간단한 시간 지연 관측기를 이용한 영구자석 동기전동기의 강인 전류 제어 기법이 제시된다. 전압원 인버터 구동영구자석 동기전동기의 전류 제어 기법 중 전류 제어가 우수한 성능을 주는 것으로 알려져 있지만 이 기법은 전동기 파라미터와 동작 조건에 대한 모든 정보를 필요로 하며 전동기와 제어기의 파라미터가 일치하지 않을 경우 응답 성능이 저하되게 된다. 이러한 제함 점을 극복하기 위해 시간 지연 제어 기법을 사용하여 파라미터 변화에 의한 외란 성분이 추정되고 이는 전향 제어 방식으로 기준 전압의 계산에 이용된다. 이를 통해 제어기 성능이 매우 간단한 방식으로도 상당히 향상됨을 입증한다. 제안된 제어 방식의 타당성이 비교 시뮬레이션과 실험을 통해 입증된다.
H.264/AVC의 매크로블록 단위의 비트율 제어 방법은 부적당한 양자화 파라미터 할당으로 인해 한 프레임에 할당된 목표 비트가 일찍 고갈되곤 하는 문제가 있다. 이 경우 잔여 매크로블록들을 부호화 하기 위해 제한 범위내의 가장 큰 양자화 파라미터가 사용되고 화질 저하로 이어진다. 또한 양자화 파라미터의 할당을 위해 사용되는 헤더 비트량 예측도 이전 프레임과 현재프레임의 부호화된 매크로블록들의 헤더 비트량의 평균으로 구해진다. 따라서 실제 발생하는 헤더 비트량과 오차가 크다. 본 논문에서는 현재 프레임에서 부호화 도중 발생하는 조기 목표 비트 고갈을 막기 위해 이전 프레임들에서 음수 목표 비트를 갖는 매크로블록의 수를 이용한 적응적 양자화 파라미터 결정 방법과 정확한 양자화 파라미터 결정을 위해 향상된 헤더 비트량 예측 방법을 제시한다.
본 연구는 기술활용도 측면의 불완전고용이 개인의 자존감과 정신건강에 미치는 영향과, 이러한 영향에 대한 일에 대한 몰입과 사회적 지지의 조절효과를 살펴보고자 수행되었다. 연구는 종단으로 설계되어 2회의 설문조사를 통해 자료가 수집되었다. 1차 조사 시점에서 실업 후 미취업 상태에 있었으나 2차 조사 시점에서는 재취업에 성공한 153명의 자료를 사용하였다. 기술활용도 측면에서의 불완전고용은 두 가지 방식으로 측정되었다. 하나는 '학력격차비'로서 현재의 직업에 요구되는 학력을 기준으로 한 개인의 실제 보유학력의 비율(요구 학력/실제 학력)이고, 다른 하나는 자기보고 방식으로 측정된 '지각된 과잉자격'으로 '성장가능성부재'와 '자격불일치'라는 하위요인으로 구성되었다. 학력격차비는 일에 대한 몰입 및 사회적 지지와 상호작용하여 정신건강에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 일에 대한 몰입 정도가 낮은 경우 학력격차비에 따른 불완전고용의 정도가 높아질수록 사회부적응과 우울·불안의 수준이 높아지는 것으로 나타난 반면, 일에 대한 몰입 정도가 높은 경우 사회부적응과 우울·불안의 정도에 유의미한 변화가 없었다. 사회적 지지도 학력격차비와 상호작용하여, 사회적 지지를 낮게 지각하는 경우 학력격차비에 따른 불완전고용의 정도가 클수록 우울·불안의 수준도 높아지는 것으로 나타났다. 이들 두 조절변인들은 지각된 과잉자격의 두 하위요인과도 상호작용하여 학력격차비와 유사한 패턴의 상호작용효과를 나타냈다. 일에 대한 몰입은 성장가능성부재 및 자격불일치 요인과 상호작용하여 자존감과 우울·불안에 조절효과를 나타냈고, 사회적 지지는 성장가능성부재와만 상호작용하여 우울·불안에 조절효과를 나타냈다. 본 연구 결과는 개인 내적 변인인 일에 대한 몰입과 외부 상황적 변인인 사회적 지지가, 기술활용도 측면의 불완전고용이 자존감과 정신건강에 미치는 영향에 완충효과를 가짐을 시사하고 있다.
We report high work function Aluminum doped zinc oxide (AZO) films as insertion layer as a function of O2 flow rate between transparent conducting oxides (TCO) and hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiOx:H) layer to improve open circuit voltage (Voc) and fill factor (FF) for high efficiency thin film solar cell. However, amorphous silicon (a-Si:H) solar cells exhibit poor fill factors due to a Schottky barrier like impedance at the interface between a-SiOx:H windows and TCO. The impedance is caused by an increasing mismatch between the work function of TCO and that of p-type a-SiOx:H. In this study, we report on the silicon thin film solar cell by using as insertion layer of O2 reactive AZO films between TCO and p-type a-SiOx:H. Significant efficiency enhancement was demonstrated by using high work-function layers (4.95 eV at O2=2 sccm) for engineering the work function at the key interfaces to raise FF as well as Voc. Therefore, we can be obtained the conversion efficiency of 7 % at 13mA/cm2 of the current density (Jsc) and 63.35 % of FF.
Ng Eddie Yin-Kwee;Liu Ningyu;Lim Hong Ngiap;Tan Daniel
한국전산유체공학회지
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제10권1호
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pp.51-55
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2005
For proper installation, operation and performance of axial flow jet engines in aircrafts, the impacts and effects of inlet flow distortion in axial compressors have to be understood. Inlet distortion conditions may cause component-mismatch and instability problems known as rotating stall, and severe oscillations of mass flow rate called surge or a combination of both. Typical effects of this phenomenon include stresses and wear on the compressor blading, destruction of entire jet engines due to the failure of airfoil and mechanical failure or interruption of the combustion process. Therefore, it is important to study inlet flow distortion and its propagation effects to minimize and hence to prevent the occurrence of such calamity. The current novel integral method with parametric analysis signifies its validity to this field of research and offers much potential for further improvements. The present effort further indicates that this simple method may be flourishing in the problems of strongly distorted flow and propagating stall in axial compressor. It is therefore believe that using a more realistic and flexible velocity and pressure profiles could develop this approach further.
China has been the number one target of anti-dumping cases. In the middle of 1990s, China began to make anti-dumping rules to protect its domestic markets. The first anti-dumping regulation was mentioned in 1994 and the anti-dumping and anti-subsidy regulation was published in 1997. In 2001, China entered into the WTO and as a member of WTO, China is obliged to revise its anti-dumping rules in accordance with WTO's requirements. After that China amended anti-dumping rules in 2004 and it is still valid. Even though China makes considerable efforts to make the rules to be consistent with WTO Rules, China is still facing various difficulties such as lack of transparency, absence of definite deadlines, mismatch between rules, lack of clear interest criteria, overly hard questionnaires and inadequacy of judicial review and non-market economy. This paper deals with the current situation of anti-dumping system in China and the scheme of antidumping law and regulations and the main contents of that law and regulations. The purpose of this paper is to contribute to the enhancement of China's anti-dumping rules by studying the problems and solutions of the anti-dumping rules in China.
본 논문에서는 UWB PLL charge pump 의 충/방전 전류오차를 최소화하기 위한 회로를 제안하였다. Common-gate 와 Common-source 증폭기를 추가한 피드백 전압 조정기를 구성하여 높은 응답성을 가지는 charge pump를 설계하였다. 제안한 회로는 넓은 동작 영역을 갖으며, 낮은 전원 전압으로도 뛰어난 성능을 보인다. 본 회로는 1.2V 공급 전압과 IBM 0.13um CMOS 공정으로 집적되었다. 설계의 효율성을 평가하기 위해 참고 논문의 다른 회로와 성능을 대조하였다.
The time optimal position control scheme can be repeatedly taken from the initial state of a dynamic system to a desired one as fast as possible at the industrial drives. In this case, the machine parameters will vary due to temperature, frequency, and saturation effects. In particular, the rotor resistance value changes dramatically with temperature and frequency. These changes affect the command values of the stator current components and slip speed. There is a mismatch between the commanded variables and actual variables of the induction motor drive, and this situation leads to decoupling of the vector controller from the plant, i.e the induction motor. Consequences of such decoupling include the initiation of oscillations of the rotor flux and unsuitable switching of electromagnetic torque of the induction motor servo drive. Therefore, a rotor resistance parameter compensating method for the induction motor is described.
In this paper, we investigated a feasibility of cerium oxide(CeO$_2$) films as a buffer layer of MFIS(metal ferroelectric insulator semiconductor) type capacitor. CeO$_2$ layer were Prepared by two step process of a low temperature film growth and subsequent RTA (rapid thermal annealing) treatment. By app1ying an ultra thin Ce metal seed layer and N$_2$ Plasma treatment, dielectric and interface properties were improved. It means that unwanted SiO$_2$ layer generation was successfully suppressed at the interface between He buffer layer and Si substrate. The lowest lattice mismatch of CeO$_2$ film was as low as 1.76% and average surface roughness was less than 0.7 m. The Al/CeO$_2$/Si structure shows breakdown electric field of 1.2 MV/cm, dielectric constant of more than 15.1 and interface state densities as low as 1.84${\times}$10$\^$11/ cm$\^$-1/eV$\^$-1/. After N$_2$ plasma treatment, the leakage current was reduced with about 2-order.
We have fabricated good quality superconducting $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$ thin films on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) metallic substrate with $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers in-situ by pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. We have chosen $CeO_2$ as a buffer layer which has cubic structure of $5.41{\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with YBCO. $CeO_2$ layer may be helpful for power transmission due to its conducting property. In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates. we deposited $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers at various temperatures. The YBCO superconducting tape fabricated with $BaTiO_3$ and $CeO_2$ buffer layers shows 85K of transition temperature and about $8.4{\times}10^4A/cm^2$ of critical current density at 77K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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