• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.216-221
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• 1998

A study on induction plasma deposition with ceramic materials, yttria-stabilized-zirconia ZrO$_2$-Y$_2$O$_3$ (m.p 264O $^{\circ}C$), was conducted with a view developing a new method for nuclear fuel fabrication Before making dense pellets more than 96％TD., the spraying condition was optimized through the process parameters, such as chamber pressure, plasma plate power powder spraying distance, sheath gas composition, probe position, particle size and powders different morphology. The results with a 5mm thick deposit on rectangular planar graphite substrates showed a 97.11％ theoretical density when the sheath gas flow rate was Ar/H$_2$120/20 l/min, probe position 8cm, particle size -75 ${\mu}{\textrm}{m}$ and spraying distance 22cm by AMDRY146 powder. The degree of influence of the main effects on density were powder morphology. particle size, sheath gas composition, plate power and spraying distance, in that order. Among the two parameter interactions, the sheath gas composition and chamber pressure affects density greatly. By using the multi-pellets mold wheel type, the pellet density did not exceed 94%T.D., owing to the spraying angle.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제49권2호
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• pp.195-199
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• 2011

DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 soda lime glass 위에 Mo 박막을 증착하였다. DC power와 증착 압력을 변화시키면서 상온에서 Mo 박막을 증착하였고 증착된 박막의 전기적 성질 및 구조적 성질을 조사하였다. DC power가 증가할수록 박막의 증착속도는 증가되었고 전기 저항도는 감소하였으며 박막의 결정성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 증착 압력이 감소할수록 박막의 증착속도와 전기 저항도가 감소하였으며 가늘고 긴 모양의 결정입자가 조밀하게 박막을 형성하였다. 압력이 증가함에 따라서 결정입자는 원형으로 변형되었으며 박막의 표면에 공극의 생성이 증가하였다. Mo 박막의 전기 저항도는 Mo 원자에 결합된 산소의 양이 많아질수록 증가하게 되고, 박막의 결정성이 높아지면 산소의 결합도가 감소하여 낮은 저항도를 갖게 되는 것을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권4호
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• pp.329-332
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• 2010

In order to investigate the effect of tail state on the electrical and the optical properties in amorphous IGZO(a-IGZO), a-IGZO films were deposited at room temperature on fused silica substrats using pulsed laser deposition method. The laser pulse energy was used as the processing parameter. In-situ post annealing was carried out at $150^{\circ}C$ right after the film deposition. The $O_2$ partial pressure during the deposition and the post annealing was fixed to 10mTorr. The carrier mobility of the a-IGZO films had a range from 2 to $18\;cm^2/Vs$ at carrier concentrations greater than $10^{18}\;cm^{-3}$. As the laser energy density increased, the Hall mobility increased. And post annealing improved the Hall mobility, as well. The optical property was examined using the ultraviolet-visible spectroscopy. The a-IGZO films that have low Hall mobility exhibited stronger and broader absorption tails in >3.0 eV region. Post annealing reduced the intensity of the tail-like absorption. The absorption tail in a-IGZO films is an important factor which affects the electrical and the optical properties.

• 한국세라믹학회지
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• 제51권3호
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• pp.177-183
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• 2014

Alumina-silica composite coating layers were prepared by electrophoretic deposition (EPD) of plate-shaped alumina particles dispersed in a sol-gel binder, which was prepared by hydrolysis and the condensation reaction of methyltrimethoxysilane in the presence of colloidal silica. The microstructure and the electrical and thermal properties of the coatings were compared according to the EPD process parameter: voltage, time and the content of the plate-shaped alumina particles. The electrical insulation property of the coatings was measured by a voltage test. The coatings were prepared by EPD of the sol-gel binder with 5-30 wt% plate alumina particles on parallel electrodes at a distance of 2 cm for 1-10 min under an applied voltage of 10-30 V. The coatings experienced increased breakdown voltage with increasing thickness. However, the higher the thickness was, the smaller the breakdown voltage strength was. A breakdown voltage as high as 4.6 kV was observed with a $400{\mu}m$ thickness, and a breakdown voltage strength as high as 27 kV/mm was achieved for the sample under a $100{\mu}m$ thickness.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1555-1558
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• 2002

This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon(${\mu}c$-Si:H) films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below $300^{\circ}C$. The $SiH_4$ Concentration$[F(SiH_4)/F(SiH_4)+F(H_2)]$ is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}c$-Si:H films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}c$-S:H films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of $B_2H_6$ to $SiH_4$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}c$-Si:H/TCO/glass was fabricated with sing1e chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.

• 한국진공학회지
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• 제16권5호
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• pp.338-342
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• 2007

MgO는 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel, PDP)의 보호막으로 널리 쓰이고 있다. 본 실험에서는 산소 이온 빔을 이용하여 증착된 MgO 보호막의 특성을 조사하였다. MgO 증착 시 보조 산소 이온 빔의 에너지를 변화시킴에 따라 MgO 보호막의 특성과 PDP 패널 발광특성에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구에서는 산소 이온 에너지가 300 eV 일 때 소자의 방전개시전압이 가장 낮게 나타났고, 발광 휘도 및 발광 효율은 가장 높게 나타났다. 또한 산소 이온 빔의 조사에너지에 따라 MgO 박막의 결정성 및 표면조도가 크게 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 산소 이온 빔 보조 증착 방법을 이용하여 패널의 발광 휘도와 발광 효율 등 발광특성을 개선하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제41권7호
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• pp.607-612
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• 2017

최근 다양한 분야에 적용되고 있는 적층 가공 기술(AM)은 복잡한 형상 제조 및 재료 비용 절감으로 인해 혁신적인 제품 생산 방법으로 각광을 받고 있다. 그 중에서도 압출적층조형(Fused Deposition Modeling, FDM) 공정을 통한 친환경 부품 제조는 의료 분야산업에서 많은 주목을 받고 있다. 따라서, 본 논문에서는 친환경 생분해성 재료인 Poly Lactic Acid(PLA)를 사용한 FDM 공정 실험을 수행하고 제작된 적층 시편에 대한 인장 시험을 적용하여 주요 FDM 공정 변수인 적층 두께, 적층 방향, 적층 충진량이 인장 시편의 기계적 성질에 미치는 영향을 정량적 및 정성적으로 분석하고 이를 극대화하는 각 공정 변수의 최적값을 도출하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.332-332
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• 2012

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.355-360
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• 1998

250$\AA$과 1340$\AA$두께의 에피탁시($Ba_{0.5}Sr_{0.5}$)$TiO_3$(혹은 BST)박막을 MgO(001)단결정기 판에 펄스형 레이저 증착법(pulsed laser deposition)으로 제조한 후 방사광 X선 산란을 이 용하여 분석하였다. 박막은 초기에 MgO(001)단결정 기판과cube-on-cube관계로 증착되며, 박막이 성장함에 따라 이 관계를 계속 유지하면서 성장하는 것으로 판단된다. 한편 박막이 성장함에 따라 박막의 표면은 급격하게 거칠어지는 반면 기판과 박막 사이의 계면의 거칠기 는 크게 변하지 않았다. 에피탁시 BST박막의 초기상태에서는 c축이 기판과 수직한 방향으 로 배향된 정방정구조를 지녔으며, 아울러 기판의 수직(out-of-plane) 및 평형(in-plane)방향 으로의 모자익(mosaic)분포가 좁아짐을 확인하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제36권1호
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• pp.14-21
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• 2003

Thin films of ZrO$_2$ and TiO$_2$ were deposited on Si(100) substrates using RF magnetron sputtering technique. To study an influence of the sputtering parameters, systematic experiments were carried out in this work. XRD data show that the $ZrO_2$ films were mainly grown in the [111] orientation at the annealing temperature between 800 and $1000^{\circ}C$ while the crystal growth direction was changed to be [012] at above $1000^{\circ}C$. FT-IR spectra show that the oxygen stretching peaks become strong due to $SiO_2$ layer formation between film layers and silicon surface after annealing, and proved that a diffusion caused by either oxygen atoms of $ZrO_2$ layers or air into the interface during annealing. Different crystal growth directions were observed with the various deposition parameters such as annealing temperature, RF power magnitude, and added $O_2$ amounts. The growth rate of $TiO_2$ thin films was increased with RF power magnitude up to 150 watt, and was then decreased due to a sputtering effect. The maximum growth rate observed at 150 watt was 1500 nm/hr. Highly oriented, crack-free, stoichiometric polycrystalline $TiO_2$<110> thin film with Rutile phase was obtained after annealing at $1000^{\circ}C$ for 1 hour.