sensors. These coatings consisted of a polyurethane topcoat and an epoxy primer, however are formulated to provide different characteristics. The ac-dc-ac testing method was used to accelerate the degradation of these coatings while being immersed in a NaCl medium. Electrochemical impedance spectroscopy and electrochemical noise measurement experiments were used to monitor the induced changes. A comparison of the results between coatings subjected to the ac-dc-ac exposure and coatings subjected to only constant immersion in the NaCl medium is presented. The results were used to demonstrate the effectiveness of the ac-dc-ac method at accelerating the degradation of an organic coating without observably changing the normal mechanism of degradation. The data highlights the different features of the coating systems and tracks them while the coating is being degraded. The aircraft coating was characterized by a high-resistant topcoat that can mask corrosion/primer degradation at the primer/substrate interface whereas the vehicle coating was characterized by a low-resistant topcoat with an effective corrosion inhibiting primer. Details of the ac-dc-ac degradation were evaluated by using an equivalent circuit to help interpret the electrochemical impedance data.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.88-92
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• 2020

Thermal effects in bulk and SOI FinFETs are briefly reviewed herein. Different techniques to measure these thermal effects are studied in detail. Self-heating effects show a strong dependency on geometrical parameters of the device, thereby affecting the reliability and performance of FinFETs. Mobility degradation leads to 7% higher current in bulk FinFETs than in SOI FinFETs. The lower thermal conductivity of SiO₂ and higher current densities due to a reduction in device dimensions are the potential reasons behind this degradation. A comparison of both bulk and SOI FinFETs shows that the thermal effects are more dominant in bulk FinFETs as they dissipate more heat because of their lower lattice temperature. However, these thermal effects can be minimized by integrating 2D materials along with high thermal conductive dielectrics into the FinFET device structure.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.526-534
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• 2014

본 논문에서는 UWB 기술 기반 WiMedia Distributed Medium Access Control (D-MAC) 프로토콜에서, 디바이스들의 이동성으로 인해 발생하는 Distributed Reservation Protocol (DRP) 예약 충돌 현상을 분석한다. 그리고 DRP 예약 충돌 시 발생하는 성능 저하를 감소시키기 위해 Conflict Resolution (CR) 방식과 DRP 릴레이 기술을 제안한다. 본 논문에서 제안하는 DRP 릴레이 프로토콜은 충돌대상 디바이스에게 예약된 자원을 유지할 수 있도록, DRP 예약 충돌 시 릴레이 노드를 경유하여 다른 Indirect Link 링크를 빠르게 예약할 수 있는 분산적인 자원 예약 프로토콜을 제안한다. 이동성 환경을 고려한 시뮬레이션 결과는 CR 기술과 함께 DRP 릴레이 기술을 적용하여, 디바이스들의 이동성이 증가하더라도 수율 감소를 방지할 수 있음을 나타내었다.

• 한국표면공학회지
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• 제50권5호
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• pp.405-410
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• 2017

In order to study current-voltage-luminance and impedance characteristics according to elapsed time, a blue fluorescent OLED was fabricated. The current density and luminance gradually decreased in accordance with elapsed time and did not emit light after 480 hours, and the threshold voltage increased as time elapsed. The Cole-Cole plot was a semicircular shape of a very large size at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage, and the maximum value of the real number impedance did not change greatly from 9314.5 to $9902.2{\Omega}$ as time elapsed. Applied voltages 4, 6, and 8 V above the threshold voltage showed a large change in the real number impedance value at the semicircle end to 9,678.2, 9,826, $9,535.4{\Omega}$ according to the elapsed time from 2,222.5, 183.7, $48.2{\Omega}$ immediately after fabricating the device. By increasing the applied voltage beyond the threshold voltage just after device fabrication, the energy difference between the device and the organic layer was overcome and the current flowed, the maximum value of the real number impedance sharply decreased. As time passed, current did not flow through the element even at high applied voltage due to degradation of the element, and even when the applied voltage was higher than the threshold voltage, it showed an impedance value such as applied voltage equal to or less than the threshold voltage. As a result, it can be learned that the change in the impedance with elapsed time reflects the characteristics due to the degradation of the OLED and can predict the characteristics and lifetime of the OLED.

• 비파괴검사학회지
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• 제24권4호
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• pp.325-330
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• 2004

원자력발전소에는 여러 종류의 케이블이 전력공급, 감시 및 제어신호의 전달을 위해 열악한 환경하에서 이용되고 있다. 발전소의 안전한 운전을 위해서 이 케이블이 어느 정도 열화 되었는지 확인할 필요가 있다. 특히, 원자력발전소의 수명 연장과 더불어 저압 케이블을 장기간 사용함에 따라서 저압케이블의 열화를 평가하기 위한 방법이 필요하게 되었다 저압케이블의 열화를 측정하는 파라미터로는 주변 온도, 절연재질의 경도, 파단시 연신률(EAB, Elongation At Breaking Point) 등이 있다. 그러나, 온도나 경도를 계측하는 검사는 정량적인 판단기준의 설정이 곤란하고 진단의 정밀도가 낮으며, 부분적으로 샘플링하는 방법은 샘플링되는 케이블에 연결된 부하를 정전시켜야 하고 장소와 시간적인 제약이 있으며, 전기적 측정법은 노화 초기부터 중기까지의 열화정도를 확인하기 어렵다. 본 연구에서는 재료의 열화에 따라서 초음파의 음속이 변화한다는 이론적인 배경(1,2)을 바탕으로 저압 케이블 재료의 열화에 따른 초음파의 음속을 측정하였다. 이를 위해, 원자력발전소에서 사용되는 저압케이블을 가속 열화시켰으며, 저압케이블의 피복재에서 초음파의 음속을 측정할 수 있는 장비를 개발하여, 초음파의 음속측정 후 인장시험을 통해 파단시 연신률을 측정하였다. 파단시 연신률이 증가함에 따라서 음속이 선형적으로 감소하였으며, 초음파의 음속은 열화의 정량적 평가 파라미터로서의 사용 가능성을 확인할 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제39A권12호
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• pp.729-738
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• 2014

본 논문은 단말 간 직접 통신 (D2D: Device-to-Device) 시스템 환경에서 공간 재사용을 통한 성능 향상을 위해 그래프-컬러링 알고리즘을 기반으로 한 간섭 회피 자원 할당 방법을 제안한다. 다수의 D2D 페어가 하나의 D2D 통신 자원을 공유하는 경우, 인접한 D2D 페어로 인해 불가피한 간섭이 발생하게 되므로 간섭을 효율적으로 제어할 수 있는 자원 할당 방법이 필요하다. 따라서 우리는 D2D 페어가 기지국에 제공할 수 있는 피드백 양의 한계를 고려한 실용적인 피드백 정보 및 방법과 피드백 받은 정보를 활용한 그래프 설계 방법을 제안하고, 효과적인 간섭을 회피를 위한 그래프-컬러링 알고리즘을 도입한다. 시뮬레이션 결과를 통해, 본 논문에서 제안한 자원 할당 방법이 기존의 자원 할당 방법에 비해 D2D 시스템의 총 용량과 스펙트럼 효율 측면에서 성능 이득을 가져오는 것을 확인할 수 있으며 D2D 페어의 통신 불가 확률을 감소시킴을 확인할 수 있다.